【HM62832UH系列256千高速SRAM （ 32千字×8-bit)特点高速：快速访问时间15/2】,IC型号HM62832UH,HM62832UH PDF资料,HM62832UH经销商,ic,电子元器件-51电子网

HM62832UH系列

256千高速SRAM （ 32千字

×

8-bit)

特点

高速：快速访问时间15/20毫微秒（最大）

低功耗

待机： 15

W

（典型值）（L -版）

操作： 600分之675毫瓦（典型值）

5 V单电源

完全静态存储器

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出：三态输出

直接TTL兼容：所有输入和输出

订购信息

型号

HM62832UHP-15

HM62832UHP-20

HM62832UHLP-15

HM62832UHLP-20

HM62832UHJP-15

HM62832UHJP-20

HM62832UHLJP-15

HM62832UHLJP-20

存取时间

15纳秒

20纳秒

15纳秒

20纳秒

15纳秒

20 n

15纳秒

20纳秒

300万28引脚塑料SOJ （ CP- 28DN ）

包

300万28引脚塑料DIP （ DP- 28NA ）

HM62832UH系列

管脚配置

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I / O 0

I / O 1

I / O 2

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I / O 7

I / O 6

I / O 5

I / O 4

I / O 3

（ TOP VIEW ）

引脚说明

引脚名称

A0 – A14

I / O0 - I / O7

CS

WE

OE

V

CC

V

SS

功能

地址

输入/输出

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

2

HM62832UH系列

框图

V

CC

V

SS

A8

A13

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

X -地址

缓冲器

ROW

解码器

存储阵列

512

×

512

I/O0

I / O

卜FF器

列I / O

列解码器

I/O7

WE

OE

列地址缓冲器

A10 A0 A1 A2 A9 A11

CS

功能表

CS

H

L

OE

X

L

H

L

WE

X

H

L

模式

待机

读

写

V

CC

当前

I

SB

, I

SB1

I

CC

I

CC

I

CC

I / O引脚

高-Z

DOUT

DIN

读周期1 ， 2 ， 3

写周期1

写周期2

参考文献。周期

注：X ： H或L

3

HM62832UH系列

绝对最大额定值

参数

电源电压

*1

任何引脚相对于V电压

SS *1

功耗

工作温度

储存温度

在偏置存储温度

符号

V

CC

V

T

P

T

TOPR

TSTG

Tbias

价值

–0.5

*2

到+7.0

–0.5

*2

到V

CC

+ 0.5

1.0

0至+70

-55到+125

-10至+85

单位

V

W

°C

注：1。对于V

SS

2. V

CC

和V

T

分= -2.5 V的脉冲宽度

≤

10纳秒

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

V

CC

V

SS

输入高电平（逻辑1 ）电压

输入低电平（逻辑0 ）电压

注意：

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

–0.5

*1

典型值

5.0

0

—

最大

5.5

0

V

CC

+ 0.5

0.8

单位

V

1. V

IL

分= -2.0 V的脉冲宽度

≤

10纳秒

4

HM62832UH系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V)

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作V

CC

当前

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC1

(-15)

*3

I

CC2

(-15)

I

CC1

(-20)

I

CC2

(-20)

待机V

CC

当前

I

SB

(-15)

I

SB

(-20)

待机V

CC

电流（ 1）

民

—

典型值

*1

—

135

100

120

90

40

30

0.02

最大

2.0

170

120

150

110

60

50

2.0

mA

CS

≥

V

CC

– 0.2 V

0 V

≤

VIN

≤

0.2 V或

V

CC

– 0.2 V

≤

VIN

单位

A

mA

测试条件

V

CC

= 5.5 V

VIN = V

SS

到V

CC

CS

= V

IH

V

I / O

= V

SS

到V

CC

闵周期

*2

2X分钟周期

闵周期

2X分钟周期

CS

= V

IH

，最小周期

I

SB1

（L-版） -

—

输出低电压

输出高电压

V

OL

V

OH

—

2.4

0.003

—

0.1

0.4

—

V

I

OL

= 8毫安

I

OH

= -4.0毫安

注：1。典型值是在V

CC

= 5.0 V ， TA = 25 ℃，并不能保证。

2.

CS

= V

IL

， IOUT = 0毫安

3.访问时版本

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）

*1

参数

输入电容

输出电容

注意：

符号

CIN

COUT

民

—

典型值

—

最大

6

10

单位

pF

测试条件

VIN = 0 V

V

I / O

= 0 V

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

5

HM62832UH系列

256千高速SRAM （ 32千字

×

8-bit)

特点

高速：快速访问时间15/20毫微秒（最大）

低功耗

待机： 15

W

（典型值）（L -版）

操作： 600分之675毫瓦（典型值）

5 V单电源

完全静态存储器

无需时钟或定时选通

平等的机会和周期时间

常见的数据输入和输出：三态输出

直接TTL兼容：所有输入和输出

订购信息

型号

HM62832UHP-15

HM62832UHP-20

HM62832UHLP-15

HM62832UHLP-20

HM62832UHJP-15

HM62832UHJP-20

HM62832UHLJP-15

HM62832UHLJP-20

存取时间

15纳秒

20纳秒

15纳秒

20纳秒

15纳秒

20 n

15纳秒

20纳秒

300万28引脚塑料SOJ （ CP- 28DN ）

包

300万28引脚塑料DIP （ DP- 28NA ）

HM62832UH系列

管脚配置

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

A2

A1

A0

I / O 0

I / O 1

I / O 2

V

SS

1

2

3

4

5

6

7

8

9

10

11

12

13

14

28

27

26

25

24

23

22

21

20

19

18

17

16

15

V

CC

WE

A13

A8

A9

A11

OE

A10

CS

I / O 7

I / O 6

I / O 5

I / O 4

I / O 3

（ TOP VIEW ）

引脚说明

引脚名称

A0 – A14

I / O0 - I / O7

CS

WE

OE

V

CC

V

SS

功能

地址

输入/输出

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

电源

地

2

HM62832UH系列

框图

V

CC

V

SS

A8

A13

A14

A12

A7

A6

A5

A4

A3

X -地址

缓冲器

ROW

解码器

存储阵列

512

×

512

I/O0

I / O

卜FF器

列I / O

列解码器

I/O7

WE

OE

列地址缓冲器

A10 A0 A1 A2 A9 A11

CS

功能表

CS

H

L

OE

X

L

H

L

WE

X

H

L

模式

待机

读

写

V

CC

当前

I

SB

, I

SB1

I

CC

I

CC

I

CC

I / O引脚

高-Z

DOUT

DIN

读周期1 ， 2 ， 3

写周期1

写周期2

参考文献。周期

注：X ： H或L

3

HM62832UH系列

绝对最大额定值

参数

电源电压

*1

任何引脚相对于V电压

SS *1

功耗

工作温度

储存温度

在偏置存储温度

符号

V

CC

V

T

P

T

TOPR

TSTG

Tbias

价值

–0.5

*2

到+7.0

–0.5

*2

到V

CC

+ 0.5

1.0

0至+70

-55到+125

-10至+85

单位

V

W

°C

注：1。对于V

SS

2. V

CC

和V

T

分= -2.5 V的脉冲宽度

≤

10纳秒

建议的直流工作条件

（大= 0至+ 70 ° C）

参数

电源电压

符号

V

CC

V

SS

输入高电平（逻辑1 ）电压

输入低电平（逻辑0 ）电压

注意：

V

IH

V

IL

民

4.5

0

2.2

–0.5

*1

典型值

5.0

0

—

最大

5.5

0

V

CC

+ 0.5

0.8

单位

V

1. V

IL

分= -2.0 V的脉冲宽度

≤

10纳秒

4

HM62832UH系列

DC特性

（大= 0至+ 70 ° C，V

CC

= 5 V

±

10%, V

SS

= 0 V)

参数

输入漏电流

输出漏电流

工作V

CC

当前

符号

|I

LI

|

|I

LO

|

I

CC1

(-15)

*3

I

CC2

(-15)

I

CC1

(-20)

I

CC2

(-20)

待机V

CC

当前

I

SB

(-15)

I

SB

(-20)

待机V

CC

电流（ 1）

民

—

典型值

*1

—

135

100

120

90

40

30

0.02

最大

2.0

170

120

150

110

60

50

2.0

mA

CS

≥

V

CC

– 0.2 V

0 V

≤

VIN

≤

0.2 V或

V

CC

– 0.2 V

≤

VIN

单位

A

mA

测试条件

V

CC

= 5.5 V

VIN = V

SS

到V

CC

CS

= V

IH

V

I / O

= V

SS

到V

CC

闵周期

*2

2X分钟周期

闵周期

2X分钟周期

CS

= V

IH

，最小周期

I

SB1

（L-版） -

—

输出低电压

输出高电压

V

OL

V

OH

—

2.4

0.003

—

0.1

0.4

—

V

I

OL

= 8毫安

I

OH

= -4.0毫安

注：1。典型值是在V

CC

= 5.0 V ， TA = 25 ℃，并不能保证。

2.

CS

= V

IL

， IOUT = 0毫安

3.访问时版本

电容

（ TA = 25 ° C，F = 1.0兆赫）

*1

参数

输入电容

输出电容

注意：

符号

CIN

COUT

民

—

典型值

—

最大

6

10

单位

pF

测试条件

VIN = 0 V

V

I / O

= 0 V

1，这个参数进行采样，而不是100 ％测试。

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