2007年2月
HYS72T128001HR–5–A
HYS72T256000HR–[3S/3.7/5]–A
240引脚注册的DDR SDRAM模块
RDIMM
DDR2 SDRAM
符合RoHS
互联网数据表
修订版1.4
互联网数据表
HYS72T[128/256]00xHR–[3S/3.7/5]–A
注册DDR2 SDRAM模组
HYS72T128001HR - 5 -A ， HYS72T256000HR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -A
修订历史： 2007-02 ，牧师1.4
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科目（自上次调整的重大变化）
改编网络版
新增HYS72T256000HR - 3S -A ：更新订购信息，框图，
I
DD
电流， SPD码
更新奇梦达
新增HYS72T128001HR - 5 -A ：更新订购信息，框图，
I
DD
电流， SPD代码和
包装说明相应
5
20
29
28, 32
35
加入高温自刷新功能列表，工作温度和SPD码
改变的脚注1 （表9）为“注意”
添加脚注2
I
DD
电流（表18）
SPD代码更新
封装外形图更新
以前的版本：版本1.31 ， 2006-09
以前的版本：版本1.3 ， 2006-01
以前的版本：版本1.2 ， 2005-08
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2
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HYS72T[128/256]00xHR–[3S/3.7/5]–A
注册DDR2 SDRAM模组
1
概观
本章提供了240引脚注册DDR SDRAM模块产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
自动刷新（ CBR）和自刷新
平均更新周期7.8微秒在
T
例
低于
85 ℃， 85 ℃和95 ℃的3.9微秒
通过EMRS2设置可编程自刷新速率
所有输入和输出SSTL_18兼容
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上
端接（ ODT ）
串行存在检测为E
2
舞会
RDIMM尺寸（标称） ：
30,00毫米高， 133.35毫米宽
基于JEDEC标准参考卡的布局原
卡“ A- F”和“ C- H”
符合RoHS标准的产品
1)
240针PC2-4200和PC2-3200 DDR2 SDRAM
适用于PC ，工作站和服务器主内存模块
内存的应用程序。
一个128M排名
×72,
256M
×72
模块组织
128M ×8 ， 256M
×4
组织芯片
标准双倍数据速率 - 双同步DRAM
（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源
供应
1和2 GB的内置模块与1千兆位的DDR2 SDRAM中
P- TFBGA - 68 chipsize包。
比DDR2-400更快的所有速度等级符合
DDR2-400的时序规格为好。
可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4 & 5 ） ，突发长度
（ 4 & 8 ）和突发类型
表1
性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–3S
PC2–5300
5–5–5
–3.7
PC2–4200
4–4–4
266
266
200
15
15
45
60
–5
PC2–3200
4–4–4
200
200
200
15
15
40
55
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
333
266
200
15
15
45
60
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
修订版1.4 ， 2007-02
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HYS72T[128/256]00xHR–[3S/3.7/5]–A
注册DDR2 SDRAM模组
1.2
描述
通过寄存器设备的信号重新驱动的DIMM和
锁相环（PLL）的时钟分配。这降低了电容
加载到系统总线，但增加了一个周期到SDRAM
时序。去耦电容器被安装在PCB上
板。该功能的DIMM串行存在检测的基础上
串行ê
2
使用2针我PROM设备
2
C协议。第一
128字节被编程的配置数据和
128字节是提供给客户。
奇梦达HYS72T [ 128/256 ] 00xHR- [ 3S / 3.7 / 5 ] -A模块
家庭是注册的DIMM模块， 30.0毫米高
基于DDR2技术。 DIMM是作为ECC
在128M模块
×72
（ 1 GByte的）和256M
×72
（ 2 GByte的）
组织和密度，用于安装到240针
连接器插座。
存储器阵列的设计与1-Gb双数据速率 -
二（DDR2 ）同步DRAM中。所有的控制和地址
表2
对于符合RoHS的产品订货信息
产品类型
1)
PC2–5300
HYS72T256000HR–3S–A
PC2–4200
HYS72T256000HR–3.7–A
PC2–3200
HYS72T128001HR–5–A
HYS72T256000HR–5–A
1GB 1Rx8 PC2-3200R - 333-12 -F0
2GB 1Rx4 PC2-3200R - 333-11 -H0
1等级， ECC
1等级， ECC
1吉比特（ × 8 ）
1千兆位（ ×4）的
2GB 1Rx4 PC2-4200R - 444-11 -H0
1等级， ECC
1千兆位（ ×4）的
2GB 1Rx4 PC2-5300R - 444-11 -H0
1等级， ECC
1千兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM技术
1 ）所有产品类型结束与一个地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS72T256000HR - 3.7 -A ，表示修订版“A”死亡
用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看
第6章
本数据手册。
2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200R - 444-11 - H0 ”，其中
4200R是指注册DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）
延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD修订版1.1和
生产的原卡“ F”
表3
地址格式
DIMM
密度
1 GB
2 GB
模块
组织
128M
×72
256M
×72
内存
秩
1
1
ECC /
非ECC
ECC
ECC
＃的＃的SDRAM行/行/列
位
9
18
14/3/11
14/3/11
生
卡
A-F
C-H
修订版1.4 ， 2007-02
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注册DDR2 SDRAM模组
表4
在模块组件
产品类型
1)
HYS72T128001HR
HYS72T256000HR
DRAM组件
1)
HYB18T1G800AF
HYB18T1G400AF
DRAM密度
1千兆
1千兆
DRAM组织
128M
×8
256M
×4
记
2)
2)
1 ）绿色产品
2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。
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