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HSMP-383x
表面贴装射频PIN二极管
数据表
说明/应用
该HSMP- 383x系列的通用PIN二极管
专为两类应用程序。第一
是衰减器,其中电流消耗是最
重要的设计考虑因素。第二应用
该系列二极管是开关低的地方
电容是设计师的驱动问题。
该HSMP- 386x系列的总电容(C
T
)和总
电阻(R
T
)是典型规格。对于应用程序
这需要保证性能,一般
purpose HSMP-383x series is recommended.
Spice模型不适用于PIN二极管的SPICE
不提供密钥PIN二极管特性,
载流子寿命。
特点
二极管的优化:
低电容开关
低电流衰减
Surface Mount SOT-23 Package
单路和双路版本
可用的磁带和卷轴选项
低故障的时间( FIT )费率
[1]
LEAD -FREE
注意:
1。有关详细信息,请参阅表面贴装PIN可靠性数据表。
封装引线码识别(顶视图)
单身
系列
#0
常见
阳极
#2
常见
阴极
#3
#4
绝对最大额定值
[1]
T
C
= 25°C
符号
I
f
P
t
P
iv
T
j
T
英镑
参数
Forward Current (1 ms Pulse)
器件总功耗
峰值反向电压
结温
储存温度
单位
AMP-
mW
[2]
°C
°C
绝对最大
1
250
同为V
BR
150
-65 to 150
注意事项:
1.操作中过量的这些条件中的任何一个可以导致永久性的损坏
此设备。
2. CW功率消耗在T
领导
= 25°C. Derate to zero at maximum rated temperature.
PIN通用二极管,电气规格牛逼
C
= 25°C
部分
HSMP-
3830
3832
3833
3834
记号
CODE
K0
K2
K3
K4
领导
CODE
0
2
3
4
CON组fi guration
单身
系列
共阳极
共阴极
最低
击穿
电压
V
BR
(V)
200
最大
系列
阻力
R
S
(Ω)
1.5
最大
电容
C
T
(PF )
0.3
美国东部时间条件
T
V
R
= V
BR
测量
I
R
≤ 10 mA
I
F
= 100 mA
f = 100 MHz
V
R
= 50 V
f = 1 MHz
在T典型参数
C
= 25°C
产品型号
HSMP-
383x
串联电阻
R
S
(Ω)
20
I
F
= 1 mA
f = 100 MHz
载流子寿命
τ
(纳秒)
500
I
F
= 50 mA
I
R
= 250 mA
反向恢复时间
T
rr
(纳秒)
80
V
R
= 10 V
I
F
= 20 mA
90% Recovery
总电容
C
T
(PF )
0.20 @ 50 V
美国东部时间条件
T
2
在T典型参数
C
= 25 ℃(除非另有说明) ,单二极管
100
0.35
1000
I
F
- 正向电流(mA )
总电容( pF)的
10
0.30
1兆赫
0.25
100兆赫
0.20
1 GHz的
RF电阻(欧姆)
8
10 12 14 16 18 20
100
1
10
0.1
125C
0
0.2
0.4
25C
0.6
–50C
0.8
1.0
1.2
1
0.01
0.15
0
2
4
6
0.1
0.01
0.1
1
10
100
V
F
- 正向电压(毫安)
反向电压( V)
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
图1.正向电流与正向电压。
图2.射频电容与反向偏置。
图3. RF电阻在25℃与正向偏置电流。
输入截点( DBM)
输入截点( DBM)
二极管安装为
110系列衰减器
在一个50欧姆微带
100和测试,在123兆赫
90
80
70
60
50
40
1000
100
10
T
rr
- 反向恢复时间( NS)
120
120
二极管安装为
系列衰减器的
115
50欧姆微带和
经过测试,在123兆赫
110
105
100
95
90
85
1000
HSMP-3830
V
R
= 5V
100
V
R
= 10V
V
R
= 20V
1
10
30
10
10
20
正向电流(mA )
30
二极管的射频电阻( )
I
F
- 正向偏置电流(毫安)
图4.二阶谐波输入截取点主场迎战
二极管的射频电阻的衰减。
图5.二次谐波输入截取点主场迎战
正向偏置电流的开关。
图6.反向恢复时间与正向电流
适用于各种反向电压。
3
典型应用为多个二极管产品
射频共
射频共
RF 1
RF 2
RF 1
RF 2
BIAS
BIAS
BIAS 1
BIAS 2
图7.简单的单刀双掷开关,仅使用正电流。
图8.高隔离度SPDT开关,双偏置。
射频共
BIAS
射频共
RF 1
RF 2
RF 1
BIAS
RF 2
图9.开关同时使用正,负电流。
图10.非常高隔离度SPDT开关,双偏置。
4
典型应用为多个二极管产品
(续)
不同的偏压
输入
射频输入/输出
固定
BIAS
电压
图11.四个二极管
π
衰减器。参见AN1048获取详细信息。
BIAS
图12.高隔离度单刀单掷开关(重复单元格为必填) 。
5
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