2007年1月
HYS72D64301[G/H]BR–[5/6]–B
HYS72D128xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B
HYS72D256220[G/H]BR–[5/6/7]–B
HYS72D256320[G/H]BR–[5/6/7]–B
1 8 4 - P R中egistered 瓯BL é - D ATA - R的吃SDRAMM odule
DDR SDRAM
符合RoHS标准的产品
互联网数据表
修订版1.42
互联网数据表
HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B
注册DDR SDRAM模块
HYS72D64301 [G / H] BR- [ 5/6 ] -B ， HYS72D128xxx [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -B ， HYS72D256220 [G / H] BR- [ 5/6/7 ] - B，
HYS72D256320[G/H]BR–[5/6/7]–B
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03292006-7CZA-YS85
2
互联网数据表
HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B
注册DDR SDRAM模块
1
1.1
概观
特点
184引脚注册的8字节双列直插式DDR SDRAM模块“1U ”PC ，工作站和服务器主内存
应用
一个128M排名
×
72和64M
×
72组织，两列256M
×
72组织
标准双数据速率同步DRAM （ DDR SDRAM ），用一个单一的+ 2.5 V （ ± 0.2 V）电源
对于DDR400 2.6 V（ ± 0.1 V）电源
内置带的DDR SDRAM的P- TFBGA - 60封装
可编程CAS延迟，突发长度和换行序列（序列&交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
所有输入和输出SSTL_2兼容
RAS-锁定支持
t
RAP
=
t
RCD
重新驱动器使用的寄存器和PLL器件所有输入信号。
串行存在检测为E
2
舞会
薄型模块外形尺寸： 133.35毫米
×
28.58 mm (1.1”)
×
4.00毫米和133.35毫米
×
30.48 mm (1.2”)
×
4.00 mm
标准参考卡的布局原卡“ A” ， “B” ， “C” ， “D” 。
镀金触点
表1
性能
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟
频率
部件
模块
@CL3
@CL2.5
@CL2
–5
DDR400B
PC3200–3033
–6
DDR333B
PC2700–2533
166
166
133
–7
DDR266A
PC2100–2033
—
143
133
单位
—
—
兆赫
兆赫
兆赫
f
CK3
f
CK2.5
f
CK2
200
166
133
牧师1.42 ， 2007-01
03292006-7CZA-YS85
3
互联网数据表
HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B
注册DDR SDRAM模块
1.2
描述
该HYS72D [ 64/128/256 ] XXX [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -B是标准注册的DIMM模块的低调版本
1.1 “英寸（ 28.58 ）和1.2 ”英寸（ 30,40毫米），高度为1U服务器应用程序。低调DIMM版本可作为
64M
×
72 （ 512 MB ） ， 128M
×
72 （ 1 GB）和256M
×
72 （ 2 GB ） 。
存储器阵列的设计与双数据速率同步DRAM的ECC应用。所有的控制和地址
信号被重新驱动使用寄存器设备和锁相环（PLL）的时钟分配的DIMM 。这降低了容性负载
到系统总线，但增加了一个周期的SDRAM的定时。各种去耦合电容器被安装在PC板上。
该功能的DIMM串行存在检测基于串行é
2
使用2针我PROM设备
2
C协议。前128个字节
被编程的配置数据和第二128字节是提供给客户。
表2
铅订购信息 - 包含产品
产品类型
1)
PC3200 （CL = 3）的
HYS72D64301GBR–5–B
HYS72D128300GBR–5–B
HYS72D128321GBR–5–B
HYS72D256220GBR–5–B
PC2700 （CL = 2.5）
HYS72D64301GBR–6–B
HYS72D128300GBR–6–B
HYS72D128321GBR–6–B
HYS72D256320GBR–6–B
HYS72D256220GBR–6–B
PC2100 （CL = 2）的
HYS72D128300GBR–7–B
HYS72D128321GBR–7–B
HYS72D256220GBR–7–B
HYS72D256320GBR–7–B
PC2100R–20330–C0
PC2100R–20330–B0
PC2100R–20330–D0
PC2100R–20330–D0
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
2 ranks1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
PC2700R–25330–A0
PC2700R–25330–C0
PC2700R–25330–B0
PC2700R–25330–D0
PC2700R–25330–D0
一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
PC2700R–30331–A0
PC3200R–30331–C0
PC3200R–30331–B0
PC3200R–30331–D0
一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
合规守则
2)
描述
SDRAM
技术
1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。
例如： HYS72D128300GBR -5 -B中，指示Rev.B的模具被用于SDRAM的组件。
2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2100R ” ），则等待时间（例如
“ 20330 ”是指2.0时钟， 3个时钟行 - 列延迟（ RCD）延迟和行预充电延迟3个时钟） ， JEDEC CAS延迟
SPD定义代码版本0和原卡用于此模块。
牧师1.42 ， 2007-01
03292006-7CZA-YS85
4
互联网数据表
HYS72D[64/128/256]xxx[G/H]BR–[5/6/7]–B
注册DDR SDRAM模块
表3
订购信息铅 - 免费（符合RoHS标准）产品
产品类型
1)2)
PC3200 （CL = 3）的
HYS72D64301HBR–5–B
HYS72D128300HBR–5–B
HYS72D128321HBR–5–B
HYS72D256220HBR–5–B
HYS72D256320HBR–5–B
PC2700 （CL = 2.5）
HYS72D64301HBR–6–B
HYS72D128300HBR–6–B
HYS72D128321HBR–6–B
HYS72D256220HBR–6–B
HYS72D256320HBR–6–B
PC2100 （CL = 2）的
HYS72D128300HBR–7–B
HYS72D128321HBR–7–B
HYS72D256220HBR–7–B
HYS72D256320HBR–7–B
PC2100R–20330–C0
PC2100R–20330–B0
PC2100R–20330–D0
PC2100R–20330–F0
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
PC2700R–25330–A0
PC2700R–25330–C0
PC2700R–25330–B0
PC2700R–25330–D0
PC2700R–25330–F0
一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
PC3200R–30331–A0
PC3200R–30331–C0
PC3200R–30331–B0
PC3200R–30331–D0
PC3200R–30331–F0
一个等级512兆字节的寄存器。 ECC DIMM
1级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级1 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
两个职级2 GB的注册。 ECC DIMM
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ × 8 ）
512兆位（ ×4）的
512兆位（ ×4）的
合规守则
3)
描述
SDRAM
技术
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
2 ）所有产品类型结束与一个地方的代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。
例如： HYS72D128300GBR -5 -B中，指示Rev.B的模具被用于SDRAM的组件。
3）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2100R ” ），则等待时间（例如
“ 20330 ”是指2.0时钟， 3个时钟行 - 列延迟（ RCD）延迟和行预充电延迟3个时钟） ， JEDEC CAS延迟
SPD定义代码版本0和原卡用于此模块。
牧师1.42 ， 2007-01
03292006-7CZA-YS85
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