【基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O对特定网络阳离子2】,IC型号HY5S5B6GLFP-SE,HY5S5B6GLFP-SE PDF资料,HY5S5B6GLFP-SE经销商,ic,电子元器件-51电子网

基于4M的256Mbit移动SDR SDRAM的X 4Bank x16的I / O

对特定网络阳离子

256M （ 16Mx16bit ）移动SDRAM

存储单元阵列

- 组织为4,194,304 X16 4banks

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士不承担任何责任

使用电路的说明。没有专利许可。

1.0版/ 2006年4月

的256Mbit （ 16Mx16bit ）移动SDR记忆

HY5S5B6GLF （ P） -xe系列

文档标题

4Bank X 4M X 16位同步DRAM

修订历史

版本号

0.1

最初的草案

1.改变

166MHz的IDD1 ： 60毫安--> 75毫安

133MHz的IDD1 ： 55毫安--> 65毫安

105MHz IDD1 ： 50毫安--> 55毫安

2.删除

CL2操作（页13 14）

1.发布

历史

草案日期

2006年2月

备注

初步

0.2

2006年3月

初步

1.0

2006年4月

最终科幻

1.0版/ 2006年4月

的256Mbit （ 16Mx16bit ）移动SDR记忆

HY5S5B6GLF （ P） -xe系列

描述

的力士HY5S5B6GLF （P）的适合的量使用电池，如PDA， 2.5G和3G蜂窝非PC应用

手机与互联网连接和多媒体功能，迷你笔记本电脑，掌上电脑。

海力士256M移动SDRAM是268435456位CMOS移动同步DRAM （移动SDR ），非常适用于

主存储器的应用程序，需要大的存储密度和高带宽。它是作为对4banks

4,194,304x16.

移动SDRAM是工作于同步地输入时钟类型的DRAM 。海力士移动SDRAM锁

与同步于一个基本的输入时钟（CLK）和输入的上升沿每个控制信号/输出数据

输入时钟（CLK）。的地址线上的复用x16的输入复用的数据输入/输出信号/

输出总线。所有的命令被锁存同步于CLK的上升沿。

移动SDRAM芯片提供了可编程的读出或写入可编程的突发长度突发长度： 1 ， 2 ， 4 ， 8

位置或整页。一种自动预充电功能可被使能，以提供一个自定时行预充电该已以启动

tiated处的突发存取的结束。的移动SDRAM采用内部流水线结构来实现高速

操作。此架构是compartible与

预取架构的规则，但它也允许列

地址可以在每个时钟周期改变，实现了高速的，完全的随机访问。预充电，而一家银行

访问其他三个银行之一将隐藏预充电周期，并提供无缝的，高速的， randon-

访问操作。

读取和写入访问的海力士移动SDRAM的是突发式;

存取开始在一个选定的位置，并继续为在一个编程的顺序位置的设定数量。

访问开始以积极的命令，然后接着读或写命令的登记。

注册与激活指令的地址位用来选择银行，该行是

访问。注册暗合了读或写命令的地址位用来选择银行，

起始列位置的突发访问。突发读取或写入正在进行周期可以由被终止

突发终止命令，或者可以通过一个新的突发读取中断，更换或写命令在任何

周期（此流水线设计并不仅限于由

规则）。

海力士移动SDR还提供了特殊的可编程选项，包括全系列的部分阵列自刷新，

半阵， 40或85度的四分之一阵列温度补偿自刷新

海力士移动SDR具有自动TCSR （温度补偿自刷新），以特殊的低功耗功能

降低自刷新电流消耗。由于内部温度传感器被植入，它使得能够自动

根据温度，无需外部EMRS命令调整刷新率。

深度掉电模式是一种额外的工作模式的移动SDR 。这种模式可以实现最大功率

还原除去功率给每个移动SDR中的存储器阵列。通过使用此功能，该系统可切

关闭alomost所有的DRAM电源无需添加电源开关的成本，放弃母板上电源线布局

灵活性。

所有的输入都是LV- CMOS兼容。设备将有一个V

和V

DDQ

1.8V的电源（标称值）。

1.0版/ 2006年4月

的256Mbit （ 16Mx16bit ）移动SDR记忆

HY5S5B6GLF （ P） -xe系列

特点

●

标准SDRAM协议

时钟同步操作

- 所有命令的基本输入时钟的上升沿注册（ CLK ）

●

多银行操作 - 内部4bank操作

- 在突发读写操作，突发读取或写入一个不同的银行进行。

- 在突发读写操作，不同的银行被激活，突发读取或写入

该银行执行

- 在自动预充电突发读取或写入，突发读取或写入一个不同的银行进行

●

电源电压： V

= 1.8V, V

DDQ

= 1.8V

LVCMOS兼容的I / O接口

低电压接口，以减少I / O电源

可编程的突发长度：1， 2 ，4，8或整页

可编程突发类型：顺序或交织

3个可编程CAS延时

可编程驱动强度

低功耗特性

- 可编程PASR （部分阵列自刷新）

- 自动TCSR （温度补偿自刷新）

- 可编程的DS （驱动力）

- 深度掉电模式

-25

C ~ 85

工作温度

- 扩展级温度。： -25

~ 85

●

封装类型： 54ball ， 0.8mm节距FBGA （无铅，铅）， 8× 10毫米

] ， T = 0.1毫米

最大

HY5S5B6GLFP ：无铅

HY5S5B6GLF ：引线

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的256Mbit （ 16Mx16bit ）移动SDR记忆

HY5S5B6GLF （ P） -xe系列

256Mb的移动SDR SDRAM订购信息

产品型号

HY5S5B6GLF-6

HY5S5B6GLF-H

HY5S5B6GLF-S

HY5S5B6GLFP-6

HY5S5B6GLFP-H

HY5S5B6GLFP-S

HY5S5B6GLF-6E

HY5S5B6GLF-HE

HY5S5B6GLF-SE

HY5S5B6GLFP-6E

HY5S5B6GLFP-HE

HY5S5B6GLFP-SE

时钟频率

昆西

166MHz

133MHz

105MHz

166MHz

133MHz

105MHz

166MHz

133MHz

105MHz

166MHz

133MHz

105MHz

CAS

手术

组织界面

潜伏期

温度

扩展级温度

(-25

~ 85

无铅

4banks X 4Mb的X

LVCMOS

含铅

温度

~ 70

(-0

无铅

含铅

54Ball

FBGA

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