数据手册，版本1.0 ， 2004年3月

HYS72D32300GBR–[5/6]–C

HYS72D64300GBR–[5/6]–C

HYS72D64320GBR–[5/6]–C

HYS72D128320GBR–6–C

184引脚均录得双数据速率SDRAM模块

注册DIMM

DDR SDRAM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

版2004-03

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司2004年。

版权所有。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅（ www.Infineon.com ） 。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障

生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

数据手册，版本1.0 ， 2004年3月

HYS72D32300GBR–[5/6]–C

HYS72D64300GBR–[5/6]–C

HYS72D64320GBR–[5/6]–C

HYS72D128320GBR–6–C

184引脚均录得双数据速率SDRAM模块

注册DIMM

DDR SDRAM

存储器产品

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

HYS72D32300GBR- [ 5/6 ] -C HYS72D64300GBR- [ 5/6 ] -C HYS72D64320GBR- [ 5/6 ] -C HYS72D128320GBR-

6 CHYS72D64300GBR- [ 5/6 ] -C HYS72D64320GBR- [ 5/6 ] -C

修订历史：

以前的版本：

页面

20,21

8,22

24,27

1.0版

修订版0.5

2004-03

科目（自上次调整的重大变化）

I

dd

更新后的值

编辑修改

更改SPD代码字节99 - 127 FF

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HYS72D[128/64/32][300/320]GBR–[5/6]–C

录得双数据速率SDRAM

目录

1

1.1

1.2

2

3

3.1

4

4.1

5

6

7

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 6

特色： 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

说明。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 6

引脚配置

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8

电气特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

工作条件。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 17

目前的规格和条件

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 19

交流特性。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 22

SPD内容

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

包装纲要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 30

应用说明

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

数据表

5

1.0版， 2004-03

2007年3月

HYS72D32300[G/H]BR–[5/6/7]–C

HYS72D64300[G/H]BR–[5/6/7]–C

HYS72D64320[G/H]BR–[5/6]–C

HYS72D128320[G/H]BR–[6/7]–C

184引脚均录得双数据速率SDRAM模块

注册DIMM

DDR SDRAM

互联网数据表

修订版1.32

互联网数据表

HYS72D[128/64/32]3xx[G/H]BR–[5/6/7]–C

录得双数据速率SDRAM

HYS72D32300 [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -C ， HYS72D64300 [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -C ， HYS72D64320 [G / H] BR- [ 5/6 ] - C，

HYS72D128320[G/H]BR–[6/7]–C

修订历史：牧师1.32 ， 2007-03

页面

所有

6

所有

科目（自上次调整的重大变化）

改编网络版

表更新

更新奇梦达

以前的版本：版本1.31 ， 2006-09

以前的版本：版本1.3 ， 2005-11

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03292006-Q22P-G7TH

2

互联网数据表

HYS72D[128/64/32]3xx[G/H]BR–[5/6/7]–C

录得双数据速率SDRAM

1

概观

本章介绍了184针录得双数据速率DDR2 SDRAM模块带奇偶校验位产品概述

家人和描述它的主要特点。

1.1

特点

自动刷新（ CBR）和自刷新

所有输入和输出SSTL_2兼容

重新驱动器使用的寄存器和PLL所有的输入信号

设备。

串行存在检测为E

2

舞会

薄型模块外形尺寸： 133.35毫米

×

28.58 mm

×

4.00毫米/ 2.64毫米和1GB 133.35毫米

×

30.48 mm

(1.2”)× 4.00 mm

一个排名256 MB JEDEC标准参考设计，

512 MB和两个队伍512 MB ， 1 GB ：PC 2700和

PC 3200已注册的DIMM原卡A， B，C ，D

镀金触点

184引脚注册的8字节双列直插式DDR SDRAM

模块“1U ”PC ，工作站和服务器主内存

应用

一个等级32M

×

72和64M

×

72和两个队伍64M

×

72

和128M

×

72组织

JEDEC标准的双数据速率同步DRAM

（ DDR SDRAM ），用一个单一的+ 2.5 V （ ± 0.2 V）电源

电源和+ 2.6 V （ ± 0.1 V）电源供电DDR400

内置有256兆的DDR SDRAM中的P - TFBGA - 60-1

套餐

可编程CAS延迟，突发长度和换行

顺序（顺序&交错）

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟

频率

部件

模块

@CL3

@CL2.5

@CL2

-5

DDR400B

PC3200-3033

–6

DDR333B

PC2700–2533

166

166

133

-7

DDR266A

PC2100-2033

—

143

133

单位

—

—

兆赫

兆赫

兆赫

f

CK3

f

CK2.5

f

CK2

200

166

133

1.2

描述

设备和PLL的时钟分配。这将减少

电容性负载到系统总线，但增加了一个周期来

SDRAM的时序。各种去耦电容是

安装在PC板上。该功能的DIMM串行

出现检测基于串行é

2

使用PROM设备

2针I

2

C协议。前128字节被编程

配置数据和第二128字节可用来

客户。

该HYS72D [ 128/64/32 ] 3XX [G / H] BR- [ 5/6/7 ] -C和

HYS72D64320GBR - 5 -C是低轮廓的版本

标准注册的DIMM模块，适用于1U服务器

应用程序。低调DIMM版本可作为

32M

×

72 （ 256 MB ） ， 64M

×

72 （ 512 MB ） ， 128M

×

72 （ 1 GB ）

存储器阵列的设计是双倍数据速率

同步DRAM的ECC应用。所有的控制和

DIMM使用寄存器上的地址信号被重新驱动

牧师1.32 ， 2007-03

03292006-Q22P-G7TH

3

互联网数据表

HYS72D[128/64/32]3xx[G/H]BR–[5/6/7]–C

录得双数据速率SDRAM

表2

对含铅产品订货信息

产品类型

PC3200 （ CL = 3.0 ）

HYS72D32300GBR–5–C

HYS72D64300GBR–5–C

HYS72D64320GBR–5–C

PC2700 （CL = 2.5）

HYS72D32300GBR–6–C

HYS72D64300GBR–6–C

HYS72D64320GBR–6–C

HYS72D128320GBR–6–C

PC2100 （CL = 2.0）

HYS72D32300GBR–7–C

HYS72D64300GBR–7–C

HYS72D128320GBR–7–C

PC2100R–20330–A0

PC2100R–20330–C0

PC2100R–20330–D0

1排名256 MB注册的DIMM ECC

1排名512 MB注册的DIMM ECC

2级1 GB的注册DIMM ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ ×4）的

PC2700R–25330–A0

PC2700R–25330–C0

PC2700R–25330–B0

PC2700R–25330–D0

1排名256 MB注册的DIMM ECC

1排名512 MB注册的DIMM ECC

2点512 MB注册的DIMM ECC

2级1 GB的注册DIMM ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

PC3200R–30330–A0

PC3200R–30330–C0

PC3200R–30330–B0

1排名256 MB注册的DIMM ECC

1排名512 MB注册的DIMM ECC

2点512 MB注册的DIMM ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ × 8 ）

合规守则

描述

SDRAM

技术

牧师1.32 ， 2007-03

03292006-Q22P-G7TH

4

互联网数据表

HYS72D[128/64/32]3xx[G/H]BR–[5/6/7]–C

录得双数据速率SDRAM

表3

订购信息无铅（符合RoHS ）产品

产品类型

1)

PC3200 （ CL = 3.0 ）

HYS72D32300HBR–5–C

HYS72D64300HBR–5–C

HYS72D64320HBR–5–C

PC2700 （CL = 2.5）

HYS72D32300HBR–6–C

HYS72D64300HBR–6–C

HYS72D64320HBR–6–C

PC2100 （CL = 2.0）

HYS72D32300HBR–7–C

HYS72D64300HBR–7–C

PC2100R–20330–A0

PC2100R–20330–C0

1排名256 MB注册的DIMM ECC

1排名512 MB注册的DIMM ECC

2级1 GB的注册DIMM ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ ×4）的

PC2700R–25330–A0

PC2700R–25330–C0

PC2700R–25330–B0

1排名256 MB注册的DIMM ECC

1排名512 MB注册的DIMM ECC

2级1 GB的注册DIMM ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

256兆位（ ×4）的

PC3200R–30330–A0

PC3200R–30330–C0

PC3200R–30330–B0

1排名256 MB注册的DIMM ECC

1排名512 MB注册的DIMM ECC

256兆位（ × 8 ）

256兆位（ ×4）的

合规守则

2)

描述

SDRAM

技术

记

3)

2点512 MB注册的DIMM ECC 256兆位（ × 8 ）

2点512 MB注册的DIMM ECC 256兆位（ × 8 ）

HYS72D128320HBR - 6 -C PC2700R - 25330 -D0

HYS72D128320HBR - 7 -C PC2100R - 20330 -D0

1 ）所有的产品类型与结束的地方代码指定的硅芯片版本。可应要求提供参考信息。

例如： HYS72D128300GBR -5 -B中，指示Rev.B的模具被用于SDRAM的组件。

2）符合代码打印在所述模块的标签和描述了速度的排序（例如，“ PC2100R ” ），则等待时间（例如

“ 20330 ”是指中国科学院2.0时钟延迟，行，列延时（ RCD ）的3个时钟周期的延迟和行的3个时钟预充电延迟） ， JEDEC

SPD定义代码版本0和原卡用于此模块。

3 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.32 ， 2007-03

03292006-Q22P-G7TH

5