HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
典型应用
该HMC487LP5 / HMC487LP5E是理想的,用作
动力扩增fi er为:
点至点收音机
点到多点收音机
特点
饱和功率: +33 dBm的@ 20 % PAE
输出IP3 : +36 dBm的
增益: 20分贝
+ 7V @ 1300毫安供应
50欧姆匹配输入/输出
25 mm
2
无铅SMT封装
11
线性&功率放大器 - SMT
测试设备和传感器
军事最终用途
工作原理图
概述
该HMC487LP5 & HMC487LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC 2瓦功率放大器
住在无铅5 ×5 mm表面贴装封装。
从9日至12 GHz的运行时,放大器提供
20分贝增益,饱和功率,20%的33 dBm的
PAE由+ 7V电源电压。输出IP3为+36 dBm的
典型的。该RF I / O是DC封锁和匹配
50欧姆的易用性。该HMC487LP5 ( E)
省去了引线键合,从而允许使用
表面贴装的制造技术。
电气电源规格,
T
A
= + 25 ° C, VDD1 , 2 , 3 , 4 , 5 = + 7V ,国际长途= 1300毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD) ( VDD = + 7V , VGG = -0.3V典型值)。
29
17
分钟。
典型值。
9 - 11
20
0.05
7
7
32
33
36
9
1300
28
0.07
19
马克斯。
分钟。
典型值。
11 - 12
22
0.05
15
15
31
32
35
8
1300
0.07
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 1300毫安典型。
11 - 270
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
宽带增益和回波损耗
25
增益与温度
30
25
20
增益(dB )
15
10
+25 C
+85 C
-40 C
15
响应( dB)的
S21
S11
S22
5
-5
11
12
13
-15
5
0
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
8
9
10
11
频率(GHz )
频率(GHz )
-25
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
-5
-10
-10
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-15
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-25
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
-20
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
36
34
32
30
28
26
24
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
36
34
32
30
28
26
24
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
P1dB的( DBM)
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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PSAT ( DBM)
11 - 271
线性&功率放大器 - SMT
HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
输出IP3与温度的关系
42
38
34
IP3 ( dBm的)
30
26
22
18
14
+25 C
+85 C
-40 C
功率压缩@ 10.5 GHz的
36
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
30
24
18
12
6
0
-10
噘
收益
PAE
11
线性&功率放大器 - SMT
10
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
-6
-2
2
6
10
14
18
输入功率(dBm )
增益功率和OIP3
与电源电压@ 10.5 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
6.5
7
VDD供电电压(VDC )
7.5
收益
P1dB
PSAT
IP3
增益,功率和OIP3
与电源电流@ 10.5 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , IP3 ( dBm的)
42
38
34
30
26
22
18
800
收益
P1dB
PSAT
IP3
900
1000
1100
1200
1300
IDD电源电流(mA )
噪声系数与温度
15
反向隔离与温度的关系
0
-10
12
噪声系数(dB )
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
3
+25 C
+85 C
-40 C
9
+25 C
+85 C
-40 C
6
-60
-70
0
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
8
9
10
11
12
13
频率(GHz )
11 - 272
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
IDD (MA )
1330
1300
1285
+6.5
+7.0
功耗*
11
功耗( W)
10
9
8
7
6
5
-10 -8
11 GHz的
最大PDISS @ + 85℃
+7.5
注:功率放大器ER将工作在显示全电压范围
以上。 VGG调整,以达到电流IDD = 1300毫安为+ 7.0V 。
绝对最大额定值
漏偏置电压( VDD1 ,2,3 ,4,5 )
栅极偏置电压( VGG )
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12 14
16
11
线性&功率放大器 - SMT
11 - 273
8伏
-2.0到0伏
+20 dBm的
150 °C
10 W
6.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免154毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道地面桨)
输入功率(dBm )
*请参阅“用于表面贴装热管理
组件“应用笔记于此。
静电敏感器件
观察处理注意事项
储存温度
工作温度
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC487LP5
HMC487LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H487
XXXX
H487
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
引脚说明
引脚数
1 - 3, 5 - 8, 10 - 12,
14, 15, 17 - 20, 22 -
24, 26, 27, 29 - 31
4
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地,而不会影响性能。
该引脚交流耦合和
匹配到50欧姆。
接口示意图
RFIN
11
9
VGG
线性&功率放大器 - SMT
门控制放大器。调整实现独立同1300毫安。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器和
2.2
μ
F被需要。
21
RFOUT
该引脚交流耦合和
匹配到50欧姆。
32, 28, 25,
13, 16
VDD1 , VDD2 ,
VDD3 , VDD4 ,
Vdd5
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2电容器
μ
F被需要。
GND
地面:背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地,通过一个短的路径。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
价值
100 pF的
2.2 μF
11 - 274
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
5
放大器 - SMT
典型应用
该HMC487LP5 / HMC487LP5E是理想的,用作
动力扩增fi er为:
点至点收音机
点到多点收音机
测试设备和传感器
军事最终用途
特点
饱和功率: +33 dBm的@ 20 % PAE
+36 dBm的输出IP3
20分贝GAIN
7.0 V @ 1300毫安供应
50欧姆匹配输入/输出
25 mm
2
无铅SMT封装
工作原理图
概述
该HMC487LP5 & HMC487LP5E是高动态
范围的GaAs PHEMT MMIC 2瓦功率放大器
住在无铅5 ×5 mm表面贴装封装。
从9日至12 GHz的运行时,放大器提供20
dB的增益,饱和功率+33 dBm的20 % PAE
从7.0 V电源电压。输出IP3为+36 dBm的
典型的。该RF I / O是DC封锁和匹配
50欧姆的易用性。该HMC487LP5 &
HMC487LP5E省去了引线键合
允许使用的表面贴装生产
技术。
电气连接特定的阳离子,
T
A
= + 25 ° C, VDD1 , 2 , 3 , 4 , 5 = + 7V ,国际长途= 1300毫安*
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
为1 dB压缩输出功率( P1dB为)
饱和输出功率( PSAT )
输出三阶截取点( IP3 )
噪声系数
电源电流( IDD) ( VDD = + 7V , VGG = -0.3V典型值)。
29
17
分钟。
典型值。
9 - 11
20
0.05
7
7
32
33
36
9
1300
28
0.07
19
马克斯。
分钟。
典型值。
11 - 12
22
0.05
15
15
31
32
35
8
1300
0.07
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
*调整VGG -2之间为0V ,实现电流IDD = 1300毫安典型。
5 - 486
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
宽带增益和回波损耗
25
20
15
响应( dB)的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
-25
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
频率(GHz )
S21
S11
S22
增益与温度
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
8
8.5
9
9.5
10
10.5
5
放大器 - SMT
5 - 487
增益(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
-5
回波损耗(分贝)
回波损耗(分贝)
-5
-10
-10
-15
+25 C
+85 C
-40 C
-15
-20
+25 C
+85 C
-40 C
-25
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
-20
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
P1dB为与温度的关系
36
35
34
33
P1dB的( DBM)
31
30
29
28
27
26
25
24
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
PSAT与温度的关系
36
35
34
33
PSAT ( DBM)
32
31
30
29
28
27
26
25
24
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
32
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
5
放大器 - SMT
输出IP3与温度的关系
42
38
34
OIP3 ( dBm的)
30
26
22
18
14
10
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
+25 C
+85 C
-40 C
电源Compresion @ 10.5 GHz的
34
32
30
28
26
24
22
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-10 -8
POUT (DBM ) ,增益(dB ) , PAE ( % )
噘
收益
PAE
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10 12 14 16 18
输入功率(dBm )
增益功率和OIP3
与电源电压@ 10.5 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , OIP3 ( dBm的)
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
6.5
7
VDD供电电压(VDC )
7.5
收益
P1dB
PSAT
OIP3
增益,功率和OIP3
与电源电流@ 10.5 GHz的
增益(dB) ,的P1dB ( dBm的) ,PSA ( dBm的) , OIP3 ( dBm的)
42
40
38
36
34
32
30
28
26
24
22
20
18
800
900
1000
1100
1200
1300
收益
P1dB
PSAT
OIP3
IDD电源电流(mA )
噪声系数与温度
15
14
13
12
11
10
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
8
8.5
9
9.5
10
10.5
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度(dB )
-20
-30
-40
-50
噪声系数(dB )
+25 C
+85 C
-40 C
+25 C
+85 C
-40 C
-60
-70
11
11.5
12
12.5
13
8
8.5
9
9.5
10
10.5
11
11.5
12
12.5
13
频率(GHz )
频率(GHz )
5 - 488
对于价格,交货,并下订单,请与赫梯Microwave公司:
20阿尔法路,切姆斯福德,MA 01824电话: 978-250-3343传真: 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
典型电源电流与Vdd的
VDD (VDC )
IDD (MA )
1330
1300
1285
+6.5
+7.0
+7.5
功耗*
10.5
10
功耗( W)
9.5
9
8.5
8
7.5
7
6.5
6
5.5
5
-10 -8
-6
-4
-2
0
2
4
6
8
10
12 14
16
11 GHz的
最大PDISS @ + 85℃
5
放大器 - SMT
5 - 489
注:放大器将工作在显示全电压范围
以上。 VGG调整,以达到电流IDD = 1300毫安为+ 7.0V 。
绝对最大额定值
漏偏置电压( VDD1 ,2,3 ,4,5 )
栅极偏置电压( VGG )
RF输入功率( RFIN ) ( VDD = 7.0 V直流)
通道温度
连续PDISS (T = 85°C )
(减免154毫瓦/ ° C以上85°C )
热阻
(信道地面桨)
8伏
-2.0到0伏
+20 dBm的
150 °C
10 W
6.5 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
输入功率(dBm )
*请参阅“用于表面贴装热管理
组件“应用笔记于此。
静电敏感器件
观察处理注意事项
储存温度
工作温度
外形绘图
注意事项:
1.引线框架材料:铜合金
2.尺寸单位:英寸[毫米]为
3.引线间距有容乃非累积。
4. PAD BURR长度应0.15毫米最大。
PAD毛刺高度应0.05毫米最大。
五,包装WARP不得超过0.05毫米。
6.所有接地引线和接地焊盘必须
焊接到PCB RF地面。
7.参见HITTITE应用说明中建议
焊盘图形。
包装信息
产品型号
HMC487LP5
HMC487LP5E
包主体材料
低应力注塑成型塑料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
锡/铅焊料
100 %雾锡
MSL等级
MSL1
MSL1
[1]
包装标志
[3]
H487
XXXX
H487
XXXX
[2]
[1 ]最大峰值回流焊235 ° C的温度
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
[ 3 ] 4位数的批号XXXX
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HMC487LP5
/
487LP5E
v01.0705
表面贴装PHEMT 2瓦电源
功放, 9 - 12 GHz的
5
放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1-3, 5-8, 10-12, 14,
15, 17-20, 22-24,
26, 27, 29-31
4
功能
N / C
描述
无需连接。这些引脚可以连接到
射频/直流接地,而不会影响性能。
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
9 - 12 GHz的。
接口示意图
RFIN
9
VGG
门控制放大器。调整实现独立同1300毫安。
请遵守“ MMIC放大器偏置程序”
应用笔记。 100 pF的外部旁路电容器和
2.2
μ
F被需要。
21
RFOUT
该引脚交流耦合和匹配50欧姆
9 - 12 GHz的。
32, 28, 25,
13, 16
VDD1 , VDD2 ,
VDD3 , VDD4 ,
Vdd5
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和2.2电容器
μ
F被需要。
GND
地面:背面包已暴露的金属接地
塞必须连接到地,通过一个短的路径。
该设备在过孔都需要
应用电路
部件
C1
C2
价值
100 pF的
2.2 μF
5 - 490
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