HYS 64 / 72V64220GU
SDRAM模块
3.3 V 64M ×64 /72- BIT， 512MByte SDRAM模块
168针无缓冲DIMM模块
168针无缓冲的8字节双列直插式
SDRAM模块用于PC的主存储器
使用的256Mbit技术的应用。
PC100-222 ， PC133-333 & PC133-222
版本
两个银行64M
×
64和64M
×
72
组织
优化字节写非奇偶校验和ECC
应用
JEDEC标准同步DRAM
（SDRAM）的
编程潜伏期：
产品速度
-7
-7.5
-8
PC133
PC133
PC100
CL
2
3
2
t
RCD
t
RP
单+ 3.3 V （
±
0.3 V ）电源
可编程CAS延迟，突发长度，
和包裹序列（序列&
交错）
自动刷新（ CBR）和自刷新
安装在基板去耦电容
所有输入和输出都是LVTTL兼容
串行存在检测为E
2
舞会
采用英飞凌256兆SDRAM组件
在32M
×
8组织TSOPII -54
套餐
完全的PC板布局兼容INTEL的
1.0版模块规格
金触点垫，卡片尺寸：
133.35 mm
×
31.75 mm
×
4.00 mm
（ JEDEC MO- 161 -BA ）
2
3
2
2
3
2
SDRAM性能：
-7
PC133
f
CK
t
AC
-7.5
PC133
133
5.4
-8
PC100
100
6
单位
兆赫
ns
时钟频率（最大）
时钟存取时间
133
5.4
描述
的HYS 64V64220GU和HYS 72V64220GU是工业标准168针8字节的双列直插式
内存模块（DIMM ），该组织为64M
×
64和64M
×
两个72银行高速
存储器阵列的设计与256M同步DRAM（SDRAM ），用于非奇偶校验和ECC
应用程序。在DIMM使用“ -7 ”的速度来分类的256兆位同步DRAM（SDRAM ），以满足
在PC133-222要求， “ -7.5 ”的PC133-333和“-8”组件PC100-222
应用程序。去耦电容器被安装在PC板上。 PC板设计
根据Intel的模块规格。该DIMM是串行存在检测，实施
带有串行é
2
使用PROM的2针I
2
C协议。第128个字节被使用的DIMM
制造商和第二128字节是提供给最终用户。所有英飞凌168针的DIMM
提供一种高性能的，灵活的8字节的接口在一个133.35毫米长足迹，用1.25“
（ 31.75毫米）的高度。
在网络连接霓虹灯技术
1
9.01
HYS 64 / 72V64220GU
SDRAM模块
订购信息
TYPE
HYS 64V64220GU -7 -D-
HYS 72V64220GU -7 -D-
CODE
包
说明
模块
高度
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
1.25“
PC133-222-520 L- DIM - 168-30 64M PC133
×
64 2银行
SDRAM模块
PC133-222-520 L- DIM - 168-30 64M PC133
×
72 2银行
SDRAM模块
HYS 64V64220GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-30 64M PC133
×
64 2银行
HYS 64V64220GU - 7.5 -D
SDRAM模块
HYS 72V64220GU - 7.5 -C2 PC133-333-520 L- DIM - 168-30 64M PC133
×
72 2银行
SDRAM模块
HYS 72V64220GU - 7.5 -D
HYS 64V64220GU -8 -C2
HYS 72V64220GU -8 -C2
PC100-222-620 L- DIM - 168-30 64M PC100
×
64 2银行
SDRAM模块
PC100-222-620 L- DIM - 168-30 64M PC100
×
72 2银行
SDRAM模块
注：所有部件号结束与一个地方的代码，指定的模具修改。为向厂家咨询
当前版本。例如： HYS 64V64220GU -8 -C2 ，表示Rev.C2模具被用于
SDRAM组件。
艾姆斯在paranthese是用于X72的ECC版本;例如：引脚106 = （ CB5 ）
引脚定义和功能
A0 - A12
BA0 ， BA1
CB0 - CB7
RAS
CAS
WE
地址输入
银行选择
CLK0 - CLK3
CS0 - CS3
时钟输入
芯片选择
电源（ + 3.3V）
地
时钟设备检测
串行数据输出为
设备检测
无连接
DQMB0 - DQMB7数据面膜
DQ0 - DQ63数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
校验位（ X72组织只）
V
DD
V
SS
SCL
SDA
北卡罗来纳州/杜
CKE0 ， CKE1时钟使能
地址格式
产品型号
行列
10
BANK SELECT
2
刷新周期间隔
8k
64毫秒
7.8
s
64M
×
64/72 HYS64 / 72V64220GU 13
在网络连接霓虹灯技术
2
9.01
HYS 64 / 72V64220GU
SDRAM模块
引脚配置
PIN ＃符号
针＃
符号
针＃
符号
V
SS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
V
DD
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
V
SS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
V
DD
DQ46
DQ47
北卡罗来纳州（ CB4 ）
北卡罗来纳州（ CB5 ）
V
SS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DD
CAS
DQMB4
DQMB5
CS1
RAS
V
SS
A1
A3
A5
A7
A9
BA0
A11
V
DD
CLK1
A12
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
V
SS
CKE0
CS3
DQMB6
DQMB7
北卡罗来纳州
V
DD
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CB6
CB7
V
SS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
V
DD
DQ52
北卡罗来纳州
DU
北卡罗来纳州
V
SS
DQ53
DQ54
DQ55
V
SS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
V
DD
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
V
SS
CLK3
北卡罗来纳州
SA0
SA1
SA2
V
DD
1
V
SS
43
V
SS
85
2
DQ0
44
DU
86
87
3
DQ1
45
CS2
4
DQ2
46
DQMB2
88
5
DQ3
47
DQMB3
89
48
DU
90
6
V
DD
91
7
DQ4
49
V
DD
8
DQ5
50
北卡罗来纳州
92
9
DQ6
51
北卡罗来纳州
93
10
DQ7
52
北卡罗来纳州（ CB2 ）
94
11
DQ8
53
北卡罗来纳州（ CB3 ）
95
54
V
SS
96
12
V
SS
13
DQ9
55
DQ16
97
14
DQ10
56
DQ17
98
15
DQ11
57
DQ18
99
16
DQ12
58
DQ19
100
101
17
DQ13
59
V
DD
18
V
DD
60
DQ20
102
19
DQ14
61
北卡罗来纳州
103
20
DQ15
62
DU
104
21
北卡罗来纳州（ CB0 ）
63
CKE1
105
106
22
北卡罗来纳州（ CB1 ）
64
V
SS
23
V
SS
65
DQ21
107
24
北卡罗来纳州
66
DQ22
108
25
北卡罗来纳州
67
DQ23
109
68
V
SS
110
26
V
DD
27
WE
69
DQ24
111
28
DQMB0
70
DQ25
112
29
DQMB1
71
DQ26
113
72
DQ27
114
30
CS0
115
31
DU
73
V
DD
32
V
SS
74
DQ28
116
33
A0
75
DQ29
117
34
A2
76
DQ30
118
35
A4
77
DQ31
119
120
36
A6
78
V
SS
37
A8
79
CLK2
121
38
A10
80
北卡罗来纳州
122
39
BA1
81
WP
123
82
SDA
124
40
V
DD
83
SCL
125
41
V
DD
126
42
CLK0
84
V
DD
注：在parenthses引脚名称为X72 ECC版本
在网络连接霓虹灯技术
3
9.01
HYS 64 / 72V64220GU
SDRAM模块
CS1
CS0
DQMB0
DQ （ 7 ： 0 ）
CS
DQM
DQ0-DQ7
D0
CS
DQM
DQ0-DQ7
D1
CS
DQM
DQ0-DQ7
D16
CS
DQM
DQ0-DQ7
D8
CS
DQM
DQ0-DQ7
D9
CS
DQM
DQ0-DQ7
D17
DQMB4
DQ （ 39:32 ）
CS
DQM
DQ0-DQ7
D4
CS
DQM
DQ0-DQ7
D5
CS
DQM
DQ0-DQ7
D12
CS
DQM
DQ0-DQ7
D13
DQMB1
DQ （ 15 ： 8 ）
DQMB5
DQ （ 47:40 ）
CB（ 7：0 ）
CS3
CS2
DQMB2
DQ （ 23:16 ）
CS
DQM
DQ0-DQ7
D2
CS
DQM
DQ0-DQ7
D3
CS
DQM
DQ0-DQ7
D10
CS
DQM
DQ0-DQ7
D11
DQMB6
DQ （ 55:48 ）
CS
DQM
DQ0-DQ7
D6
CS
DQM
DQ0-DQ7
D7
2
CS
DQM
DQ0-DQ7
D14
CS
DQM
DQ0-DQ7
D15
DQMB3
DQ （ 31:24 ）
DQMB7
DQ （ 63:56 ）
A0 - A12 ， BA0 ， BA1
V
DD
C
V
SS
RAS ， CAS ， WE
CKE0
V
DD
D0-D15, (D16, D17)
D0-D15, (D16, D17)
D0-D15, (D16, D17)
D0-D15, (D16, D17)
D0-D7, (D16)
PROM （ 256字×8位）
SA0
SA1
SA2
SCL
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
WP
47 k
时钟布线
32 ×64
CLK0
CLK1
CLK2
CLK3
4 SDRAM +
4 SDRAM +
4 SDRAM +
4 SDRAM +
3.3 pF的
3.3 pF的
3.3 pF的
3.3 pF的
32 X 72
5 SDRAM
5 SDRAM
4 SDRAM + 3.3 pF的
4 SDRAM + 3.3 pF的
10 k
CKE1
D9-D15, (D17)
注： D16 & D17仅用于在X72 ECC的版本和所有的电阻值是10
除非另有说明。
BL012
框图： 64M X 64/72两张银行SDRAM DIMM模块
在网络连接霓虹灯技术
4
9.01
HYS 64 / 72V64220GU
SDRAM模块
绝对最大额定值
参数
符号
分钟。
输入/输出相对于V电压
SS
在V电源电压
DD
存储温度范围
每SDRAM组件的功耗
数据输出电流（短路）
V
IN，
V
OUT
V
DD
T
英镑
P
D
I
OS
– 1.0
– 1.0
-55
–
–
限值
马克斯。
4.6
4.6
+150
1
50
V
V
o
单位
C
W
mA
如果“绝对最大额定值”超出可能会造成永久性损坏设备。
功能操作应限制在推荐的工作条件。
暴露于超过推荐的电压高的时间会影响器件的可靠性长时间
DC特性
T
A
= 0至70
°
C;
V
SS
= 0 V;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 4.0毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.0 mA）的
输入漏电流，任何输入
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 3.6 V ，其他所有输入= 0 V）
输出漏电流
（ DQ被禁用， 0 V＆ LT ;
V
OUT
＆ LT ;
V
DD
)
电容
T
A
= 0至70
°
C;
V
DD
= 3.3 V
±
0.3 V,
f
= 1兆赫
参数
符号
限值
马克斯。
64M
×
64
输入电容
(
A0到A11 ， BA0 ， BA1 ， RAS ， CAS ， WE）
输入电容（ CS0 - CS3 ）
输入电容（ CLK0 - CLK3 ）
输入电容（ CKE0 ， CKE1 ）
输入电容（ DQMB0 - DQMB7 ）
输入/输出电容（ DQ0 - DQ63 ， CB0 - CB7 ）
输入电容（ SCL ， SA0-2 ）
输入/输出电容
在网络连接霓虹灯技术
5
马克斯。
64M
×
72
144
40
43
72
25
17
8
8
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
9.01
单位
符号
分钟。
限值
马克斯。
2.0
– 0.5
2.4
–
– 40
– 40
单位
V
V
V
V
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
V
DD
+ 0.3
0.8
–
0.4
40
40
A
A
C
I1
C
I2
C
ICL
C
I3
C
I4
C
IO
C
SC
C
SD
105
32
40
65
20
17
8
8
QQ：2880707522 复制
