HY62SF16406C系列
256Kx16bit全CMOS SRAM
文档标题
256K X16位1.7 2.3V超低功率FCMOS慢速SRAM
修订历史
版本号
00
01
02
历史
最初的草案
改变的标志
改变ISB1值
草案日期
Dec.20.2000
Mar.23.2001
Jun.07.2001
备注
最终科幻
最终科幻
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
Rev.02 / Jun.01
海力士半导体
HY62SF16406C系列
描述
该HY62SF16406C是一种高速，超低价
电源和4Mbit的全CMOS SRAM作为组织
256K字由16位。该HY62SF16406C用途
高性能的全CMOS工艺技术
并且被设计用于高速，低功率
电路技术。它特别适合用于
高密度低功耗系统中的应用。
此装置具有的数据保留模式
保证数据保持在有效的最低
1.2V的电源电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池
- 。 1.2V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 48球UBGA
产品编号
电压
(V)
速度快（纳秒）
85
手术
电流/ ICC（毫安）
3
HY62SF16406C -I 1.7 2.3
注1.我：工业
2.电流值最大。
待机
电流（微安）
LL
SL
10
3
温度
(°C)
-40~85
引脚连接
1
2
/ OE
/ UB
3
A0
A3
4
A1
A4
A6
A7
A16
A15
A13
A10
5
A2
/CS1
IO2
IO4
IO5
IO6
6
CS2
IO1
添加输入
卜FF器
框图
ROW
解码器
SENSE AMP
A
B
C
D
E
F
G
H
/磅
IO9
I/O1
COLUMN
解码器
IO10 IO11 A5
VSS
VCC
IO12 A17
IO13 NC
IO3
VCC
VSS
IO7
A17
I/O8
数据I / O
卜FF器
PRE解码器
存储阵列
256K ×16
写入驱动器
I/O9
块
解码器
IO15 IO14 A14
IO16 NC
NC
A8
A12
A9
I/O16
/ WE IO8
A11
NC
FBGA
/CS1
CS2
/ OE
/磅
/ UB
/ WE
引脚说明
引脚名称
/ CS1，CS2
/ WE
/ OE
/磅
/ UB
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
低字节控制（ I / O1 I / O8 ）
高字节控制（ I / O9 I / O16 ）
引脚名称
I/O1~I/O16
A0~A17
VCC
VSS
NC
引脚功能
数据输入/输出
地址输入
功率（ 1.7 2.3V ）
地
无连接
Rev.02 / Jun.01
2
HY62SF16406C系列
订购信息
产品型号
HY62SF16406C-DM85I
HY62SF16406C-SM85I
速度
85
85
动力
LL-部分
SL-部分
温度
.
I
I
包
UBGA
UBGA
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
V
IN，
V
OUT
VCC
T
A
T
英镑
P
D
T
SOLDER
参数
输入/输出电压
电源
工作温度
储存温度
功耗
球焊接温度&时间
等级
-0.3 2.6
-0.3 3.6
-40到85
-55到150
1.0
260
10
单位
V
V
°C
°C
W
° C秒
备注
HY62SF16406C-I
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/CS1
H
X
X
L
L
CS2
X
L
X
H
H
/ WE
X
X
X
H
H
/ OE
X
X
X
H
L
/磅
X
X
H
L
X
L
H
L
L
H
L
/ UB
X
X
H
X
L
H
L
L
H
L
L
模式
取消
输出禁用
读
I / O引脚
I/O1~I/O8
I/O9~I/O16
高阻
高阻
D
OUT
高阻
D
OUT
D
IN
高阻
D
IN
高阻
高阻
高阻
D
OUT
D
OUT
高阻
D
IN
D
IN
动力
待机
活跃
活跃
L
H
L
X
写
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IL或
V
IH
)
2 / UB ， / LB （上，下字节使能）
这些低电平输入允许单个字节写入或读取。
当/ LB为低时，数据被写入或读出的低位字节，I / O 1 -I / O 8 。
当/ UB为低电平时，数据被写入或读取的高位字节， I / O 9 -I / O 16 。
Rev.02 / Jun.01
2
HY62SF16406C系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
1.7
0
1.4
-0.3
1.
典型值
1.8
0
-
-
马克斯。
2.3
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
注： 1。冲： VIL = -1.5V脉冲宽度小于30ns的
2.冲进行采样，而不是100 ％测试。
DC电气特性
T
A
= -40 ° C至85°C
符号
参数
I
LI
输入漏电流
I
LO
输出漏电流
测试条件
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
VSS < V
OUT
< Vcc时，
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
or
/
UB
=
V
IH ，
/ LB = V
IH
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH
,
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
/ CS1 = V
白细胞介素，
CS2 = V
IH
,
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
周期时间=最小，
100 ％的责任，我
I / O =
0mA
/ CS1 < 0.2V
,
CS2 > VCC- 0.2V ，
V
IN
< 0.2V或V
IN
> VCC- 0.2V
,
周期时间= 1us的，
100 ％的责任，我
I / O =
0mA
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
or
/ UB ， / LB = V
IH
V
IN
= V
IH
或V
IL
/ CS1 >为VCC - 0.2V或
SL
CS2 < VSS + 0.2V或
/ UB ， / LB >为VCC - 0.2V
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL
V
IN
< VSS + 0.2V
I
OL
= 0.1毫安
I
OH =
-0.1mA
民
-1
-1
典型值
1.
-
-
最大
1
1
单位
uA
uA
ICC
工作电源电流
3
20
mA
mA
I
CC1
平均工作电流
3
mA
I
SB
待机电流
（ TTL输入）
0.3
0.1
3
mA
uA
I
SB1
待机电流
（ CMOS输入）
0.1
-
1.6
-
-
10
0.2
-
uA
V
V
V
OL
V
OH
输出低
输出高
记
1.典型值是在Vcc = 1.8V牛逼
A
= 25°C
2.典型值不是100 ％测试
电容
（温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的）
符号
参数
C
IN
输入电容（添加， / CS1 ， CS2 ， / LB ， / UB ， / WE ， / OE ）
C
OUT
输出电容（ I / O）
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
8
10
单位
pF
pF
Rev.02 / Jun.01
3
HY62SF16406C系列
AC特性
T
A
= -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
#
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
符号
参数
85ns
分钟。
马克斯。
85
-
-
-
-
10
5
10
0
0
0
10
85
70
70
70
0
60
0
0
35
0
5
-
85
85
40
85
-
-
-
30
30
30
-
-
-
-
-
-
-
-
25
-
-
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
读周期
TRC
读周期时间
TAA
地址访问时间
TACS
芯片选择访问时间
TOE
输出使能到输出有效
TBA
/ LB ， / UB访问时间
TCLZ
片选到输出中低Z
TOLZ
输出使能到输出中低Z
tBLZ
/ LB ， / UB启用到输出中低Z
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
tBHZ
/ LB ， / UB禁用到输出中高Z
TOH
从地址变更输出保持
写周期
TWC
写周期时间
TCW
芯片的选择要写入的结束
TAW
地址有效到写结束
TBW
/ LB ， / UB有效到写结束
TAS
地址建立时间
TWP
把脉冲宽度
tWR的
写恢复时间
tWHZ
写在高Z输出
TDW
数据写入时间重叠
TDH
从时间写数据保持
拖车
输出写入结束活动
AC测试条件
T
A
= -40 ℃至85 ℃，除非另有说明
参数
输入脉冲电平
输入上升和下降时间
输入和输出时序参考电平
输出负载tCLZ ， TOLZ ， tBLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tBHZ ， tWHZ ，拖车
OTHERS
价值
0.4V至1.6V
5ns
0.9V
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
V
TM
=1.8V
4091欧姆
D
OUT
CL(1)
3273欧姆
注1：包括夹具和范围电容：
Rev.02 / Jun.01
4
QQ：2881677436 复制
