【2007年10月HYS64T32x00HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–BHYS64】,IC型号HYS64T128921HDL,HYS64T128921HDL PDF资料,HYS64T128921HDL经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年10月

HYS64T32x00HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

HYS64T64x20HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

HYS64T128x21HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

2 0 0丕北南商场 - utlined DDR 2 SDRAM， S，M， odules

DDR2 SDRAM

SO -DIMM SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.12

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

HYS64T32x00HDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS64T64x20HDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS64T128x21HDL-

[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

修订历史： 2007-10 ，牧师1.12

页面

6-11

所有

70, 71, 72

所有

科目（自上次调整的重大变化）

编辑上的修改和调整，以网络版

编辑修改

加入-25F产品类型;新增6Layer -3S和-3.7产品类型。

更新了封装外形图。

更新奇梦达

修改AC时序参数

上一个版本： 2006-10 ，牧师1.11

上一个版本： 2006-10 ，牧师1.10

上一个版本： 2005-09 ，牧师1.01

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qag_techdoc_rev411 / 3.31质量保证小组/ 2007-01-22

03292006-5LTN-QML0

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

概观

本章提供了200引脚小外形DDR2 SDRAM模组产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

自动刷新（ CBR）和自刷新

自动刷新的温度超过85°C

REFI

= 3.9

通过EMRS2设置可编程自刷新速率。

通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新。

通过EMRS2设置DCC实现。

所有输入和输出SSTL_1.8兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

舞会

SO- DIMM尺寸（标称）：30毫米高， 67.6毫米

WIDE

基于标准的参考布局原卡'A' ， 'C' ，

和“E”

符合RoHS标准的产品

200针PC2-6400 ， PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-3200

DDR2 SDRAM内存模块。

32M

64, 64M

64和128M

64模块

组织和32M

16, 64M

8片组织

内建512 - Mbit的256MB ， 512MB和1GB模块

DDR2 SDRAM芯片的P- TFBGA - 84和P- TFBGA - 60

chipsize包

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

比DDR2-400更快的所有速度等级符合

DDR2-400时序规范。

可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6），突发

长度（8 & 4）。

表1

性能表

质量保证小组的速度代码

DRAM速度等级

模块速度等级

CAS- RCD -RP潜伏期

马克斯。

时钟频率

CL3

CL4

CL5

CL6

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

DDR2

PC2

–25F

–800D

–6400D

5–5–5

–2.5

–800E

–6400E

6–6–6

200

266

333

400

–3

–667C

–5300C

4–4–4

200

333

–

–3S

–667D

–5300D

5–5–5

200

266

333

–

–3.7

–533C

–4200C

4–4–4

200

266

–

–5

–400B

–3200B

3–3–3

200

–

单位

兆赫

CK3

CK4

CK5

CK6

RCD

RAS

200

266

400

–

12.5

57.5

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.12 ， 2007-10

03292006-5LTN-QML0

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

存储器阵列的设计与512Mbit的双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。

脱钩

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

舞会

使用2针I设备

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达HYS64T [ 32/64/128 ] xxxHDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B

模块系列是小外形DIMM模块“ SO- DIMM内存模块”

30毫米的高度基于DDR2技术。 DIMM是

可作为非ECC模块

在128M

64 （ 1GB ），

32M

64 （ 256MB ）， 64M

64 （ 512MB ）的组织，

密度，用于安装到200针的连接器

插槽。

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

PC2-6400-555

HYS64T32000HDL–25F–B

HYS64T64020HDL–25F–B

HYS64T128021HDL–25F–B

PC2-6400-666

HYS64T32000HDL–2.5–B

HYS64T64020HDL–2.5–B

HYS64T128021HDL–2.5–B

PC2-5300-444

HYS64T32000HDL–3–B

HYS64T64020HDL–3–B

HYS64T128021HDL–3–B

PC2-5300-555

HYS64T32000HDL–3S–B

HYS64T32900HDL–3S–B

HYS64T64020HDL–3S–B

HYS64T64920HDL–3S–B

HYS64T128021HDL–3S–B

HYS64T128921HDL–3S–B

PC2-4200-444

HYS64T32000HDL–3.7–B

HYS64T32900HDL–3.7–B

HYS64T64020HDL–3.7–B

HYS64T64920HDL–3.7–B

HYS64T128021HDL–3.7–B

HYS64T128921HDL–3.7–B

PC2-3200-333

HYS64T32000HDL–5–B

256MB 1R × 16 PC2-3200S - 333-12 -C0

1等级，非ECC

512Mbit的（ × 16 ）

256MB 1R × 16 PC2-4200S - 444-12 -C0

512MB 2R × 16 PC2-4200S - 444-12 -A0

1GB 2R × 8 PC2-4200S - 444-12 - E0

1等级，非ECC

2级，非ECC

512Mbit的（ × 16 ）

512Mbit的（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-5300S - 555-12 -C0

512MB 2R × 16 PC2-5300S - 555-12 -A0

1GB 2R × 8 PC2-5300S - 555-12 - E0

1等级，非ECC

2级，非ECC

512Mbit的（ × 16 ）

512Mbit的（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-5300S - 444-12 -C0

512MB 2R × 16 PC2-5300S - 444-12 -A0

1GB 2R × 8 PC2-5300S - 444-12 - E0

1等级，非ECC

2级，非ECC

512Mbit的（ × 16 ）

512Mbit的（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-6400S - 666-12 -C0

512MB 2R × 16 PC2-6400S - 666-12 -A0

1GB 2R × 8 PC2-6400S - 666-12 - E0

1等级，非ECC

2级，非ECC

512Mbit的（ × 16 ）

512Mbit的（ × 8 ）

256MB 1R × 16 PC2-6400S - 555-12 -C0

512MB 2R × 16 PC2-6400S - 555-12 -A0

1GB 2R × 8 PC2-6400S - 555-12 - E0

1等级，非ECC

2级，非ECC

512Mbit的（ × 16 ）

512Mbit的（ × 8 ）

合规守则

描述

SDRAM技术

牧师1.12 ， 2007-10

03292006-5LTN-QML0

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

产品类型

HYS64T64020HDL–5–B

HYS64T128021HDL–5–B

合规守则

512MB 2R × 16 PC2-3200S - 333-12 -A0

1GB 2R × 8 PC2-3200S - 333-12 - E0

描述

2级，非ECC

SDRAM技术

512Mbit的（ × 16 ）

512Mbit的（ × 8 ）

1 ）有关奇梦达的产品型号请参见本数据表的章"Product类型Nomenclature"的详细信息。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，例如"PC2-6400S - 555-12 - E0" ，其中6400S

指小外形DIMM模块6.40 GB /秒带宽模块和"555-12"指列地址选通（ CAS ）延迟

= 5 ，行列延时（ RCD）的延迟= 5和行预充电（ RP ）延迟= 5采用了最新的JEDEC SPD 1.2版并制作

对原卡"E" 。

表3

地址格式

DIMM

密度

1GB

512MB

256MB

模块

组织

128M

64M

32M

内存

秩

ECC /

非ECC

＃的＃的SDRAM行/行/列

位

14/2/10

13/2/10

生

卡

表4

在模块组件

产品类型

1)2)

HYS64T128021HDL

HYS64T128921HDL

HYS64T64020HDL

HYS64T64920HDL

HYS64T32000HDL

HYS64T32900HDL

1 ）绿色产品

2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。

DRAM组件

HYB18T512800BF

HYB18T512160BF

DRAM密度

512Mbit

DRAM组织

64M

32M

牧师1.12 ， 2007-10

03292006-5LTN-QML0

2006年10月

HYS64T32x00HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

HYS64T64x20HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

HYS64T128x21HDL–[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

2 0 0丕北南商场 - utlined DDR 2 SDRAM， S，M， odules

DDR2 SDRAM

SO -DIMM SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.1

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

HYS64T32x00HDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS64T64x20HDL- [ 25F / 2.5 / 3 / 3S / 3.7 / 5 ] -B ， HYS64T128x21HDL-

[25F/2.5/3/3S/3.7/5]–B

修订历史： 2006-10 ，牧师1.1

页面

所有

70, 71, 72

所有

科目（自上次调整的重大变化）

改编网络版

加入-25F产品类型;新增6Layer -3S和-3.7产品类型

更新了封装外形图

更新奇梦达

修改AC时序参数

上一个版本： 2005-09 ，牧师1.01

上一个版本： 2005-06 ，版本1.0

我们倾听您的意见

你觉得本文件中的任何信息是错误的，不明确或缺少呢？

您的反馈将帮助我们不断改进本文档的质量。

请将您的建议（包括参照本文档）：

techdoc@qimonda.com

qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03292006-5LTN-QML0

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

概观

本章提供了200引脚小轮廓的DDR2 SDRAM模块产品系列的概述，并介绍了其主要

的特点。

1.1

特点

平均更新周期7.8

在

例

低于85 ℃，

在85 ℃ 95℃ 3.9μs 。

自动刷新（ CBR）和自刷新

通过EMRS2设置可编程自刷新速率

通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新

DCC通过EMRS2设置启用

所有输入和输出SSTL_1.8兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

舞会

SO- DIMM尺寸（标称）：

30毫米高， 67.60毫米宽

基于标准的参考布局生卡“ A” ，

“C” ， “E”

符合RoHS标准的产品

200针PC2-6400 ， PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-

用作主要的3200 DDR2 SDRAM内存模块

当安装在诸如移动通信系统存储器

个人计算机。

32M

64, 64M

64和128M

64模块组织

和32M

16, 64M

8片组织

内建512 - Mbit的256MB ， 512MB和1GB模块

DDR2 SDRAM芯片的P- TFBGA - 84和P- TFBGA - 60

chipsize包

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

比DDR2-400快所有速度等级符合

DDR2-400时序规范。

可编程CAS潜伏期（ 3，4， 5和6），突发

长度（ 8 & 4 ）和突发类型

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL6

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–25F

–2.5

–3

–3S

–3.7

–5

单位

PC2-6400 PC2-6400 PC2-5300 PC2-5300 PC2-4200 PC2-3200 -

5–5–5

6–6–6

4–4–4

5–5–5

4–4–4

3–3–3

CK6

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

400

266

200

12.5

57.5

400

333

266

200

–

333

200

–

333

266

200

–

266

200

–

200

兆赫

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

修订版1.1 ， 2006-10

03292006-5LTN-QML0

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

舞会

使用2针I设备

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

模块系列是小外形DIMM模块“ SO- DIMM内存模块”

30毫米的高度基于DDR2技术。 DIMM是

可作为在32M非ECC模块

64 （ 256 MB ），

64M

64 （ 512 MB ）和128M

64 （ 1 GB）组织

密度，用于安装到200针的连接器

插槽。

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

PC2–6400

HYS64T32000HDL–25F–B

HYS64T64020HDL–25F–B

HYS64T128021HDL–25F–B

PC2–6400

HYS64T32000HDL–2.5–B

HYS64T64020HDL–2.5–B

HYS64T128021HDL–2.5–B

PC2–5300

HYS64T32000HDL–3–B

HYS64T64020HDL–3–B

HYS64T128021HDL–3–B

PC2–5300

HYS64T32000HDL–3S–B

HYS64T32900HDL–3S–B

HYS64T64020HDL–3S–B

HYS64T64920HDL–3S–B

HYS64T128021HDL–3S–B

HYS64T128921HDL–3S–B

PC2–4200

HYS64T32000HDL–3.7–B

HYS64T32900HDL–3.7–B

HYS64T64020HDL–3.7–B

HYS64T64920HDL–3.7–B

HYS64T128021HDL–3.7–B

HYS64T128921HDL–3.7–B

256 MB 1R × 16 PC2-4200S - 444-12 -C0

512 MB 1R × 16 PC2-4200S - 444-12 -A0

1 GB 2Rx8 PC2-4200S - 444-12 - E0

1等级，非ECC

2等级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-5300S - 555-12 -C0

512 MB 1R × 16 PC2-5300S - 555-12 -A0

1 GB 2Rx8 PC2-5300S - 555-12 - E0

1等级，非ECC

2等级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-5300S - 444-12 -C0

512 MB 1R × 16 PC2-5300S - 444-12 -A0

1 GB 2Rx8 PC2-5300S - 444-12 - E0

1等级，非ECC

2等级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-6400S - 666-12 -C0

512 MB 2R × 16 PC2-6400S - 666-12 -A0

1 GB 2Rx8 PC2-6400S - 666-12 - E0

1等级，非ECC

2等级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-6400S - 555-12 -C0

512 MB 2R × 16 PC2-6400S - 555-12 -A0

1 GB 2Rx8 PC2-6400S - 555-12 - E0

1等级，非ECC

2等级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

合规守则

描述

SDRAM

技术

修订版1.1 ， 2006-10

03292006-5LTN-QML0

互联网数据表

HYS64T[32/64/128]xxxHDL-[25F/2.5/3/3S/3.7/5]-B

SO -DIMM DDR2 SDRAM模组

产品类型

PC2–3200

HYS64T32000HDL–5–B

HYS64T64020HDL–5–B

HYS64T128021HDL–5–B

合规守则

描述

SDRAM

技术

512兆位（ × 16 ）

512兆位（ × 8 ）

256 MB 1R × 16 PC2-3200S - 333-12 -C0

512 MB 1R × 16 PC2-3200S - 333-12 -A0

1 GB 2Rx8 PC2-3200S - 333-12 - E0

1等级，非ECC

2等级，非ECC

1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T64020HDL - 3.7 -B ，表示修订版

“B”的模具被用于DDR2 SDRAM组件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

此数据的

表。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200S - 444-12 -A0 ”，其中

4200S是指小概述无缓冲DIMM模块4.26 GB /秒的带宽模块和“ 444-12 ”，是指列地址选通

（ CAS ）延迟= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD 1.2版

并制作的原始卡“ A” 。

表3

地址格式

DIMM

密度

256兆字节

512兆字节

1千兆字节

模块

组织

32M

64M

128M

内存

秩

ECC /

非ECC

＃的＃的SDRAM行/行/列

位

13/2/10

14/2/10

生

卡

表4

在模块组件

产品类型

HYS64T32000HDL

HYS64T32900HDL

HYS64T64020HDL

HYS64T64920HDL

HYS64T128021HDL

HYS64T128921HDL

DRAM组件

HYB18T512160BF

HYB18T512800BF

DRAM密度

512兆位

DRAM组织

32M

64M

记

1 ）绿色产品

2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。

修订版1.1 ， 2006-10

03292006-5LTN-QML0