16Mx64位
无缓冲DDR SDRAM DIMM
HYMD216646A(L)6-M/K/H/L
描述
海力士HYMD216646A （L ）， 6 -M / K / H / L系列是无缓冲的184针双数据速率同步DRAM双列林
内存模块（DIMM ），该组织为16Mx64高速存储器阵列。力士HYMD216646A （L）的6 -M / K /
H / L系列由四个16Mx16 DDR SDRAM在400mil TSOP上184PIN环氧玻璃基板II封装。海力士
HMD216646A （L）的6 -M / K / H / L系列提供一种高性能的8字节接口在工业5.25"宽度外形
标准。它适合于方便的交换和加法。
海力士HYMD216646A （L ）， 6 -M / K / H / L系列是专为高达高速的133MHz ，并提供完全同步
操作参考的差分时钟输入的上升沿和下降沿。虽然所有的地址和控制
输入锁存的建置在时钟的上升沿，数据，数据选通（ UDQS / LDQS ）和写数据掩码（UDM /
LDM）的输入的采样上的它的上升沿和下降沿。的数据通路内部流水线和2位
预取，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出电压值与SSTL_2兼容。高
速度频率，可编程延迟和突发长度允许的高性能各种设备的操作
存储器系统。
海力士HYMD216646A （L ）， 6 -M / K / H / L系列采用SPD（串行存在检测） 。串行存在检测功能
通过串行2048位EEPROM来实现。第128字节的串行数据的PD是由力士编程以识别
DIMM的类型，容量和DIMM的其他信息和最后128个字节是提供给客户。
特点
128MB （ 16M ×64 ）无缓冲DDR DIMM基于
16Mx16 DDR SDRAM
JEDEC标准的184针双列直插式内存模块
（ DIMM ）
2.5V +/- 0.2V VDD和VDDQ电源
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
全差分时钟操作（ CK & / CK ）与
100MHz/125MHz/133MHz
所有的地址和控制输入，除了数据，数据
选通和数据锁存口罩的上升沿
时钟
数据（ DQ ） ，数据选通信号和写口罩锁存
上升沿和下降沿的时钟的边缘
在DQS数据输入中心的时候写（居中
DQ ）
数据选通脉冲与输出数据的读同步
并写入输入数据
可编程CAS延时2 / 2.5的支持
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
tRAS的锁定功能的支持
内置4组操作与单脉冲RAS
自动刷新和自刷新支持
8192刷新周期/ 64ms的
订购信息
产品型号
HYMD216646A(L)6-M
HYMD216646A(L)6-K
HYMD216646A(L)6-H
HYMD216646A(L)6-L
V
DD
=2.5V
V
DDQ
=2.5V
电源
时钟频率
133MHz
（ * DDR266 ： 2-2-2 ）
133MHz的（ * DDR266A ）
133MHz的（ * DDR266B ）
为100MHz （ DDR200 * ）
接口
外形
SSTL_2
184PIN DIMM无缓冲
5.25 X 1.25 X 0.15英寸
* JEDEC定义的规格标准
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
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1
HYMD216646A(L)6-M/K/H/L
引脚说明
针
CK1,/CK1,CK2,/CK2
/CS0
CKE0
/ RAS ， / CAS ， / WE
A0 ~ A12
BA0 ， BA1
DQ0~DQ63
DQS0~DQS7
DM0~DM7
VDD
引脚说明
差分时钟输入
片选输入
时钟使能输入
赞扬设置输入
地址
银行地址
数据输入/输出
数据选通输入/输出
数据掩码
电源
针
VDDQ
VSS
VREF
VDDSPD
SA0~SA2
SCL
SDA
VDDID
DU
NC
引脚说明
的DQ电源
地
基准电源
电源的防雷器
E
2
PROM的地址输入
E
2
PROM时钟
E
2
PROM的数据I / O
VDD识别标志
不要使用
无连接
引脚分配
针
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
名字
VREF
DQ0
VSS
DQ1
DQS0
DQ2
VDD
DQ3
NC
NC
VSS
DQ8
DQ9
DQS1
VDDQ
CK1
/CK1
VSS
DQ10
DQ11
CKE0
VDDQ
DQ16
DQ17
DQS2
VSS
A9
DQ18
A7
VDDQ
DQ19
53
54
55
56
57
58
59
60
61
针
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
关键
DQ32
VDDQ
DQ33
DQS4
DQ34
VSS
BA0
DQ35
DQ40
名字
A5
DQ24
VSS
DQ25
DQS3
A4
VDD
DQ26
DQ27
A2
VSS
A1
CB0*
CB1*
VDD
DQS8*
A0
CB2*
VSS
CB3*
BA1
针
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
85
86
87
88
89
90
91
92
名字
VDDQ
/ WE
DQ41
/ CAS
VSS
DQS5
DQ42
DQ43
VDD
NC
DQ48
DQ49
VSS
/CK2
CK2
VDDQ
DQS6
DQ50
DQ51
VSS
VDDID
DQ56
DQ57
VDD
DQS7
DQ58
DQ59
VSS
NC
SDA
SCL
针
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
名字
VSS
DQ4
DQ5
VDDQ
DM0
DQ6
DQ7
VSS
NC
NC
A13*
VDDQ
DQ12
DQ13
DM1
VDD
DQ14
DQ15
CKE1
VDDQ
BA2*
DQ20
A12
VSS
DQ21
A11
DM2
VDD
DQ22
A8
DQ23
145
146
147
148
149
150
151
152
153
针
124
125
126
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
关键
VSS
DQ36
DQ37
VDD
DM4
DQ38
DQ39
VSS
DQ44
名字
VSS
A6
DQ28
DQ29
VDDQ
DM3
A3
DQ30
VSS
DQ31
CB4*
CB5*
VDDQ
CK0*
/CK0*
VSS
DM8*
A10
CB6*
VDDQ
CB7*
针
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
169
170
171
172
173
174
175
176
177
178
179
180
181
182
183
184
名字
/ RAS
DQ45
VDDQ
/CS0
/CS1
DM5
VSS
DQ46
DQ47
NC
VDDQ
DQ52
DQ53
NC
VDD
DM6
DQ54
DQ55
VDDQ
NC
DQ60
DQ61
VSS
DM7
DQ62
DQ63
VDDQ
SA0
SA1
SA2
VDDSPD
*这些此模块上不使用，而是可以用于在184PIN的DIMM家族其它模块
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2
HYMD216646A(L)6-M/K/H/L
功能框图
/CS0
/ CS
DQS1
DM1
/ CS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQS0
DM0
LDQS
LDM
I / O 6
I / O 4
I / O 1
I / O 3
I / O 2
I / O 0
I / O 5
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 10
I / O 15
I / O 13
I / O 12
I / O 14
I / O 11
I / O 9
D0
DQS5
DM5
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQS4
DM4
LDQS
LDM
I / O 6
I / O 4
I / O 1
I / O 3
I / O 2
I / O 0
I / O 5
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 10
I / O 15
I / O 13
I / O 12
I / O 14
I / O 11
I / O 9
D2
/ CS
DQS3
DM3
/ CS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
DQS2
DM2
LDQS
LDM
I / O 6
I / O 4
I / O 1
I / O 3
I / O 2
I / O 0
I / O 5
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 10
I / O 15
I / O 13
I / O 12
I / O 14
I / O 11
I / O 9
D1
DQS7
DM7
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
DQS6
DM6
LDQS
LDM
I / O 6
I / O 4
I / O 1
I / O 3
I / O 2
I / O 0
I / O 5
I / O 7
UDQS
UDM
I / O 8
I / O 10
I / O 15
I / O 13
I / O 12
I / O 14
I / O 11
I / O 9
D3
串行PD
*时钟布线
WP
A0
SA0
A1
SA1
A2
SA2
*CK0,/CK0
*CK1,/CK1
*CK2,/CK2
NC
2 SDRAM的
2 SDRAM的
SDA
时钟输入
SDRAM的
VDDSPD
VDD / VDDQ
VREF
VSS
VDDID
.
*每个时钟负载表/接线图线
.
= =
.
.
...
=
..
SPD
D0 - D3
D0 - D3
D0 - D3
表带：见注4
BA0-BA1
A0 – A12
/ RAS
/ CAS
CKE0
/ WE
BA0 - BA1 ： SDRAM的D0 - D3
A0 - A12 ： SDRAM的D0 - D3
/ RAS ： SDRAM的D0 - D3
/ CAS ： SDRAM的D0 - D3
CKE ： SDRAM的D0 - D3
/ WE ： SDRAM的D0 - D3
注意事项：
1. DQ到I / O接线如图推荐
但是，可以改变
2. DQ / DQS / DM / CKE / S的关系必须是
维持如图所示
3. DQ ， DQS ， DM / DQS电阻： 22Ohms +/- 5 ％
4. VDDID表带连接
（对于存储设备VDD ， VDDQ ） ：
表带出： （开） ： VDD = VDDQ
表带（ VSS） ： VDD = VDDQ
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HYMD216646A(L)6-M/K/H/L
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
在V电压
DDQ
相对于V
SS
输出短路电流
功耗
焊接温度
时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
-0.5 ~ 3.6
50
8
260
10
等级
o
o
单位
C
C
V
V
V
mA
W
o
C
美国证券交易委员会
注意：
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
直流工作条件
（ TA = 0 70
o
C，电压参考V
SS
= 0V)
参数
电源电压
电源电压
输入高电压
输入低电压
I / O终端电压
参考电压
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
TT
V
REF
符号
民
2.3
2.3
V
REF
+ 0.15
-0.3
V
REF
- 0.04
0.49*VDDQ
典型值。
2.5
2.5
-
-
V
REF
0.5*VDDQ
最大
2.7
2.7
V
DDQ
+ 0.3
V
REF
- 0.15
V
REF
+ 0.04
0.51*VDDQ
单位
V
V
V
V
V
V
3
2
1
记
注意：
1. V
DDQ
一定不能超过V的电平
DD
.
2. V
IL
（分钟）是可以接受的-1.5V交流脉冲宽度< 5ns的持续时间。
3. V的值
REF
约等于0.5V
DDQ
.
交流工作条件
（ TA = 0 70
o
C，电压参考V
SS
= 0V)
参数
输入高电平（逻辑1 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入低电平（逻辑0 ）电压， DQ ， DQS和DM信号
输入差分电压， CK和/ CK投入
输入交叉点电压， CK和/ CK投入
符号
V
IH （AC）的
V
白细胞介素（AC）的
V
的ID （AC）的
V
IX（ AC）
0.7
0.5*V
DDQ
-0.2
民
V
REF
+ 0.31
V
REF
- 0.31
V
DDQ
+ 0.6
0.5*V
DDQ
+0.2
最大
单位
V
V
V
V
1
2
记
注意：
1. VID是CK的输入电平与所述输入上的CK之间的差的量值。
2. VIX的值预计相当于发送装置0.5 * V DDQ和必须跟踪变化的相同的DC电平。
牧师/月0.2 。 02
4
QQ：2881677436 复制
