16M
×
72位动态RAM模块
（ ECC - 模块）
HYM 72V1600GS -50 / -60
HYM 72V1610GS -50 / -60
初步信息
16 777 216字由72位ECC - 组织模式
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
90 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快速页面模式功能
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）供电
低功耗
最大。 6480毫瓦活跃（ -50版）
最大。 5832毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 108 mW的待机
LVTTL - 180 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
18去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全LVTTL & LVCMOS兼容
4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）
缓冲输入excepts RAS和DQ
168针，双读出，单列直插式内存模块
利用18 16M
×
4 -DRAMs和四的BiCMOS 8位缓冲器/线路驱动器VT244A
两个版本： HYM 72V1600GS用TSOPII组件（ 4mm厚）
HYM 72V1610GS与SOJ组件
（9毫米厚）
8192刷新周期/ 128毫秒11分之13解决
金触点垫
38.1毫米（ 1500万）的高度双面模块
半导体集团
1
11.95
16M
×
72位动态RAM模块
（ ECC - 模块）
HYM 72V1600GS -50 / -60
HYM 72V1610GS -50 / -60
初步信息
16 777 216字由72位ECC - 组织模式
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
90 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快速页面模式功能
35 ns的周期时间（ -50版）
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 3.3V （ ± 0.3V ）供电
低功耗
最大。 6480毫瓦活跃（ -50版）
最大。 5832毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 108 mW的待机
LVTTL - 180 mW的待机
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
18去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全LVTTL & LVCMOS兼容
4字节交织启用，双地址输入（ A0 / B0 ）
缓冲输入excepts RAS和DQ
168针，双读出，单列直插式内存模块
利用18 16M
×
4 -DRAMs和四的BiCMOS 8位缓冲器/线路驱动器VT244A
两个版本： HYM 72V1600GS用TSOPII组件（ 4mm厚）
HYM 72V1610GS与SOJ组件
（9毫米厚）
8192刷新周期/ 128毫秒11分之13解决
金触点垫
38.1毫米（ 1500万）的高度双面模块
半导体集团
1
11.95
HYM72V1600/10GS-50/-60
16M X 72 - ECC模块
该HYM 72V1600 / 10GS - 50 / -60是组织为16 777 216字由一个128兆字节的DRAM模块
在一个168针72位，双读出，单列直插式封装，包括18 HYB 3164400BT / BJ
16M
×
4的DRAM在500万宽TSOPII或SOJ-包安装有18 0.2一起
F
陶瓷去耦电容在PC板上。除了RAS和DQ的所有输入都通过使用缓冲
4 BiCMOS工艺的8位缓冲器/线路驱动器。
每个HYB 3164400BT / BJ是在数据表中描述的完全电测试，
根据对模块组装之前西门子质量标准的程序进行处理。后
装配到电路板上时，进行另一组的电测试。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
订购信息
TYPE
HYM 72V1600GS -50
HYM 72V1600GS -60
HYM 72V1610GS -50
HYM 72V1610GS -60
引脚名称
A0-A12,B0
DQ0 - DQ71
RAS0 ， RAS2
CAS0 ， CAS2
WE0 ， WE2
OE0 ， OE2
VCC
VSS
PD1 - PD8
PDE
ID0 ， ID1
北卡罗来纳州
在线检测和ID引脚真值表：
模块
HYM 72V1600GS -50
HYM 72V1600GS -60
ID0
VSS
VSS
ID1
VSS
VSS
PD1
1
1
PD2
1
1
PD3
1
1
PD4
1
1
PD5
0
0
PD6
0
1
PD7
0
1
PD8
0
0
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
功率（ 3.3伏）
地
存在检测引脚
设备检测启用
ID辨识位
无连接
Q67100-Q2080
Q67100-Q2079
订购代码
包
L-DIM-168-7
L-DIM-168-7
L-DIM-168-7
L-DIM-168-7
说明
3.3V 50ns的DRAM模块
3.3V 60ns的DRAM模块
3.3V 50ns的DRAM模块
3.3V 60ns的DRAM模块
注意：
1 =高电平（驱动器输出） ， 0 =低电平（驱动器输出）的磷酸二酯酶的活性（地） 。对于PDE在高
所有等级PD终端处于三态。
半导体集团
2
HYM72V1600/10GS-50/-60
16M X 72 - ECC模块
该HYM 72V1600 / 10GS - 50 / -60是组织为16 777 216字由一个128兆字节的DRAM模块
在一个168针72位，双读出，单列直插式封装，包括18 HYB 3164400BT / BJ
16M
×
4的DRAM在500万宽TSOPII或SOJ-包安装有18 0.2一起
F
陶瓷去耦电容在PC板上。除了RAS和DQ的所有输入都通过使用缓冲
4 BiCMOS工艺的8位缓冲器/线路驱动器。
每个HYB 3164400BT / BJ是在数据表中描述的完全电测试，
根据对模块组装之前西门子质量标准的程序进行处理。后
装配到电路板上时，进行另一组的电测试。
模块的密度和速度可通过使用存在来检测检测引脚。
订购信息
TYPE
HYM 72V1600GS -50
HYM 72V1600GS -60
HYM 72V1610GS -50
HYM 72V1610GS -60
引脚名称
A0-A12,B0
DQ0 - DQ71
RAS0 ， RAS2
CAS0 ， CAS2
WE0 ， WE2
OE0 ， OE2
VCC
VSS
PD1 - PD8
PDE
ID0 ， ID1
北卡罗来纳州
在线检测和ID引脚真值表：
模块
HYM 72V1600GS -50
HYM 72V1600GS -60
ID0
VSS
VSS
ID1
VSS
VSS
PD1
1
1
PD2
1
1
PD3
1
1
PD4
1
1
PD5
0
0
PD6
0
1
PD7
0
1
PD8
0
0
地址输入
数据输入/输出
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
功率（ 3.3伏）
地
存在检测引脚
设备检测启用
ID辨识位
无连接
Q67100-Q2080
Q67100-Q2079
订购代码
包
L-DIM-168-7
L-DIM-168-7
L-DIM-168-7
L-DIM-168-7
说明
3.3V 50ns的DRAM模块
3.3V 60ns的DRAM模块
3.3V 50ns的DRAM模块
3.3V 60ns的DRAM模块
注意：
1 =高电平（驱动器输出） ， 0 =低电平（驱动器输出）的磷酸二酯酶的活性（地） 。对于PDE在高
所有等级PD终端处于三态。
半导体集团
2
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