3.3V 1M
×
64位EDO -DRAM模块
3.3V 1M X 72位EDO -DRAM模块
168PIN无缓冲DIMM模块
与串行存在检测
HYM64V1005GU-50/-60
HYM72V1005GU-50/-60
168引脚JEDEC标准，无缓冲8字节双列直插式内存模块
用于PC的主存储器的应用
1银行1M ×64 ， 1米x 72组织
优化字节写非奇偶校验或ECC应用
扩展数据输出（ EDO ）
性能：
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
周期
EDO模式周期时间
50纳秒
13纳秒
25纳秒
84纳秒
20纳秒
-60
60纳秒
15纳秒
30纳秒
104纳秒
25纳秒
+ 3.3V单
±
0.3 V电源
CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新
去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟是完全LV- TTL兼容
（可选）串行存在检测
利用四个1M
×
16 -DRAMs在TSOPII -四十四分之五十零
和两个1M ×4 - 在SOJ的DRAM二十〇分之二十六包
1024刷新周期/ 16毫秒， 10/10页寻址（行/列）
金触点垫
卡片尺寸： 133,35mm X 25,40毫米× 5,30毫米
该产品的DRAM模块系列意在引脚和架构兼容
与168PIN无缓冲SDRAM DIMM模块系列
半导体集团
1
2.97
HYM 64 （72） V1005GU -50 / -60
1米x 64/72 DRAM模块
该HYM64 （ 72 ） V1005GU - 50 / -60是行业标准的168针8字节的双列直插式内存
模块（DIMM ），该组织为1M ×64和1米x 72设计的高速内存阵列
与EDO DRAM的非奇偶校验和ECC应用。在DIMM使用4 1M ×16 EDO DRAM的
为1M ×64的组织和两个额外1M ×4的DRAM为1M X 72的组织。
去耦电容器被安装在PC板上。
在DIMM使用可选的串行存在检测通过串行é实施
2
使用2 PROM中
我脚
2
C协议。第128个字节是由在DIMM的制造商和第二128利用
提供给客户的串行PD的数据的字节数。
所有168针的DIMM提供一种高性能的，灵活的8字节的接口在一个133,35毫米长与空间
节省占用空间。
订购信息
TYPE
HYM 64V1005GU -50
HYM 64V1005GU -60
HYM 72V1005GU -50
HYM 72V1005GU -60
订购
CODE
Q67100-Q2176
Q67100-Q2177
Q67100-Q2178
Q67100-Q2179
包
L-DIM-168-10
L-DIM-168-10
L-DIM-168-10
L-DIM-168-10
说明
1M ×64的DRAM模块（存取时间为50ns ）
1M ×64的DRAM模块（存取时间为60ns ）
1M X 72的DRAM模块（存取时间为50ns ）
1M X 72的DRAM模块（存取时间为60ns ）
引脚名称
A0-A9
DQ0 - DQ63
CB0-CB7
RAS0 ， RAS2
CAS0 - CAS7
WE0 ， WE2
OE0 ， OE2
VCC
VSS
SCL
SDA
SA0-SA2
北卡罗来纳州
DU
地址输入
数据输入/输出
校验位的数据输入/输出（ X72只）
行地址选通
列地址选通
读/写输入
OUTPUT ENABLE
功率（ 3.3伏）
地
时钟设备检测
串行数据输出的设备检测
串行存在检测地址
无连接
别用
t
半导体集团
2
HYM 64 （72） V1005GU -50 / -60
1米x 64/72 DRAM模块
引脚配置
针＃
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
符号
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
DQ8
VSS
DQ9
DQ10
DQ11
DQ12
DQ13
VCC
DQ14
DQ15
CB0
CB1
VSS
NC
NC
VCC
WE0
CAS0
CAS1
RAS0
OE0
VSS
A0
A2
A4
A6
A8
NC
NC
VCC
VCC
DU
针＃
43
44
45
46
47
48
49
50
51
52
53
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
66
67
68
69
70
71
72
73
74
75
76
77
78
79
80
81
82
83
84
符号
VSS
OE2
RAS2
CAS2
CAS3
WE2
VCC
NC
NC
CB3
CB3
VSS
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VCC
DQ20
NC
DU
NC
VSS
DQ21
DQ22
DQ23
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
NC
NC
NC
SDA
SCL
VCC
针＃
85
86
87
88
89
90
91
92
93
94
95
96
97
98
99
100
101
102
103
104
105
106
107
108
109
110
111
112
113
114
115
116
117
118
119
120
121
122
123
124
125
126
符号
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
DQ40
VSS
DQ41
DQ42
DQ43
DQ44
DQ45
VCC
DQ46
DQ47
CB4
CB5
VSS
NC
NC
VCC
DU
CAS4
CAS5
NC
DU
VSS
A1
A3
A5
A7
A9
NC
NC
VCC
DU
DU
针＃
127
128
129
130
131
132
133
134
135
136
137
138
139
140
141
142
143
144
145
146
147
148
149
150
151
152
153
154
155
156
157
158
159
160
161
162
163
164
165
166
167
168
符号
VSS
DU
NC
CAS6
CAS7
DU
VCC
NC
NC
CB6
CB7
VSS
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VCC
DQ52
NC
DU
NC
VSS
DQ53
DQ54
DQ55
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
NC
NC
SA0
SA1
SA2
VCC
半导体集团
3
HYM 64 （72） V1005GU -50 / -60
1米x 64/72 DRAM模块
RAS0
WE0
OE0
OE
CAS0
DQ0-DQ7
WE
RAS
RAS2
WE2
OE2
OE
CAS4
DQ32-DQ39
WE
RAS
LCAS
I/O1-I/O8
LCAS
I/O1-I/O8
CAS1
DQ8-DQ15
UCAS
I/O9-I/O16
CAS5
DQ40-DQ47
UCAS
I/O9-I/O16
D1
OE
CAS2
DQ16-DQ23
WE
RAS
CAS6
DQ48-DQ55
OE
WE
D3
RAS
LCAS
I/O1-I/O8
LCAS
I/O1-I/O8
CAS3
DQ24-DQ31
UCAS
I/O9-I/O16
CAS7
DQ56-DQ63
UCAS
I/O9-I/O16
D2
D4
A0-A9
VCC
D1,D2,D3,D4
E
2
PROM （ 256wordx8bit ）
C1-C4
VSS
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
1M ×64 DIMM模块框图
半导体集团
4
HYM 64 （72） V1005GU -50 / -60
1米x 64/72 DRAM模块
RAS0
WE0
OE0
OE
CAS0
DQ0-DQ7
WE
RAS
RAS2
WE2
OE2
OE
CAS4
DQ32-DQ39
WE
RAS
LCAS
I/O1-I/O8
LCAS
I/O1-I/O8
CAS1
DQ8-DQ15
UCAS
I/O9-I/O16
CAS5
DQ40-DQ47
UCAS
I/O9-I/O16
D0
OE
CAS
CB0-CB3
I/O1-I/O4
D4
OE
CAS2
DQ16-DQ23
WE
RAS
CAS6
DQ48-DQ55
OE
WE
CB4-CB7
WE
RAS
OE
CAS
I/O1-I/O4
WE
D2
RAS
D5
RAS
LCAS
I/O1-I/O8
LCAS
I/O1-I/O8
CAS3
DQ24-DQ31
UCAS
I/O9-I/O16
CAS7
DQ56-DQ63
UCAS
I/O9-I/O16
D1
D3
A0-A9
VCC
D0-D5
E
2
PROM （ 256wordx8bit ）
C0-C5
VSS
SA0
SA1
SA2
SCL
SDA
1米x 72 DIMM模块框图
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
