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8Mx64位
PC100 SDRAM SO DIMM
基于SDRAM 8Mx16与LVTTL , 4银行& 4K刷新
HYM71V65M801 X系列
描述
在现代HYM71V65M801 X系列是8Mx64bits同步DRAM模块。该模块由
4 8Mx16bit CMOS同步DRAM在400mil 54pin TSOP- II封装, 2Kbit EEPROM中8PIN TSSOP
包上的144pin玻璃环氧印刷电路板。两个0.33uF和每每一个0.1uF的去耦电容
SDRAM的安装在PCB上。
该HYM71V65M801 X系列是小外形双列直插内存模块适合简单的交换和
加64M字节的内存。该HYM71V65M801 X系列都提供参考完全同步操作
在时钟的正边缘。所有输入和输出都与时钟输入的上升沿同步。数据路径
在内部流水线,以达到非常高的带宽。
特点
PC100MHz支持
144pin的SDRAM SO DIMM
串行存在检测与EEPROM
1.00“ ( 25.40毫米)高度PCB板双面
组件
单3.3
±
0.3V电源
所有器件的引脚都与LVTTL接口兼容
通过DQM数据屏蔽功能
SDRAM内部银行:四家银行
模块库:一个物理库
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 。 1 , 2 , 4 , 8或整页的顺序突发
- 。 1,2, 4或8个为交错突发
可编程/ CAS延迟
- 。 2 , 3个时钟
订购信息
产品型号
HYM71V65M801TX-8
HYM71V65M801TX-10P
HYM71V65M801TX-10S
HYM71V65M801LTX-8
HYM71V65M801LTX-10P
HYM71V65M801LTX-10S
马克斯。
频率
125MHz
100MHz
100MHz
4银行
125MHz
100MHz
100MHz
低功耗
4K
TSOP -II
正常
国内
银行
REF 。
动力
SDRAM
电镀
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。现代电子不承担
用于描述电路的任何责任。没有专利许可。
修订版1.1 / Dec.99
1999
现代微电子
PC100 SDRAM SO DIMM
HYM71V65M801 X系列
引脚说明
引脚名称
CK0 , CK1
时钟输入
描述
系统时钟输入。所有其它输入都被注册到
的SDRAM在CLK的上升沿。
控制内部时钟信号和当失活,对SDRAM
将跻身断电的国家之一,暂停或自
刷新。
启用或禁用除CK , CKE和DQM所有输入。
选择银行时/ RAS活性被激活。
选择银行进行读/中/ CAS活动写
行地址: RA0 RA11 ,列地址: CA0 CA8
自动预充电标志: A10
/ RAS定义操作。
参照功能真值表细节。
/ CAS定义操作。
参照功能真值表细节。
/ WE定义操作。
参照功能真值表细节。
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据
写模式。
复用的数据输入/输出管脚
电源为内部电路和输入/输出缓冲器
串行存在检测时钟输入
串行存在检测数据输入/输出
无连接或唐'T使用
CKE0
/S0
BA0 , BA1
时钟使能
芯片选择
SDRAM行地址
A0~A11
地址输入
/ RAS
行地址选通
/ CAS
列地址选通
/ WE
DQM0~DQM7
DQ0~DQ63
VCC
VSS
SCL
SDA
NC
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源( 3.3V )
SPD时钟输入
SPD数据输入/输出
无连接
修订版1.1 / Dec.99
2
PC100 SDRAM SO DIMM
HYM71V65M801 X系列
引脚分配
正面
PIN号
1
3
5
7
9
11
13
15
17
19
21
23
25
27
29
31
33
35
37
39
41
43
45
47
49
51
53
55
57
59
名字
VSS
DQ0
DQ1
DQ2
DQ3
VCC
DQ4
DQ5
DQ6
DQ7
VSS
DQM0
DQM1
VCC
A0
A1
A2
VSS
DQ8
DQ9
DQ10
DQ11
VCC
DQ12
DQ13
DQ14
DQ15
VSS
NC
NC
PIN号
2
4
6
8
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
34
36
38
40
42
44
46
48
50
52
54
56
58
60
背面
名字
VSS
DQ32
DQ33
DQ34
DQ35
VCC
DQ36
DQ37
DQ38
DQ39
VSS
DQM4
DQM5
VCC
A3
A4
A5
VSS
DQ40
DQ41
DQ42
DQ43
VCC
DQ44
DQ45
DQ46
DQ47
VSS
NC
NC
71
73
75
77
79
81
83
85
87
89
91
93
95
97
99
101
103
105
107
109
111
113
115
117
119
121
123
125
127
129
131
133
CKE0
VCC
/ CAS
NC
NC
135
137
139
141
143
正面
PIN号
名字
NC
NC
VSS
NC
NC
VCC
DQ16
DQ17
DQ18
DQ19
VSS
DQ20
DQ21
DQ22
DQ23
VCC
A6
A8
VSS
A9
A10/AP
VCC
DQM2
DQM3
VSS
DQ24
DQ25
DQ26
DQ27
VCC
DQ28
DQ29
DQ30
DQ31
VSS
SDA
VCC
PIN号
72
74
76
78
80
82
84
86
88
90
92
94
96
98
100
102
104
106
108
110
112
114
116
118
120
122
124
126
128
130
132
134
136
138
140
142
144
背面
名字
NC
*CK1
VSS
NC
NC
VCC
DQ48
DQ49
DQ50
DQ51
VSS
DQ52
DQ53
DQ54
DQ55
VCC
A7
BA0
VSS
BA1
A11
VCC
DQM6
DQM7
VSS
DQ56
DQ57
DQ58
DQ59
VCC
DQ60
DQ61
DQ62
DQ63
VSS
SCL
VCC
电压键
61
63
65
67
69
CK0
VCC
/ RAS
/ WE
/S0
62
64
66
68
70
注意:
* 。 CK1与终端的R / C连接。 (参见框图)。
修订版1.1 / Dec.99
3
PC100 SDRAM SO DIMM
HYM71V65M801 X系列
框图
注意:
1.部门宿舍的串联电阻值是10欧姆。
2.终止R / C中的填充容量为CK1是10pF的。
修订版1.1 / Dec.99
4
PC100 SDRAM SO DIMM
HYM71V65M801 X系列
串行存在检测
字节
BYTE0
BYTE1
BYTE2
BYTE3
BYTE4
BYTE5
BYTE6
BYTE7
BYTE8
BYTE9
BYTE10
BYTE11
BYTE12
BYTE13
BYTE14
BYTE15
BYTE16
BYTE17
BYTE18
BYTE19
BYTE20
BYTE21
BYTE22
BYTE23
BYTE24
BYTE25
BYTE26
BYTE27
BYTE28
BYTE29
BYTE30
BYTE31
BYTE32
BYTE33
BYTE34
BYTE35
BYTE36
–61
BYTE62
BYTE63
BYTE64
BYTE65
~71
BYTE72
功能
DESCRIBED
写进串行存储器字节数的
在模组制造商
SPD内存设备的总字节#
基本内存类型
#排在本届大会地址
#在这个大会列地址
#模块银行对本届大会
本届大会的数据宽度
本届大会的数据宽度(续)
本届大会的电压接口标准
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 3
从时钟@访问时间/ CAS延时= 3
DIMM配置类型
刷新率/类型
主SDRAM宽度
错误检查SDRAM的宽度
最小时钟延迟背靠背随机
列地址
突发长度支持
#银行对每个SDRAM器件
SDRAM的设备属性, CAS #延迟
SDRAM的设备属性, CS #延迟
SDRAM的设备属性,写入延迟
SDRAM模块属性
SDRAM的设备属性,一般
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 2
从时钟@访问时间/ CAS延时= 2
SDRAM的周期时间@ / CAS延时= 1
从时钟@访问时间/ CAS延时= 1
最小行预充电时间(TRP)
最小行主动向行主动延迟( TRRD )
最小/ RAS到/ CAS延迟( tRCD的)
最小/ RAS脉冲宽度( tRAS的)
模块库密度
命令和地址信号输入建立时间
命令和地址信号输入保持时间
数据信号输入建立时间
数据信号输入保持时间
超集信息(可能在将来使用)
SPD修订
校验和字节0 62
制造商JEDEC ID代码
.... JEDEC制造商ID代码
2ns
1ns
2ns
1ns
8ns
6ns
-8
功能
-10P
128字节
256字节
SDRAM
12
9
1银行
64位
-
LVTTL
10ns
6ns
15.625s
/自刷新支持
x16
TCCD = 1 CLK
1,2,4,8 ,全页
4银行
/ CAS延时= 2,3
/ CS延迟= 0
/ WE延迟= 0
无论是缓冲,也没有注册
+/- 10 %电压容差,突发
阅读写一个位,预充电
所有,自动预充电,早期RAS
预充电
10ns
6ns
-
-
20ns
16ns
20ns
48ns
10ns
6ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
64MB
2ns
1ns
2ns
1ns
-
英特尔SPD 1.2A
-
现代JEDEC ID
未使用
HEI (韩国)
HEA (美国)
高浓缩铀(欧洲)
E7h
2ns
1ns
2ns
1ns
20h
10h
20h
10h
12ns
6ns
-
-
20ns
20ns
20ns
50ns
A0h
60h
00h
00h
14h
10h
14h
30h
10ns
6ns
80h
60h
-10S
-8
价值
-10P
80h
08h
04h
0Ch
09h
01h
40h
00h
01h
A0h
60h
00h
80h
10h
00h
01h
8Fh
04h
06h
01h
01h
00h
0Eh
A0h
60h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
10h
20h
10h
20h
10h
00h
12h
0Dh
ADH
FFH
01h
02h
03h
2Dh
3, 8
20h
10h
20h
10h
C0h
60h
00h
00h
14h
14h
14h
32h
2
A0h
60h
1
-10S
生产地点
修订版1.1 / Dec.99
5
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联系人:刘先生
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