8M ×36位的动态内存模块
HYM 368020S / GS- 60
SIMM模组与8 388 608字由36位组织
用于PC的主存储器的应用
快速访问和周期时间
60 ns访问时间
110 ns的周期时间（ -60版）
快页模式功能
40 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 7260毫瓦活跃（ -60版）
最大。 6600毫瓦活跃（ -70版）
CMOS - 132 mW的待机
TTL
-264毫瓦的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
24去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块（L -SIM - 72-14 ）与31.75毫米高度
采用16 4Mx4 - DRAM和8 4M ×1的DRAM在300万宽SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒
在字节写入奇偶校验应用而优化的使用
锡铅接触垫（S-版）
金触点垫（ GS - 版）
半导体集团
1
12.95
HYM 368020S / GS- 60
8M
×
36-Bit
该HYM 368020S / GS - 60是由36位组织为8 388 608字的32兆字节的DRAM模块
在一个72引脚单列直插式封装，包括16 HYB 5117400BJ 4M
×
4 DRAM和8
HYB 514100BJ 4M ×1的DRAM在300万宽SOJ -包安装24 0.2一起
F
陶瓷去耦电容在PC板上。
该HYM 368020S / GS -60还可以通过18位动态RAM用作16 777 360字
通过连接DQ0和DQ18 ， DQ1与DQ19 ， DQ2和DQ20的装置模块，...， DQ17和
DQ35 ，分别。
每个HYB 5117400BJ和HYB 514100BJ是在数据表中描述的完全电
根据对模块组装前西门子标准的质量检验程序和处理。
装配到电路板上之后，进行进一步的组电测试。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 368020S / GS - 60 / -70的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 368020S -60
HYM 368020GS -60
订购代码
Q67100-Q985
Q67100-Q2007
包
L-SIM-72-14
L-SIM-72-14
描述
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
DRAM模块
（访问时间60 ns ）
半导体集团
2
HYM 368020S / GS- 60
8M
×
36-Bit
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. .............................. -0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 9.24 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
-60版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
-60版
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
20
20
V
V
V
V
A
A
2.4
– 0.5
2.4
–
– 20
– 20
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
1)
–
1320
48
mA
mA
2),3),4)
I
CC2
I
CC3
–
–
1320
mA
2),4)
半导体集团
5
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