8M
×
32位EDO -DRAM模块
HYM328025S/GS-50/-60
SIMM模组与8 388 608字×32位的组织
用于PC的主存储器的应用
快速访问和周期时间
50 ns访问时间
84 ns的周期时间（ -50版）
60 ns访问时间
104 ns的周期时间（ -60版）
超页模式（ EDO ）的能力
20 ns的周期时间（ -50版）
25 ns的周期时间（ -60版）
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 5280毫瓦活跃（ -50版）
最大。 4840毫瓦活跃（ -60版）
CMOS - 88 mW的待机
TTL
-176毫瓦的待机
CAS先于RAS刷新
RAS -只刷新
隐藏刷新
16去耦电容安装在基板
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
72脚单列直插式内存模块（L -SIM - 72-15 ），与25.40毫米的高度
采用16 4Mx4 -的DRAM在SOJ包装
2048刷新周期/ 32毫秒
优化使用字节写非奇偶校验的应用
锡铅接触垫（S-版）
金触点垫（ GS -version ）
半导体集团
1
9.96
HYM328025S/GS-50/-60
8M
×
32位EDO-模块
该HYM 328025S / GS - 50 / -60是组织为8 388 608字由32兆字节的DRAM模块
在一个72引脚单列直插式封装，包括16 HYB 5117405BJ 4M 32位
×
4的DRAM 300
万宽SOJ -包安装有16 0.2一起
F
在陶瓷去耦电容
PC板。
每个HYB 5117405BJ是在数据表中所描述的，完全的电气测试和处理
根据对模块组装之前西门子质量标准的过程。组装后到
板，另一组的电气测试执行。
可以通过使用四个存在检测引脚来检测模块的速度。
对HYM 328025S / GS -60的通用I / O功能要求使用的早期的写周期。
订购信息
TYPE
HYM 328025S -50
HYM 328025S -60
HYM 328025GS -50
HYM 328025GS -60
订购代码
根据要求
Q67100-Q2330
Q67100-Q2098
Q67100-Q2099
包
L-SIM-72-15
L-SIM-72-15
L-SIM-72-15
L-SIM-72-15
描述
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
EDO -DRAM模块
（存取时间为50ns ）
EDO -DRAM模块
（访问时间60 ns ）
半导体集团
2
HYM328025S/GS-50/-60
8M
×
32位EDO-模块
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... .......................................... 0至+ 70 C
存储温度范围............................................... .......................................... - 55 125℃
输入/输出电压.............................................. .............................. -0.5V至MIN（ VCC + 0.5 ， 7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................... - 1 + 7 V
动力dissipation................................................................................................................... 6.72 W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
超出上述"Absolute最大Ratings"可能会导致永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
CC
= 5 V
±
10 %
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流
（ 0 V＆ LT ;
V
IN
< 6.5 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V <
V
OUT
< 5.5 V ）
平均
V
CC
电源电流
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
-50版
-60版
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
IH
)
平均
V
CC
电源电流
在RAS只刷新周期
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
-50版
-60版
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
20
10
V
V
V
V
A
A
2.4
– 0.5
2.4
–
– 20
– 10
单位
TEST
条件
1)
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
–
–
960
880
32
mA
mA
mA
2) 3) 4)
I
CC2
I
CC3
–
–
–
960
880
mA
mA
2) 4)
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
