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图。 AMBIENT RS1A - RS1G
相
125
WAVE 60赫兹
175
1 –
25°C
温度（ ℃ ）
前锋
单身
20
半
150 100
RS1J-SR1M
1兆赫
10
1 25
TJ =
50
f
4
=
75
电流降额曲线
100
图。
单身
- 最大NON-
1
2
5
0.8
0.00
2
0.2 0.4 0.6
10
HYESD2045FN2
单通道低电容ESD保护二极管阵列
HYESD2045FN2是单通道超低电容轨钳位ESD保护二极管阵列，其
包括额定浪涌保护高速数据线。每个通道都包含一对ESD二极管的说
转向正或负的ESD电流以正或负轨。典型应用中，
负电源引脚与接地系统相连。实证ESD电流被控制在了地上
通过内部的齐纳二极管，以保护保护电路的电源。
特点
单通道ESD保护
提供ESD保护，符合IEC61000-4-2第4级
- + 15kV空气放电
- + 10kV接触放电
超低电容0.9pF （最大值）
低钳位电压& 5V工作电压
应用
蜂窝手机&配件
- 数码相机
平板显示器/电视
蜂窝手机&配件
- 笔记本电脑
机械信息
案例： DFN- 2-1.0x0.6x0.5套餐
无铅，无卤素，符合RoHS / WEEE Complian
HYESD2045FN2
DFN-2
引脚配置
1
2
REV 。 0.9 ， 16月， 2012
HYESD2045FN2
最大额定值和热特性（T
C
=25℃ )
参数
峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）
峰值脉冲电流（ 8 / 20μS ）
符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）
符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）
工作温度范围
存储温度范围
符号
P
PP
I
PP
V
ESD
V
ESD
T
op
T
英镑
价值
120
5
+15KV
+10KV
-55到+125
-55到+150
单位
W
A
V
V
℃
℃
电气特性（T
C
= 25 ℃ ，除非另有说明）
参数
反向工作电压
反向击穿电压
反向漏电流
符号
测试条件
I
BR
=1mA;
I / O引脚与GND
V
RWM
= 5V ，T = 25 ℃;
I / O引脚与GND
I
PP
= 1A ，T
P
=8/20us;
正脉冲;
I / O引脚与GND
I
PP
= 1A ，T
P
=8/20us;
负脉冲;
I / O引脚与GND
V
R
= 0V ， F = 1MHz的;
I / O引脚与GND
民
-
6
-
典型值
-
-
-
最大
5
单位
V
V
V
RWM
I / O引脚与GND
V
BR
I
R
1
uA
正钳位电压
V
C
-
8.5
12
V
负钳位电压
V
C
-
1.8
-
V
结电容
之间的I / O和GND
C
J
-
0.5
0.9
pF
REV 。 0.9 ， 16月， 2012
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