【图。 AMBIENT RS1A - RS1G相125WAVE 60赫兹1751 –25°C温度（ ℃】,IC型号HYESD1065M,HYESD1065M PDF资料,HYESD1065M经销商,ic,电子元器件-51电子网

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图。 AMBIENT RS1A - RS1G

相

125

WAVE 60赫兹

175

1 –

25°C

温度（ ℃ ）

前锋

单身

20

半

150 100

RS1J-SR1M

1兆赫

10

1 25

TJ =

50

f

4

=

75

电流降额曲线

100

图。

单身

- 最大NON-

1

2

5

0.8

0.00

2

0.2 0.4 0.6

10

HYESD1065M / HYESD1065P

6通道低电容ESD保护二极管阵列

HYESD1065是一个6通道超低电容ESD保护二极管阵列，其中包括浪涌额定值

保护高速数据lines.Each通道由一对ESD二极管，可以将阳性或

负ESD电流以正或负轨。典型的应用中，负轨销

（指派为GND）与接地系统相连。实证ESD电流被控制在了地上

通过ESD二极管和齐纳二极管和正的ESD电压被钳位在齐纳电压。

特点

高速数据线6通道ESD保护

提供ESD保护，符合IEC61000-4-2第4级

- + 15kV空气放电

- + 8kV接触放电

超低电容

- I / O至GND ： 0.4pF （最大值）

- I / O到I / O ：电容是0.25 pF （最大值）

低钳位电压& 5V工作电压

应用

HDMI / DVI接口

显示端口

USB 3.0端口

平板显示器/电视

蜂窝手机&配件

PCI Express的

机械信息

案例： MSOP - 8 / DFN- 10-4.1x2.0x0.5

包

无铅，无卤素，符合RoHS / WEEE Complian

HYESD1065M

MSOP-8

引脚配置

I / O 1

I / O 2

I / O 3

I / O 4

VDD

GND

I / O 6

I / O 5

I / O 1

V

REF

NC

I / O 2

I / O 3

HYESD1065P

DFN-10

I / O 6

GND

NC

I / O 5

I / O 4

MSOP-8

DFN-10-4.1x2.0x0.5

REV.1 ， 20 -MAR- 2012

HYESD1065M / HYESD1065P

最大额定值和热特性（T

C

=25℃ )

参数

峰值脉冲功率（ 8 / 20μS ）

峰值脉冲电流（ 8 / 20μS ）

符合IEC 61000-4-2 ESD （空气）

符合IEC 61000-4-2 ESD （联系）

工作温度范围

存储温度范围

符号

P

PP

I

PP

V

ESD

V

ESD

T

op

T

英镑

价值

150

5

+15KV

+8KV

-55到+125

-55到+150

单位

W

A

V

V

℃

℃

电气特性（T

C

= 25 ℃ ，除非另有说明）

参数

反向工作电压

反向击穿电压

反向漏电流

符号

测试条件

I

BR

=1mA;

I / O引脚与GND

V

RWM

= 5V ，T = 25 ℃;

I / O引脚与GND

I

PP

= 1A ，T

P

=8/20us;

正脉冲;

任何I / O引脚与GND

I

PP

= 1A ，T

P

=8/20us;

负脉冲;

任何I / O引脚与GND

V

R

= 0V ， F = 1MHz的;

I / O引脚之间

V

R

= 0V ， F = 1MHz的;

任何I / O引脚与GND

民

-

6

-

典型值

-

-

-

最大

5

单位

V

V

V

RWM

任何I / O引脚与GND

V

BR

I

R

1

uA

正钳位电压

V

C

-

8.5

12

V

负钳位电压

V

C

-

1.8

-

V

结电容

通道之间

结电容

之间的I / O和GND

C

J

C

J

-

-

0.2

-

0.25

0.4

pF

pF

REV 。 1 ， 20 -MAR- 2012

额定值和特性曲线

HYESD1065M / HYESD1065P

典型特性曲线（T

J

= 25 ℃ ，除非另有说明）

图1 - 功率降额曲线

160

140

我个

PP

120

动力

100

80

60

40

20

0

0

25

50

75

100

125

150

环境温度（ ℃ ）

0

0

5

100

80

60

40

20

图2 - 脉冲波形

峰值

IRSM@8us

半值

IRSM/2@20us

10

15

时间（美国）

20

25

30

图3 - 结电容

与反向电压

图4 - 钳位电压

与峰值脉冲电流

20

0.5

CJ ，结电容（pF ）

钳位电压（ V）

0.4

15

0.3

0.2

0.1

0

0

1

IO / GND

10

IO / IO

F=1MHz

5

波形

TR = 8US ， TD = 20US

0

2

3

4

0

1

2

3

4

5

6

7

反向电压 - V

R

(V)

峰值脉冲电流（ A）

REV 。 1 ， 20 -MAR- 2012

HYESD1065M / HYESD1065P

订购&标识信息

产品型号

HYESD1065M

HYESD1065P

包

MSOP-8

DFN-10-4.1x2.0x0.5

记号

1065

65P

填料

13"卷轴

7"卷轴

台数

3K

3K

包装外形尺寸

MSOP -8封装

DFN -10封装

REV 。 1 ， 20 -MAR- 2012

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HYESD1065M

HYGROUP

21+

112705

MSOP8L

全新原装正品/质量有保证

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