1M ×16位动态RAM
1K & 4K刷新
（超页模式 - EDO ）
先进的信息
HYB5116165BSJ -50 / -60 / -70
HYB5118165BSJ -50 / -60 / -70
1 048 576字×16位的组织
0 70 ° C的工作温度
性能：
-50
TRAC
大隘社
TAA
TRC
THPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
50
13
25
84
20
-60
60
15
30
104
25
-70
70
20
35
124
30
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 1100积极毫瓦（ HYB5118165BSJ - 50 ）
最大。 990主动兆瓦（ HYB5118165BSJ - 60 ）
最大。 880主动兆瓦（ HYB5118165BSJ - 70 ）
最大。 550主动兆瓦（ HYB5116165BSJ - 50 ）
最大。 495主动兆瓦（ HYB5116165BSJ - 60 ）
最大。 440主动兆瓦（ HYB5116165BSJ - 70 ）
11 mW的待机（ TTL ）
5.5 。 mW的待机（ MOS ）
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患
和自刷新
超页模式（ EDO ）的能力
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
1024刷新周期/ 16毫秒HYB5118165BSJ （ 1K刷新）
4096刷新周期/ 64毫秒HYB5116165BSJ （ 4K刷新）
塑料包装：
P- SOJ - 42-1 400万
半导体集团
1
1.96
HYB 5116 （ 8 ） 165BSJ - 50 / -60 / -70
1M ×16 ， EDO DRAM
该HYB 5116 （ 8 ） 165BSJ是组织为1 048 576字×16位的16兆位动态RAM 。该
HYB 5116 （8） 165BSJ利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及
先进的电路技术，提供广泛的经营利润，在内部和系统
用户。复用地址输入允许HYB 5116 （ 8 ） 165BSJ在标准包装
SOJ 42塑料封装， 400万的宽度。这些软件包提供系统的高密度位和
与通常使用的自动检测和插入设备兼容。系统 - 取向的
功能包括单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接连接与高性能逻辑
器件系列，如肖特基TTL 。
订购信息
TYPE
HYB 5116165BJ -50
HYB 5116165BJ -60
HYB 5116165BJ -70
HYB 5118165BJ -50
HYB 5118165BJ -60
HYB 5118165BJ -70
引脚名称
A0-A9
A0-A9
A0-A11
A0到A7
RAS
OE
I/O1-I/O16
UCAS
LCAS
WE
行地址输入HYB5118165BSJ
列地址输入HYB5118165BSJ
行地址输入HYB5116165BSJ
列地址输入HYB5116165BSJ
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
上部列地址选通
下列地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
没有连接
订购代码
根据要求
根据要求
根据要求
Q67100-Q1107
Q67100-Q1108
Q67100-Q1109
包
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400轧机
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400万
P- SOJ - 42-1 400万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
2
HYB 5116 （ 8 ） 165BSJ - 50 / -60 / -70
1M ×16 ， EDO DRAM
P-SOJ-42-1
400万
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
RAS
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
HYB3118165BSJ
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
北卡罗来纳州
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
VCC
I/O5
I/O6
I/O7
I/O8
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
RAS
A11
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
HYB3116165BSJ
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
VSS
I/O16
I/O15
I/O14
I/O13
VSS
I/O12
I/O11
I/O10
I/O9
北卡罗来纳州
LCAS
UCAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
引脚配置
半导体集团
3
HYB 5116 （ 8 ） 165BSJ - 50 / -60 / -70
1M ×16 ， EDO DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O16
WE
UCAS
LCAS
.
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
16
数据输出
卜FF器
16
OE
8
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(8)
8
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
16
刷新
计数器（12）的
12
ROW
256
x16
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
ROW
存储阵列
4096x256x16
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
VCC （内部）
框图HYB 5116165BSJ
半导体集团
4
HYB 5116 （ 8 ） 165BSJ - 50 / -60 / -70
1M ×16 ， EDO DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O16
WE
UCAS
LCAS
.
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
16
数据输出
卜FF器
16
OE
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
16
刷新
计数器（10）的
10
ROW
10
1024
x16
地址
Buffers(10)
10
解码器
1024
ROW
存储阵列
1024x1024x16
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
VCC （内部）
框图HYB 5118165BSJ
半导体集团
5
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