HMC-VVD106
v01.0209
砷化镓MMIC PIN可变电压
衰减器， 36 - 50 GHz的
特点
低插入损耗： 1.5分贝
宽动态范围： 22分贝
平衡拓扑
高输入IP3 ： +17 dBm的
模拟控制电压： 0 + 4V
模具尺寸： 1.47× 1.5× 0.1毫米
1
衰减器 - 模拟 - CHIP
典型应用
这HMC- VVD106是理想的：
短途/高容量无线电
汽车雷达
测试设备
SATCOM
- 军事
点至点收音机
点多点收音机
工作原理图
概述
该HMC- VVD106是单片砷化镓PIN二极管
基于可变电压衰减器（ VVA ），这
表现出低的插入损耗，高IP3 ，和宽动态
范围内。平衡的拓扑结构提供了极好的
回波损耗，而单个控制电压可以
施加到管芯的两侧。所有接合焊盘和
模具背面有Ti / Au的金属，和PIN
二极管器件完全钝化可靠
操作。这种宽带VVA MMIC兼容
与传统的模片固定的方法，以及
热压和热超声引线键合，
因此非常适合MCM和混合微电路
应用程序。这里所示的所有数据上测量
芯片在一个50欧姆的环境和接触
射频探头。
电气电源规格，T
A
= +25 ° C， 50欧姆系统
参数
频带
插入损耗
衰减范围
回波损耗
IM3 @针=为0 dBm /音
*除另有说明外，所有的测量是从探测模
30
分钟。
典型值。
36 - 50
1.5
21
15
2
马克斯。
单位
GHz的
dB
dB
dB
dBc的
1 - 40
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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砷化镓MMIC PIN可变电压
衰减器， 36 - 50 GHz的
最小衰减与频率的关系
0
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
36
38
40
42
44
46
48
50
频率（GHz ）
-28
最大衰减与频率的关系
-20
1
衰减器 - 模拟 - CHIP
1 - 41
-22
损耗（dB）
损耗（dB）
-24
-26
-30
36
38
40
42
44
46
48
50
频率（GHz ）
回波损耗与
@频率最小衰减
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
36
38
40
42
44
46
48
50
频率（GHz ）
输入（ dB）的
OUTPUT （分贝）
回波损耗与
频率@最大衰减
0
-5
回波损耗（分贝）
-10
-15
-20
-25
-30
36
38
40
42
44
46
48
50
频率（GHz ）
输入（ dB）的
OUTPUT （分贝）
IM3与Vdd的@ 38.5 GHz的
70
60
50
IM3 （ DBC）
40
30
20
10
0
0
0.5
1
1.5
2
Vdd的（V）的
2.5
3
3.5
4
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1
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绝对最大额定值
控制电压范围（ VDD）
储存温度
工作温度
偏置电流（ IDD ）
-6V到+ 6V伏
-65至+150°C
-55至+85°C
20毫安
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
标准
GP - 2 （胶装）
[2]
[1]
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[毫米] 。
2.典型焊接区0.004 “广场。
3.背面金属：金。
4.背面金属接地。
5.焊盘金属化：黄金。
6.连接不需要的未标记的焊垫。
7.总之DIE SIZE ± 0.002 “
备用
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
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PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
PAD说明
该引脚的直流阻塞
并匹配到50欧姆。
接口示意图
1
VDD
控制输入。
2, 4
3
RFOUT
该引脚的直流阻塞
并匹配到50欧姆。
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
模具底部
GND
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装配图
注1 ：旁路电容应为100 pF的（约）陶瓷（单层）放在比衰减器30密耳无远。
注2 ：因使用<10密耳（长）获得了1.5 0.5密耳缎带上的输入和输出的最佳性能。
注3 ：第一部分可从任一侧被偏置。
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