2M ×8位动态随机存储器
HYB5117800BSJ-50/-60/-70
先进的信息
2 097 152字×8位的组织
0 70 ° C的工作温度
性能::
-50
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
90
35
-60
60
15
30
110
40
-70
70
20
35
130
45
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源
低功耗
最大。 660毫瓦活跃（ -50版）
最大。 605毫瓦活跃（ -60版）
最大。 550毫瓦活跃（ -70版）
11 mW的待机（ TTL ）
5.5 。 mW的待机（ CMOS）的
输出虚掩在周期结束时允许二维芯片选型
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患，
自刷新和测试模式
快页模式功能
所有的输入，输出和时钟完全兼容TTL
2048刷新周期/ 32毫秒
塑料包装：
P- SOJ - 28-3 400万
半导体集团
1
1.96
HYB 5117800BSJ -50 / -60 / -70
2M ×8 -DRAM
该HYB 5117800BSJ是组织为2097152字由8位16兆位动态RAM 。该HYB
5117800BSJ利用亚微米CMOS硅栅工艺的技术，以及先进的
电路技术提供广泛的经营利润，在内部和系统用户。
复用地址输入允许HYB 5117800BSJ在一个标准的28 SOJ包装
400万塑包装。这些软件包提供系统的高密度位，并兼容
常用的自动检测和插入设备。面向系统的功能包括单
+ 5 V （ ± 10 ％ ）电源，直接连接与高性能逻辑器件系列，如
肖特基TTL 。
订购信息
TYPE
HYB 5117800BSJ -50
HYB 5117800BSJ -60
HYB 5117800BSJ -70
引脚名称
A0到A10
A0到A9
RAS
OE
I/O1-I/O8
CAS
WE
行地址输入
列地址输入
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 5V）
接地（ 0 V ）
没有连接
订购代码
Q67100-Q1092
Q67100-Q1093
Q67100-Q1094
包
P-SOJ-28-3
P-SOJ-28-3
P-SOJ-28-3
400万
400万
400万
说明
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（访问时间70 ns ）
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
2
HYB 5117800BSJ -50 / -60 / -70
2M ×8 -DRAM
P- SOJ - 28-3 （ 400mil ）
VCC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
WE
RAS
北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
VCC
O
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VSS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
CAS
OE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
VSS
引脚配置
半导体集团
3
HYB 5117800BSJ -50 / -60 / -70
2M ×8 -DRAM
I/O1
I
/O2
I
/O8
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
8
数据输出
卜FF器
8
OE
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
11
COLUMN
地址
Buffer(10)
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
8
刷新
计数器（11）的
11
ROW
1024
x8
地址
Buffers(11)
11
解码器
2048
ROW
存储阵列
2048x1024x8
RAS
第1时钟
发电机
电压降低
发电机
VCC
VCC （内部）
框图
半导体集团
4
HYB 5117800BSJ -50 / -60 / -70
2M ×8 -DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................. 0 70℃
存储温度范围............................................... ..........................................- 55 150℃下
输入/输出电压.............................................. ..................................- 0.5分（ VCC + 0.5,7.0 ）V
电源voltage...................................................................................................-1.0V 7.0 V
动力dissipation.....................................................................................................................为1.0W
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注意：
条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性损伤
该设备。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件
可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70℃ ，
V
SS
= 0 V,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
t
T
= 5纳秒
参数
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
输入漏电流，任何输入
(0 V
≤
V
IH
≤
VCC + 0.3V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
VCC + 0.3V ）
平均
V
CC
电源电流：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
-70纳秒版本
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车，
t
RC
=
t
RC
分）
待机
V
CC
电源电流（ RAS CAS = =
V
IH
)
I
CC2
平均
V
CC
供电电流，在RAS-只
更新周期：
-50纳秒版本
-60纳秒版本
-70纳秒版本
（ RAS循环： CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC
分）
符号
限值
分钟。
马克斯。
Vcc+0.5
0.8
–
0.4
10
10
2.4
– 0.5
2.4
–
– 10
– 10
单元测试
条件
V
V
V
V
A
A
1)
1)
1)
1)
1)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
1)
–
–
–
–
–
–
–
120
110
100
2
120
110
100
mA
mA
mA
mA
mA
mA
mA
2) 3) 4)
2) 3) 4)
2) 3) 4)
–
2) 4)
2) 4)
2) 4)
I
CC3
半导体集团
5
2M
×
8 - 位动态随机存储器
2K刷新
（快页模式）
先进的信息
2 097 152字×8位的组织
= 0至70
°C
工作温度
快速页模式操作
性能：
-50
-60
60
15
30
104
40
ns
ns
ns
ns
ns
HYB 5117800 / BSJ -50 / -60
HYB 3117800BSJ -50 / -60
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
PC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
快速页模式周期时间
50
13
25
84
35
功耗：
HYB5117800
-50
电源
活跃
TTL待机
CMOS待机
440
-60
5
±
10%
385
11
5.5
HYB3117800
-50
288
-60
3.3
±
0.3 V
252
7.2
3.6
mW
mW
mW
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新， RAS只刷新，刷新隐患
和测试模式
所有输入，输出及钟表充分TTL （ 5 V版本）和LV- TTL （3.3V版本）兼容
2048刷新周期/ 32毫秒（ 2K刷新）
塑料包装：
P- SOJ - 28-3 400万
半导体集团
1
1998-10-01
HYB 5（3 ）， 117800 / BSJ -50 / -60
2M
×
8 DRAM
该HYB 5（3） 117800顷16兆比特的基础上冲模修改的“G” & “F”和动态RAM
组织为2 097 152字×8位。该HYB 5（3） 117800利用亚微米CMOS硅
栅工艺技术，以及先进的电路技术，提供广泛的经营利润，
在内部和系统用户。复用地址输入允许HYB 5 （ 3 ） 117800至
被封装在一个标准SOJ -28塑料封装。 400密耳的宽度套票。
这些软件包提供系统的高密度位，并与常用的兼容
自动检测和插入设备。
订购信息
TYPE
HYB 5117800BSJ -50
HYB 5117800BSJ -60
HYB 3117800BSJ -50
HYB 3117800BSJ -60
订购代码
Q67100-Q1092
Q67100-Q1093
根据要求
根据要求
包
说明
P- SOJ - 28-3 400万5 V 50纳秒FPM -DRAM
P- SOJ - 28-3 400万5 V 60纳秒FPM -DRAM
P- SOJ - 28-3 400万3.3 V 50 ns的FPM -DRAM
P- SOJ - 28-3 400万3.3 V 60 ns的FPM -DRAM
P- SOJ - 28 400万
V
CC
I/O1
I/O2
I/O3
I/O4
WE
RAS
北卡罗来纳州
A10
A0
A1
A2
A3
V
CC
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
V
SS
27 I / O8
26 I / O7
25 I / O6
24 I / O5
23 CAS
22 OE
21 A9
20 A8
19 A7
18 A6
17 A5
16 A4
15
V
SS
SPP02803
引脚名称和配置
A0 - A10
A0 - A9
RAS
OE
I / O1 - I / O8
CAS
WE
行地址输入
列地址输入
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源
+ 5V用于HYB 5117800
+ 3.3 V的HYB 3117800
接地（ 0 V ）
没有连接
V
CC
V
SS
北卡罗来纳州
半导体集团
2
1998-10-01
HYB 5（3 ）， 117800 / BSJ -50 / -60
2M
×
8 DRAM
I / O1 I / O2
I/O8
DATA IN
卜FF器
WE
CAS
8
NO.2时钟
发电机
＆放大器;
数据输出
卜FF器
OE
8
10
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
COLUMN
地址
缓冲器（ 10 ）
10
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（11）的
11
11
ROW
地址
缓冲器（ 11 ）
11
ROW
解码器
2048
1024
x8
存储阵列
2048 x 1024 x 8
RAS
NO.1时钟
发电机
电压降低
发电机
SPB03456
V
CC
V
CC
（内部）
框图
半导体集团
3
1998-10-01
HYB 5（3 ）， 117800 / BSJ -50 / -60
2M
×
8 DRAM
绝对最大额定值
工作温度范围............................................... ............................................ 0-70
°C
存储温度范围............................................... ......................................... - 55 150
°C
输入/输出电压（5V版本） ......................................... .......... - 0.5分钟（
V
CC
+ 0.5, 7.0) V
输入/输出电压（ 3.3 V版本） ......................................... ....... - 0.5分钟（
V
CC
+ 0.5, 4.6) V
电源电压（5V版本） .......................................... ............................. - 1.0 V至7.0 V
电源电压（ 3.3 V版本） .......................................... .......................... - 1.0 V至4.6 V
功耗（5V版本） ........................................... ..................................................为1.0W
功耗（ 3.3 V版本） ........................................... ............................................... 0.5瓦
数据输出电流（短路） ........................................... .................................................. ... 50毫安
注：条件超过上述“绝对最大额定值”，可能会造成永久性的
该装置的损坏。暴露在绝对最大额定值条件下长时间
可能会影响器件的可靠性。
DC特性
T
A
= 0至70
°C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2纳秒
参数
5 V版本
电源电压
输入高电压
输入低电压
输出高电压（
I
OUT
= - 5毫安）
输出低电压（
I
OUT
= 4.2 mA）的
3.3 V版本
电源电压
输入高电压
输入低电压
TTL输出高电压（
I
OUT
= - 2 mA）的
TTL输出低电压（
I
OUT
= 2 mA）的
CMOS输出高电压（
I
OUT
= – 100
A)
CMOS输出低电压（
I
OUT
= 100
A)
符号
限值
分钟。
马克斯。
5.5
0.8
–
0.4
3.6
0.8
–
0.4
0.2
单元测试
条件
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
CC
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
OH
V
OL
4.5
2.4
– 0.5
2.4
–
3.0
2.0
– 0.5
2.4
–
–
V
1
1
1
1
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
V
V
CC
+ 0.5 V
V
V
V
V
V
1
1
1
1
V
CC
– 0.2 –
半导体集团
4
1998-10-01
HYB 5（3 ）， 117800 / BSJ -50 / -60
2M
×
8 DRAM
DC特性
（续）
T
A
= 0至70
°C,
V
SS
= 0 V,
t
T
= 2纳秒
参数
通用参数
输入漏电流
(0 V
≤
V
IH
≤
V
CC
+ 0.3 V ，所有其他引脚= 0 V）
输出漏电流
（ DO被禁用， 0 V
≤
V
OUT
≤
V
CC
+ 0.3 V)
平均
V
CC
电源电流
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS ， CAS ，地址，骑自行车：
t
RC
=
t
RC分钟。
)
待机
V
CC
电源电流（ RAS CAS = =
V
IH
)
I
CC2
平均
V
CC
供电电流，在RAS-只
I
CC3
刷新周期
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS骑自行车， CAS =
V
IH
,
t
RC
=
t
RC分钟。
)
平均
V
CC
电源电流，
在快页模式
符号
限值
分钟。
马克斯。
10
10
单元测试
条件
I
I（L）
I
O（ L）
I
CC1
– 10
– 10
A
A
1
1
–
–
–
–
–
80
70
2
80
70
mA
mA
mA
mA
mA
2, 3, 4
2, 3, 4
–
2, 4
2, 4
I
CC4
–
–
25
20
1
mA
mA
mA
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS =
V
IL
中国科学院，地址自行车：
t
PC
=
t
最少。
)
2, 3,) 4
2, 3, 4
待机
V
CC
电源电流
（ RAS CAS = =
V
CC
– 0.2 V)
I
CC5
–
1
平均
V
CC
供电电流，在CAS-
I
CC6
前-RAS刷新模式
-50纳秒版本
-60纳秒版本
（ RAS ， CAS自行车：
t
RC
=
t
RC分钟。
)
电容
T
A
= 0至70
°C,
V
CC
= 5 V
±
10 %,
f
= 1兆赫
参数
输入电容（A0至A10）
输入电容（ RAS ， CAS ， WE ， OE ）
I / O电容（ I / O1到I / O8 ）
–
–
80
70
mA
mA
2, 4
2,) 4
符号
限值
分钟。
马克斯。
5
7
7
–
–
–
单位
pF
pF
pF
C
I1
C
I2
C
IO
半导体集团
5
1998-10-01
QQ：2880707522 复制
