HN1V02H
东芝变容二极管
硅外延平面型
HN1V02H
AM无线电波段调谐应用
高电容比： C1 V / C8 V = 19.5 （典型值）。
高Q值： Q = 200 （分钟）
包括FM8封装两个设备（平面封装微型8引脚）
低电压工作： V
R
= 1~8 V
单位：mm
绝对最大额定值
（大
=
25℃） （D
1
, D
2
)
特征
反向电压
结温
存储温度范围
符号
V
R
T
j
T
英镑
等级
16
125
55~125
单位
V
°C
°C
注：在重负载下连续使用的（如高的应用
温度/电流/电压和在显著变化
温度等）可能会导致此产品在减少
可靠性显著即使工作条件下（即
工作温度/电流/电压等）内的
绝对最大额定值。
请在审查设计相应的可靠性
东芝半导体可靠性手册（ “处理
注意事项“ / ”降额的概念和方法“ ）和个人
可靠性数据（即可靠性试验报告，估计故障率，
等）。
JEDEC
JEITA
东芝
―
―
1-5J1B
重量0.05克（典型值）。
电气特性
（大
=
25℃） （D
1
, D
2
)
特征
反向电压
反向电流
电容
电容
电容
电容
电容比
勋章图
符号
V
R
I
R
C1 V
C3 V
C5 V
C8 V
C1 V / C8 V
Q
I
R
=
10
μA
V
R
=
16 V
V
R
=
1 V，F
=
1兆赫
V
R
=
3 V，F
=
1兆赫
V
R
=
5 V，F
=
1兆赫
V
R
=
8 V，F
=
1兆赫
V
R
=
1 V，F
=
1兆赫
测试条件
民
16
435
140
50.0
19.9
16.2
200
典型值。
19.5
最大
20
540
250
90.0
26.7
单位
V
nA
pF
pF
pF
pF
注1：在一个封装内的两个设备都匹配的电容至2.5％ 。
C（最大值）
C（分钟）
＆ LT ;
=
0.025 (V
R
=
1~8 V)
C（分钟）
注2 ： C8 V被分为两个分类如下。
分类
A
B
C8 V （PF ）
19.9~23.7
22.4~26.7
1
2007-11-01
HN1V02H
限制产品使用
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20070701 - EN GENERAL
东芝正在不断努力提高其产品的质量和可靠性。不过，半导体
在一般的设备可能发生故障或失效，由于其固有的电灵敏度和容易受到物理
压力。它是利用东芝产品时，买方的责任，以符合标准
安全性在制造安全的设计对整个系统，并避免出现在其中一个发生故障或失效
如东芝的产品可能会造成人的生命，人身伤害或财产损失财产。
在开发设计时，请确保东芝产品在规定的工作范围内所用
阐述在最近东芝产品规格。另外，请记住注意事项，
设置条件提出了在“操作指南半导体器件”或“东芝半导体可靠性
手册“等。
本文档中列出的东芝产品用于使用一般的电子应用
（计算机，个人设备，办公设备，测量设备，工业机器人，家用电器，
等） ，这些东芝的产品既不打算也不在设备需要保证的用法
非常高的品质和/或可靠性或故障或故障可能导致人的生命损失或
人身伤害（ “意外用法” ） 。意想不到的用途包括原子能控制仪器仪表，飞机或
太空船仪器，运输仪器，交通信号仪器仪表，燃烧控制仪表，
医疗器械，各种安全装置等。东芝产品的非预期使用中列出了他
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2007-11-01
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