2007年9月

HY[B/I]39S256[40/80/16]0FT(L)

HY[B/I]39S256[40/80/16]0FE(L)

HYB39S256[40/80/16]0FF(L)

Y B 39号第256 407F ê

256兆位同步DRAM

SDRAM

互联网数据表

修订版1.42

互联网数据表

HY[B/I]39S256[40/80/16][0/7]F[E/T/F](L)

256兆位同步DRAM

HY [ B / I ] 39S256 [ 40/80/16 ] 0FT （L） ， HY [ B / I ] 39S256 [ 40/80/16 ] 0FE （L） HYB39S256 [ 40/80/16 ] 0FF （L）的， HYB39S256407FE

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4

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科目（自上次调整的重大变化）

改编网络版

表4中更正的SDRAM组织X4

编辑修改

纠正HYB39S256407FF -7 HYP39S256407FE - 7

纠正HYB39S256400FE -7 HYB39S256400FF - 7

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

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互联网数据表

HY[B/I]39S256[40/80/16][0/7]F[E/T/F](L)

256兆位同步DRAM

1

1.1

概观

特点

字节控制数据面膜（ X16 ）

自动刷新（ CBR）和自刷新

掉电和时钟挂起模式

8192刷新周期/ 64毫秒（ 7.8

μs)

随机列地址每CLK （ 1 -N规则）

单3.3 V± 0.3 V电源

LVTTL接口版本

包：

- P （ G） -TSOPII - 54 （ 400mil宽度）

- PG- TFBGA -54

本章列出的产品系列HYB39S256 [ 400/800/160 ] F [ E / T / F] （ L）和订购信息的所有主要功能。

完全同步的时钟上升沿

0到70

°C

标准工作温度

-40到85

°C

工业工作温度

由BA0 & BA1控制四家银行

可编程CAS延时： 2 & 3

可编程的缠绕顺序：顺序或交织

可编程的突发长度：1， 2 ，4，8和整版

多个突发读取与单写操作

自动和控制预充电命令

数据掩码为读/写控制（ X4，X8 ）

表1

性能

Poduct类型速度码

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL3

–6

PC166–333

–7

PC133–222

143

7

5.4

7.5

5.4

单位

—

兆赫

ns

ns

ns

ns

@CL2

f

CK3

t

CK3

t

AC3

t

CK2

t

AC2

166

6

5.4

7.5

5.4

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3

互联网数据表

HY[B/I]39S256[40/80/16][0/7]F[E/T/F](L)

256兆位同步DRAM

1.2

描述

该HYB39S256 [ 400/800/160 ] F [ E / T / F] （L ）的组织为4组×16兆比特X4 4银行同步DRAM ，

银行4个8 Mbit ×8和4的银行分别为×4兆位X16 。这些同步设备实现高速的数据传输速率

对CAS延迟通过使用芯片架构，预取多个位，然后进行同步的数据输出到

系统时钟。该芯片制造与奇梦达的先进的0.11微米256兆位DRAM制程技术。

该设备被设计为符合同步DRAM产品设置的所有行业标准，电气和

机械。所有的控制，地址，数据输入输出电路均与一个外部的正边沿同步

提供的时钟。

操作的四个存储体中的交错的方式允许随机存取操作发生在更高的速度比是

可以使用标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率可能因突发长度， CAS延迟和

该设备的速度等级。

自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件采用单3.3 V± 0.3 V电源。

所有的256 - Mbit的成分是P（ G） -TSOPII - 54和PG- TFBGA -54封装。

表2

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

HYB39S256407FE-7

HYB39S256400FF-7

HYB39S256400FE-7

HYB39S256400FFL-7

HYB39S256400FEL-7

HYB39S256800FF-7

HYB39S256800FE-7

HYB39S256800FFL-7

HYB39S256800FEL-7

HYB39S256160FF-7

HYB39S256160FE-7

HYB39S256160FFL-7

HYB39S256160FEL-7

HYB39S256160FF-6

HYB39S256160FE-6

HYB39S256160FFL-6

HYB39S256160FEL-6

工业工作温度

HYI39S256800FE-7

HYI39S256160FE-7

PC166-333

143MHz下32M ×8 SDRAM

143MHz下16M ×16 SDRAM

PG-TSOPII-54

1)

速度等级

PC133-222

描述

143MHz下64M ×4 SDRAM

包

PG-TFBGA-54

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

记

1)

标准工作温度

143MHz下32M ×8 SDRAM

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

143MHz下16M ×16 SDRAM

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

166MHz的16M ×16 SDRAM

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

PG-TFBGA-54

PG-TSOPII-54

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

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HY[B/I]39S256[40/80/16][0/7]F[E/T/F](L)

256兆位同步DRAM

表3

对含铅产品订货信息

产品类型

HYB39S256400FT-7

HYB39S256400FTL-7

HYB39S256800FT-7

HYB39S256800FTL-7

HYB39S256160FT-7

HYB39S256160FTL-7

HYB39S256160FT-6

工业工作温度

HYI39S256800FT-7

HYI39S256160FT-7

PC133-222

143MHz下32M ×8 SDRAM

143MHz下16M ×16 SDRAM

P-TSOPII-54

166MHz的16M ×16 SDRAM

143MHz下16M ×16 SDRAM

143MHz下32M ×8 SDRAM

速度等级

PC133-222

描述

143MHz下64M ×4 SDRAM

包

P-TSOPII-54

标准工作温度

注：有关产品命名看

第6章

这个数据表

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