航天电子
FIFO -SOI
特点
1K ×36 ， 2K ×18 ， 4K ×9机构
与RICMOS捏造
四，绝缘体上硅
（SOI） 0.8
m
过程（L
EFF
= 0.65m)
辐射
其他
读/写周期时间
＆ {35 ns的（-55 ℃至125 ℃）
可扩展的宽度
HX6409
HX6218
HX6136
支持自由运行50 ％占空比的时钟
总剂量硬度通过1×10拉德（SIO
2
)
空，满，半满，满1/4 ， 3/4满，错误标志
中子通过硬度1×10厘米
14
-2
6
奇偶发生器/检查
动态和静态瞬态底价硬度
通过1×10
9
RAD （SI ） / S
剂量率生存能力通过1×10
11
RAD （SI ） / S
输出使能（ OE ）
对＆ LT软错误率; 1×10
无闭锁
采用5 V单
±
10 ％的电力供应
各种扁平封装选项
-10
完全异步与同步
读写操作
冷门/位天
CMOS或TTL兼容的I / O
概述
该HX6409 ， HX6218 ， HX6136和高转速，低
电源，先入先出存储器与时钟读取和
写接口。该HX6409是一个4096字由9位
存储阵列中， HX6218是2048字18位
存储阵列，而HX6136是1024字36位
存储器阵列。 FIFO能够支持宽度扩大，同时
深度扩展需要使用状态的外部逻辑控制
机技术。其特点包括可编程杆
性控制，空/满标志，一季度/三季度末满
标志，一个半满标志和错误标志。
这些FIFO提供了各种各样的数据的解
缓冲的需求，包括高速数据采集，
多处理器接口和通信buffer-
ING 。这些FIFO具有单独的输入和输出端口
这是由独立的时钟控制，并且使显
良。输入端口是由一个自由运行的时钟控制
（ CKW ）和写使能引脚
ENW
。当
ENW
is
置，数据被写入到FIFO的上升沿
在CKW信号。而
ENW
保持活跃，数据是
不断地写入到每个CKW循环的FIFO中。
输出端口通过一个自由的控制以类似的方式
运行的读时钟（ CKR ）和读使能引脚（
ENR
） 。在
此外，三个FIFO已输出使能引脚（
OE
)
和主复位引脚（
MR
） 。读（ CKR ）和write
（ CKW ）时钟可连接在一起的单时钟
操作或两个时钟可以独立于运行
异步读/写应用程序。时钟频率
高达30 MHz是可以实现的，在三种配置。
霍尼韦尔增强型SOI RICMOS IV （辐射在 -
敏感的CMOS ）技术是通过抗辐射
采用先进的和专有的设计，布局和
过程强化技术。该FIFO是用纤维制作
霍尼韦尔的抗辐射技术，是DE-
在辐射操作系统签订的使用环境
求。在SOI RICMOS IV过程是一个5伏， SIMOX
CMOS技术具有150埃的栅氧化层和一个最小
0.8绘制特征尺寸
m,
(0.65
m
有效栅
阵列-L
EFF
） 。其他功能还包括通过插头钨，
霍尼韦尔的专利SHARP平坦化的过程中，
和一个轻掺杂漏（LDD ）结构的改进的短
通道的可靠性。
固体电子学中心 12001国道55 ，普利茅斯，MN 55441 （ 800 ） 323-8295 http://www.ssec.honeywell.com
HX6409/HX6218/HX6136
信号定义
信号名称
D: 0 - 35
Q: 0 - 35
I / O
I
O
描述
数据输入：数据输入被写入FIFO上CKW时的上升沿
ENW
是积极的FIFO未满。
数据输出：数据输出被读出FIFO存储器中，并更新在上升
CKR当边缘
ENR
处于活动状态， FIFO不为空。的数据输出是在一
如果高阻抗状态
OE
不活跃。
启用写入：一个低电平信号，使数据输入的写上CKW
上升沿（如果FIFO未满） 。
使能读：一个低电平有效信号，使输出的数据的读取和更新
在CKR上升沿（如果FIFO非空） 。
写时钟：上升沿时钟数据写入FIFO时，
ENW
为低（有效）。对
上升沿，此信号也更新了半满， 3/4全员，全程，全面和故障标志。
读时钟：上升沿时钟数据从FIFO时
ENR
为低（有效）。上
上升沿，此信号也更新了1/4满，空和空故障标志。
半满标志：更新时间CKW的上升沿指示FIFO较大
超过一半。
空或满标志：空上更新CKR的上升沿，并全部被更新
CKW的上升沿。
1/4或3/4满标志： 1/4全部被更新中九龙干线的上升沿和3/4满是
更新在CKW的上升沿。 1/4全表示，在1K ×36 256或更少的话
FIFO和3/4满表示256字以内，直到一个完整的状态。
空或满故障标志：空故障被更新中九龙干线的上升沿和完整
故障被更新在CKW的上升沿。空故障表示读一个已
空FIFO ，以及完整的故障意味着写入到一个已经完全FIFO。一旦故障状态
检测，故障标志保持锁定，直到空或满的条件被删除。
主复位：低有效信号，激活时，重置设备以空状态。
输出使能：低电平有效信号，主动的时候，实现了低阻抗数据
输出Q ： 0 - 35 。
ENW
I
I
I
I
O
O
O
ENR
CKW
CKR
HF
E / F
QF / TQF
EF_Fault
O
MR
O
E
I
I
可编程的奇偶校验选项
D2
O
I
I
I
I
D1
X
O
O
I
I
D0
X
O
I
O
I
条件
禁止奇偶校验
产生偶校验， Q8 ， Q17 ， Q26 ， Q35
产生奇校验， Q8 ， Q17 ， Q26 ， Q35
检查偶校验，错误的Q8 ， Q17 ， Q26 ， Q35 ，错误是一个低信号
检查奇校验，错误的Q8 ， Q17 ， Q26 ， Q35 ，错误是一个低信号
3
HX6409/HX6218/HX6136
辐射特性
总的电离辐射剂量
所有FIFO配置将满足所有规定的功能和
电气规格在整个工作温度
指定的总电离辐射剂量后TURE范围。
所有电气和时序性能参数将重新
在反弹后的规格在VDD = 5.5 V主
和T = 125 ℃，外推到十多年的经营。总
剂量硬度是有保证的过程晶圆级测试
显示器晶体管和产品使用10千电子伏X射线和
辐射源。晶体管栅极阈移correla-
系统蒸发散已施加在10KeV的X射线之间
1×10的剂量率
5
RAD （SIO
2
） / min的在T = 25℃和伽玛
射线（钴60源），以确保晶片级的X射线
测试与标准的军用辐射试验一致
环境。
每个FIFO将满足任何功能性或电气规范
暴露于辐射脉冲后和灰
≤50
ns的时间
高达1×10
11
RAD （SI ） /秒，当在应用推荐
操作条件。注意在传导的电流
该脉冲由输入，输出和电源可
显著超出正常水平。该应用程序
阳离子的设计必须适应这些影响。
中子辐射
每个FIFO的配置将满足任何功能或时间
达1×10的总中子通量后规范
14
cm
-
2
在推荐的操作或储存条件适用
系统蒸发散。这假定1兆电子伏特的等效中子能量。
瞬态脉冲电离辐射
软错误率
每个FIFO的配置能够写作，阅读
期间暴露于后，并保留存储的数据
的<50 NS病程可达瞬态电离辐射脉冲
1x10
9
RAD （SI ） /秒，当应用下能操作建议
阿婷的条件。为了确保所有指定perfor-的有效性
曼斯参数之前，过程中和照射后
（在瞬态脉冲辐射降解时间（时序
在瞬态脉冲辐射荷兰国际集团退化
≤10%),
因此建议加强电容被邻近放置
包VDD和VSS ，最大电感
的封装（芯片）和加强电容器之间
0.7 nH的每个部分。如果没有操作过或有效
存储的数据的要求，典型的电路板安装
去耦电容器被推荐。
该FIFO配置有软错误率（ SER ） perfor-
的<1x10曼斯
-10
冷门/位日，在推荐
操作条件。此硬度级别由定义
亚当斯90％的最坏情况下的宇宙射线环境。
闭锁
这个FIFO的配置不会闭锁，由于任何一个
上述辐射照射的条件下，当施加
推荐工作条件。制作与
其氧化物隔离确保闭锁SIMOX基板
免疫力。
辐射硬度值（ 1 ）
参数
总剂量
瞬时剂量率翻转
瞬时剂量率生存能力
软错误率
中子注量
极限（ 2 ）
≥1x10
6
≥1x10
9
≥1x10
11
<1x10
-10
≥1x10
14
单位
RAD （SIO
2
)
RAD （SI ） / S
RAD （SI ） / S
冷门/位天
牛顿/厘米
2
测试条件
T
A
=25°C
脉冲宽度
≤50
ns
脉冲宽度
≤50
纳秒， X射线，
VDD = 6.0 V，T
A
=25°C
T
A
= 125°C ，亚当斯90 ％
最坏的情况下的环境
1兆电子伏的能量相当于，
无偏，T
A
=25°C
（1）设备不会闭锁由于任何指定的辐射照射的条件。
（ 2 ）工作条件（除非另有说明） ： VDD = 4.5 V至5.5 V ， TA = -55 ° C至125°C 。
4
HX6409/HX6218/HX6136
绝对最大额定值
(1)
等级
符号
VDD
VPIN
Tstore
Tsolder
PD
IOUT
VPROT
参数
电源电压范围（ 2 ）
任何引脚电压（ 2 ）
存储温度（零偏）
焊接温度（ 5秒）
最大功率耗散（ 3 ）
DC或平均输出电流
ESD输入保护电压（ 4 ）
热电阻（ JCT-到案例）
结温
2000
5
175
民
-0.5
-0.5
-65
最大
7.0
VDD+0.5
150
270
2.5
25
单位
V
V
°C
°C
W
mA
V
° C / W
°C
Θ
JC
TJ
（ 1 ）强调超过上述所列可能导致永久性损坏。这些压力额定值只，和运行在这些级别是不
暗示。经常或长期暴露在绝对最大条件可能会影响器件的可靠性。
（2 ）电压引用到VSS。
（ 3 ） FIFO功耗（ IDDSB + IDDOP ）加FIFO的输出驱动器的功耗是由于外部载荷不得超过本规范。
（ 4 ） 2级静电放电（ ESD）保护的输入。按降序认证的实验室按照MIL -STD -883方法3015进行测试。
推荐工作条件
描述
符号
VDD
TA
VPIN
参数
电源电压（参考VSS ）
环境温度
任何引脚电压（参考VSS ）
民
4.5
-55
-0.3
典型值
5.0
25
最大
5.5
125
VDD+0.3
单位
V
°C
V
电容
(1)
符号
CI
CO
参数
输入电容
输出电容
典型
(1)
最坏的情况下
民
最大
7
9
pF
pF
VI = VDD和VSS ， F = 1兆赫
VIO = VDD和VSS ， F = 1兆赫
单位
测试条件
（ 1 ）该参数仅在最初的设计特性进行测试。
数据保持特性
符号
VDR
IDR
参数
数据保持电压
数据保持电流
典型
(1)
最坏的情况下
(2)
民
2.5
500
最大
V
A
NCS = VDR
VI = VDR或VSS
NCS = VDD = VDR
VI = VDR或VSS
单位
测试条件
（ 1 ）典型工作条件： TA = 25℃ ，预辐射。
（ 2 ）最坏情况下的运行条件： TC = -55 ° C至+ 125°C ，后总剂量为25 ℃。
5
QQ：2880707522 复制
