HYB 39S128400 / 800 / 160CT ( L)
128兆位同步DRAM
128兆位同步DRAM
高性能:
-7
-7.5
133
7.5
5.4
10
6
-8
125
8
6
10
6
单位
兆赫
ns
ns
ns
ns
多种突发读与写单
手术
自动和控制预充电
命令
数据模板的读/写控制( X4,X8 )
数据掩码字节控制( X16 )
自动刷新( CBR)和自刷新
掉电和时钟挂起模式
4096刷新周期/ 64毫秒
f
CK
t
CK3
t
AC3
t
CK2
t
AC2
143
7
5.4
7.5
5.4
单脉冲RAS接口
完全同步的时钟上升沿
= 0至70
°
C的工作温度
四家银行通过BA0和放大器的控制; BA1
可编程CAS延时: 2,3
可编程的缠绕顺序:顺序
或交织
可编程突发长度:
1,2, 4,8和整版
随机列地址每CLK
( 1 -N规则)
3.3 V单
±
0.3 V电源
LVTTL接口
塑料包装:
P- TSOPII - 54 400mil X 875密耳的宽度
(x4, x8, x16)
-7
对于PC 133 2-2-2应用
-7.5用于PC 133 3-3-3应用
-8
对于PC100 2-2-2应用
该HYB 39S128400 / 800 / 160CT四个银行同步DRAM的组织为4
银行
×
8Mbit的4倍, 4银行
×
4MB的x8和4银行
×
2Mbit的X16分别。这些同步
设备实现高速数据传输速率通过采用芯片架构,预取
多个位,然后输出数据同步到系统时钟。该芯片采用制造
英飞凌先进的0.17微米制程技术。
该设备被设计为符合同步DRAM产品设置的所有行业标准,
在电气上和机械上。所有的控制,地址,数据输入和输出电路中是
用外部提供的时钟的上升沿同步。
操作四个存储体交错的方式允许随机存取操作发生
以更高的速度可能比标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率
可能因突发长度, CAS延迟和设备的速度等级。
自动刷新( CBR)和自刷新操作的支持。这些设备与单个操作
3.3 V
±
0.3 V电源供电,在TSOPII封装。
在网络连接霓虹灯技术
1
9.01
HYB 39S128400 / 800 / 160CT ( L)
128兆位同步DRAM
订购信息
TYPE
HYB 39S128400CT - 7
HYB 39S128400CT - 7.5
HYB 39S128400CT - 8
HYB 39S128800CT - 7
HYB 39S128800CT - 7.5
HYB 39S128800CT - 8
HYB 39S128160CT - 7
HYB 39S128160CT - 7.5
HYB 39S128160CT - 8
HYB 39S128160CTL - 8
HYB 39S128160CTL - 7.5
功能代码包
描述
PC133-222-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
143MHz下4B
×
8M SDRAM X4
PC133-333-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
133 MHz的4B
×
8M SDRAM X4
PC100-222-620 P- TSOP - 54 ( 400mil )
100 MHz的4B
×
8M SDRAM X4
PC133-222-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
143 MHz的4B
×
4M SDRAM X8
PC133-333-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
133 MHz的4B
×
4M SDRAM X8
PC100-222-620 P- TSOP - 54 ( 400mil )
100 MHz的4B
×
4M SDRAM X8
PC133-222-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
143 MHz的4B
×
2M X16 SDRAM
PC133-333-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
133 MHz的4B
×
2M X16 SDRAM
PC100-222-620 P- TSOP - 54 ( 400mil )
100 MHz的4B
×
2M X16 SDRAM
PC100-222-620 P- TSOP - 54 ( 400mil )
100 MHz的4B
×
2M X16 SDRAM
低功率( “ L”),版本
PC133-333-520 P- TSOP - 54 ( 400mil )
133 MHz的4B
×
2M X16 SDRAM
低功率( “ L”),版本
引脚定义和功能
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
A0 - A11
BA0 , BA1
时钟输入
时钟使能
芯片选择
行地址选通
列地址选通
写使能
地址输入
BANK SELECT
DQ
DQM , LDQM ,
UDQM
数据输入/输出
数据屏蔽
电源( + 3.3V)
地
电源DQ的( + 3.3 V )
地面DQ的
没有连接
V
DD
V
SS
V
DDQ
V
SSQ
北卡罗来纳州
在网络连接霓虹灯技术
2
9.01
HYB 39S128400 / 800 / 160CT ( L)
128兆位同步DRAM
的8M ×16
16米乘八
32 ×4
V
DD
DQ0
V
DD
DQ0
V
DD
北卡罗来纳州
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ0
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
SSQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ1
V
SSQ
DQ7
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
SSQ
北卡罗来纳州
V
DD
LDQM
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
北卡罗来纳州
WE
CAS
RAS
CS
BA0
BA1
A10
A0
A1
A2
A3
V
DD
V
DD
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
V
SS
北卡罗来纳州
V
SS
DQ7
V
SS
DQ15
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ3
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ6
V
SSQ
DQ14
DQ13
V
DDQ
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
DQ5
V
DDQ
DQ12
DQ11
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ2
V
SSQ
北卡罗来纳州
DQ4
V
SSQ
DQ10
DQ9
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
DDQ
北卡罗来纳州
V
DDQ
DQ8
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
北卡罗来纳州
DQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
北卡罗来纳州
UDQM
CLK
CKE
北卡罗来纳州
A11
A9
A8
A7
A6
A5
A4
V
SS
V
SS
V
SS
TSOPII - 54 (10.16毫米× 22.22毫米,0.8 mm间距)
SPP04121
引脚配置为X4,X8 & X16有组织128M -的DRAM
在网络连接霓虹灯技术
3
9.01
HYB 39S128400 / 800 / 160CT ( L)
128兆位同步DRAM
功能方框图
列地址
A0 - A9 , A11 , AP ,
BA0 , BA1
行地址
A0 - A11,
BA0 , BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
ROW
解码器
ROW
解码器
ROW
解码器
ROW
解码器
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
BANK 0
4096
x 2048
×4位
银行1
4096
x 2048
×4位
2银行
4096
x 2048
×4位
列解码器
感测放大器&我( O)总线
内存
ARRAY
内存
ARRAY
内存
ARRAY
内存
ARRAY
3银行
4096
x 2048
×4位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
DQ0 - DQ3
框图: 32M SDRAM的4倍(12 /11/2寻址)
在网络连接霓虹灯技术
4
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
SPB04122
9.01
HYB 39S128400 / 800 / 160CT ( L)
128兆位同步DRAM
列地址
A0 - A9 , AP ,
BA0 , BA1
行地址
A0 - A11,
BA0 , BA1
列地址
计数器
列地址
卜FF器
行地址
卜FF器
刷新计数器
ROW
解码器
ROW
解码器
ROW
解码器
ROW
解码器
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
列解码器
感测放大器&我( O)总线
BANK 0
4096
x 1024
×8位
银行1
4096
x 1024
×8位
2银行
4096
x 1024
×8位
列解码器
感测放大器&我( O)总线
内存
ARRAY
内存
ARRAY
内存
ARRAY
内存
ARRAY
3银行
4096
x 1024
×8位
输入缓冲器
输出缓冲器
控制逻辑&
时序产生器
DQ0 - DQ7
框图: 16M SDRAM X8 (12 / 10/2寻址)
在网络连接霓虹灯技术
5
CLK
CKE
CS
RAS
CAS
WE
DQM
SPB04123
9.01