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低电荷注入
8通道高压模拟开关
订购信息
封装选项
操作
V
PP
40V至80V
80V到150V
V
PP
– V
NN
160V
160V
28引脚塑料
芯片载体
HV21716PJ
HV21816PJ
DIE
HV21716X
HV21816X
ETE -
SOL
- OB
HV21716
HV21816
特点
HVCMOS
技术用于高性能
低电荷注入
非常低的静态功耗 - 10μA
输出导通电阻通常为22欧姆
低寄生电容
DC至10MHz的模拟信号频率
-50dB在5MHz典型输出关断隔离
CMOS逻辑电路,用于低功率
卓越的抗干扰能力
片上的移位寄存器和锁存器的逻辑电路
灵活的高电压电源
表面贴装封装
概述
不建议用于新设计。请使用HV20220的
所有的新设计。
该器件是一种低电荷注入8通道高电压模拟
日志开关集成电路(IC ),用于在应用程序中使用
低电压控制要求高电压开关控制
信号,例如超声成像和打印机。输入数据是
移入然后可以用一个被保留的8位的移位寄存器
8位锁存器。为了减少任何可能的时钟馈通噪声,锁存器
使能( LE )应留有高,直到所有位都移入。使用
HVCMOS技术,此开关结合了高电压的双边
DMOS开关和低功耗CMOS逻辑,提供英法fi cient
控制高电压模拟信号。
绝对最大额定值*
V
DD
逻辑电源电压
V
PP
- V
NN
电源电压
V
PP
正高电压电源
V
NN
负高压电源
逻辑输入电压
模拟信号范围
峰值模拟信号电流/通道
储存温度
功耗
-0.5V至+ 18V
174V
-0.5V到+ 160V
+ 0.5V至-160V
-0.5V到V
DD
+0.3V
V
NN
到V
PP
3.0A
-65 ° C至+ 150°C
1.2W
*绝对最大额定值是那些价值超过该受损
可能发生的设备。在这些条件下的功能操作,是不是暗示。
该装置的绝对等级水平的连续操作可能会影响
器件的可靠性。
13-66
HV21716/HV21816
电气特性
(在工作条件下,V
PP
= +80V, V
NN
= -80V ,和V
DD
= 15V ,除非另有说明)
DC特性
特征
小信号开关(ON )
阻力
小信号开关(ON )
电阻匹配
大信号开关(ON )
阻力
关机泄漏
每个交换机
直流偏置开关关闭
直流偏置开关上
波什。高压电源电流
NEG 。高压电源电流
波什。高压电源电流
NEG 。高压电源电流
开关输出
峰值电流
输出开关频率
I
PP
电源电流
I
NN
电源电流
逻辑电源
平均电流
逻辑电源
静态电流
数据输出源电流
数据输出灌电流
f
SW
I
PP
I
NN
I
DD
I
DDQ
I
SOR
I
SINK
0.45
0.45
4.0
4.0
6.0
10
0.45
0.45
0.70
0.70
3.5
3.5
4.0
I
PPQ
I
NNQ
I
PPQ
I
NNQ
3.0
符号
R
ONS
R
ONS
R
ONS
R
ONL
I
SOL
5.0
300
500
0
°
C
最大
24
18
20
+25
°
C
典型值
22
18
5.0
13
1.0
100
100
10
-10
10
-10
3.0
最大
25
20
20
22
10
300
500
50
-50
50
-50
2.0
50
5.0
5.0
6.0
10
0.40
0.40
5.5
5.5
6.0
10
2.0
15
300
500
+70
°
C
最小最大
28
23
20
单位
%
A
mV
mV
A
A
A
A
A
千赫
mA
mA
mA
A
mA
mA
V
OUT
= V
DD
- 0.7V
V
OUT
= 0.7V
全部申万关
ALL ON SWS
I
SW
= 5毫安
V
SIG
0.1 %的占空比
占空比= 50 %
高压输出开关
频率= 50KHz的
f
CLK
= 3MHz的
测试条件
I
SIG
= 5毫安
I
SIG
= 200毫安
I
SW
= 5毫安
V
SIG
= V
PP
-10V,
I
SIG
= 1.0A
V
SIG
= V
PP
-10V
和V
NN
+10V
R
L
= 100K
R
L
= 100K
ETE -
SOL
- OB
13
13
13-67
HV21716/HV21816
AC特性
特征
时间关闭V
SIG
*
成立时间之前LE升起
LE的时间宽度
时钟延迟时间到数据输出
启动时间
关闭时间
关断隔离
符号
t
SIG (OFF)的
t
SD
t
WLE
t
DO
t
ON
t
关闭
KO
-30
-45
时钟频率
建立时间数据到时钟
从时钟数据保持时间
开关串扰
关断电容SW到GND
在电容SW到GND
输出电压尖峰
f
CLK
t
SU
t
H
K
CR
C
SG (关闭)
C
SG (上)
+V
SPK
–V
SPK
*所需的模拟信号时关闭之前输出开关关闭(关键时刻) 。
0
°
C
最大
0
150
150
175
3.0
5.0
-30
-45
5.0
15
35
-60
5.0
25
17
50
15
35
-60
5.0
25
150
150
+25
°
C
典型值
最大
+70
°
C
最大
单位
ns
测试条件
150
150
175
3.0
5.0
-33
-50
5.0
8.0
-70
12
38
150
150
17
50
20
35
-60
5.0
25
17
50
-30
-45
5.0
190
3.0
5.0
ns
ns
ns
s
s
dB
dB
兆赫
ns
ns
dB
pF
pF
mV
F = 5MHz时,
50Ω负载
0V , 1MHz的
0V , 1MHz的
V
PP
= +80V,
V
NN
= -80V,
R
L
= 50
R
L
= 10K
R
L
= 10K
F = 5MHz时,
1KΩ // 15pF的负载
F = 5MHz时,
50Ω负载
占空比为50%
f
数据
= f
CLK
/2
ETE -
SOL
- OB
工作条件*
设备
符号
V
PP1, 3
V
NN1, 3
V
DD1, 3
V
IH
V
IL
V
SIG2
T
A
HV21716
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
HV21816
价值
40V至80V
80V到150V
-10V至V
PP
-160V
10V至15.5V
V
DD
-2.0V到V
DD
0V至2.0V
V
NN
+ 10V至V
PP
-10
0 ° C至70℃
注意事项:
1.电源开启/关闭顺序是任意的,除了GND必须上电了网络RST和掉电最后。
2. V
SIG
必须是V
NN
V
SIG
V
PP
或者在上电/掉电transistion浮动。
电源供应器,V 3。上升和下降时间
DD,
V
PP,
和V
NN
应不低于1.0msec 。
13-68
HV21716/HV21816
测试电路
V
PP
–10
I
SOL
V
PP
–10V
V
IN
= 10 V
P–P
@5MHz
50
NC
R
L
V
OUT
10K
V
NN
+10
50
+80V
–80V
V
PP
V
NN
V
DD
GND
15V
+80V
–80V
V
PP
V
NN
V
DD
GND
15V
+80V
–80V
V
PP
V
NN
V
DD
GND
15V
K
CR
- 20log
V
OUT
V
IN
关机泄漏
相声
T
ON
/T
关闭
V
IN
= 10 V
P–P
@5MHz
V
OUT
+V
SPK
V
OUT
–V
SPK
50
V
OUT
R
L
100K
R
L
1K
R
L
+80V
–80V
V
PP
V
NN
V
DD
GND
15V
+80V
–80V
V
PP
V
NN
V
DD
GND
15V
+80V
-80V
V
PP
V
NN
V
DD
GND
15V
K
O
- 20log
V
OUT
V
IN
ETE -
SOL
逻辑时序波形
- OB
D
N–1
D
N
D
N+1
数据
IN
50%
50%
LE
50%
50%
t
WLE
t
SD
50%
t
SU
t
h
t
DO
数据
OUT
50%
t
关闭
V
OUT
(典型值)
关闭
ON
90%
10%
t
ON
50%
关断隔离
直流偏置ON / OFF
输出电压尖峰
13
13
时钟
13-69
HV21716/HV21816
逻辑图
锁存器
D
IN
D
LE
D
LE
D
LE
D
LE
8位
注册
D
LE
D
LE
D
LE
D
LE
水平
转换器
产量
开关
SW0
CLK
SW1
SW2
SW3
SW4
SW5
D
OUT
SW6
SW7
V
NN
V
PP
V
DD
真值表
D0
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
L
H
D1
D2
D3
D4
D5
D6
TE -
唯一
- OB
LE
D7
LE SW0 SW1 SW2 SW3 SW4 SW5 SW6 SW7
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
关闭
ON
HOLD以前的状态
注意事项:
1.八个开关操作
独立。
2.串行数据在时钟上的L→H
过渡CLK 。
3.切换到一个固定的状态
在上升的现状
LE的边缘。当LE是低的转变
寄存器数据流经闩锁。
4. D
OUT
是高时开关7上。
5.移位寄存器clockng有没有影响
开关状态是否LE是H.
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
L
L
H
13-70
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    -
    -
    -
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电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
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