【2007年10月HYB39S128400F[E/T](L)HY[B/I]39S128800F[E/T】,IC型号HYB39S128160FEL-7,HYB39S128160FEL-7 PDF资料,HYB39S128160FEL-7经销商,ic,电子元器件-51电子网

2007年10月

HYB39S128400F[E/T](L)

HY[B/I]39S128800F[E/T](L)

HY[B/I]39S128160F[E/T](L)

Y B 39号第128 407F ê

128兆位同步DRAM

绿色产品

SDRAM

数据表

修订版1.32

数据表

HY[B/I]39S128[40/80/16][0/7]F[E/T](L)

128兆位同步DRAM

HYB39S128400F [E / T] （ L）， HY [B / I] 39S128800F [E / T] （ L）， HY [B / I] 39S128160F [E / T] （ L）

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科目（自上次调整的重大变化）

改编网络版

刷新周期的更正号码

纠正操作命令"Power下/时钟暂停...... “说实话表

纠正案文"After模式寄存器设置一个NOP命令required"

纠正案文"One时钟延迟所需的模式进入和exit" ，第3.5章

纠正行"Input的电容： CK"表10 ，第4章

纠正TCK MIN表14

在表14校正CLE的设置时间

纠正模式寄存器定义

IDD低功耗选项0.8毫安

“过渡时期”改为“时钟转换时间（上升和下降） ”

新增HYI39S128800FT -7， HYI39S128800FE -7， HYI39S128160FT -7， HYI39S128160FE -7和

HYB39S128407FE-7

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-01

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数据表

HY[B/I]39S128[40/80/16][0/7]F[E/T](L)

128兆位同步DRAM

1.1

概观

特点

数据掩码为读/写控制（ X4，X8 ）

字节控制数据面膜（ X16 ）

自动刷新（ CBR）和自刷新

掉电和时钟挂起模式

4096刷新周期/ 64毫秒（ 15.6

μs)

随机列地址每CLK （ 1 -N规则）

单3.3 V± 0.3 V电源

LVTTL接口

塑料封装：P （ G） -TSOPII - 54 400密耳的宽度

本章列出的产品系列HY [B / I] 39S128 [ 40/80/16 ] [ 0/7 ] F [ E / T] （ L）和订购信息的所有主要功能。

完全同步的时钟上升沿

0到70

°C

标准工作温度

-40到85

°C

工业工作温度

由BA0 & BA1控制四家银行

可编程CAS延时： 2 & 3

可编程的缠绕顺序：顺序或交织

可编程的突发长度：1， 2 ，4，8和整版

多个突发读取与单写操作

自动和控制预充电命令

表1

性能

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL3

–7

PC133–222

单位

—

兆赫

@CL2

CK3

AC3

CK2

AC2

143

5.4

7.5

5.4

1.2

描述

在HY [B / I] 39S128 [ 40/80/16 ] [ 0/7 ] F [ E / T] （ L）四个银行同步DRAM的组织为32兆比特X4 ， 16兆比特X8

和8 Mbit的X16 。这些同步设备实现了CAS延迟了高速数据传输速率

采用芯片体系结构，预取多个位，然后输出数据同步到系统时钟。该芯片

被制造与奇梦达的先进0.11

μm

128兆位DRAM制程技术。

该设备被设计为符合同步DRAM产品设置的所有行业标准，电气和

机械。所有的控制，地址，数据输入输出电路均与一个外部的正边沿同步

提供的时钟。

操作的四个存储体中的交错的方式允许随机存取操作发生在更高的速度比是

可以使用标准的DRAM 。一个顺序和无缝数据速率可能因突发长度， CAS延迟和

该设备的速度等级。

自动刷新（ CBR）和自刷新操作的支持。这些器件采用单3.3 V± 0.3 V电源。

所有的128 - Mbit的成分是P（ G） -TSOPII - 54封装。

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数据表

HY[B/I]39S128[40/80/16][0/7]F[E/T](L)

128兆位同步DRAM

表2

对含铅产品订货信息

产品类型

HYB39S128400FT-7

HYB39S128400FTL-7

HYB39S128800FT-7

HYB39S128800FTL-7

HYB39S128160FT-7

HYB39S128160FTL-7

工业温度（ -40 85

°C)

HYI39S128800FT-7

HYI39S128160FT-7

PC133–222–520

143MHz下16M ×8 SDRAM

143MHz下8M ×16 SDRAM

P-TSOPII-54

143MHz下8M ×16 SDRAM

143MHz下16M ×8 SDRAM

速度等级

PC133–222–520

描述

143MHz下32M ×4 SDRAM

包

P-TSOPII-54

标准工作温度（0 70

°C)

表3

对于符合RoHS的产品订货信息

产品类型

HYB39S128400FE-7

HYB39S128400FEL-7

HYB39S128407FE-7

HYB39S128800FE-7

HYB39S128800FEL-7

HYB39S128160FE-7

HYB39S128160FEL-7

工业温度（ -40 85

°C)

HYI39S128800FE-7

HYI39S128160FE-7

PC133–222–520

143MHz下16M ×8 SDRAM

143MHz下8M ×16 SDRAM

PG-TSOPII-54

速度等级

PC133–222–520

描述

143MHz下32M ×4 SDRAM

包

PG-TSOPII-54

记

标准工作温度（0 70

°C)

143MHz下16M ×8 SDRAM

143MHz下8M ×16 SDRAM

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

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数据表

HY[B/I]39S128[40/80/16][0/7]F[E/T](L)

128兆位同步DRAM

芯片配置

本章包括引脚配置表， TSOP封装图纸，并为框图

×4, ×8, ×16

组织的SDRAM 。

2.1

引脚说明

表4

在SDRAM的引脚配置

下面列出的是针的配置部分为SDRAM中的各种信号的

球NO 。

名字

针

TYPE

卜FF器

TYPE

LVTTL

功能

时钟信号

×4/×8/×16

组织

CLK

CKE

RAS

CAS

BA0

BA1

A10

A11

时钟信号CK的

时钟使能

行地址选通（RAS），列地址选通（CAS），写使能（WE ）

控制信号的

×4/×8/×16

组织

芯片选择

行地址信号1 ： 0

地址信号，地址信号10 /自动预充电

地址信号

×4/×8/×16

组织

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