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HCTS646MS
1995年8月
抗辐射
八路总线收发器/寄存器,三态
引脚配置
24引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 - T24
顶视图
CAB 1
SAB 2
DIR 3
A0 4
A1 5
A2 6
A3 7
A4 8
A5 9
A6 10
A7 11
GND 12
24 VCC
23 CBA
22 SBA
21 OE
20 B0
19 B1
18 B2
17 B3
16 B4
15 B5
14 B6
13 B7
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效的让任何冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/
位日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
剂量率爆冷>10
10
RAD (SI ) / s的20ns的脉冲
宇宙射线翻转率2 ×10
-9
错误/位天
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 公交驱动器输出 - 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入通道输入兼容性
- VIL = 0.8V最大
- VIH = VCC / 2
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
描述
Intersil的HCTS646MS是一种抗辐射的三
国家八路总线收发器/寄存器与非反相
输出。此设备是总线收发器与D- FL型IP- FL OPS
其充当内部存储寄存器。 A总线上的数据或
B总线可以被读入寄存器的高到低
无论是CAB RO CBA时钟输入的过渡。输出使能
( OE )和方向( DIR )输入控制收发器功能
系统蒸发散。数据存在于该高阻抗输出可
存储在寄存器或两者,但只有两个总线之一
也可以作为在任一时刻的输出。选择CON-
trols ( SAB和SBA )可以复用存储和透明
(实时)数据。方向控制确定哪些数据
总线接收数据时, OE引脚为低电平。在高
阻抗模式(OE高)中,A的数据可以被存储在一个稳压
在其他寄存器存器和B数据。在A或B termi-数据
的NAL可以移入随时存储IP- FL佛罗里达州欢声笑语。
该HCTS646MS采用先进的CMOS / SOS技术
以实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCTS646MS是在一个24引脚的陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
24引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F24
顶视图
出租车
SAB
DIR
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
GND
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
14
13
VCC
CBA
SBA
OE
B0
B1
B2
B3
B4
B5
B6
B7
订购信息
产品型号
HCTS646DMSR
HCTS646KMSR
HCTS646D/Sample
HCTS646K/Sample
HCTS646HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
24铅SBDIP
24铅陶瓷扁平
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
规格编号
网络文件编号
706
518628
3074.1
HCTS646MS
工作原理图
CL
FF
Q
O
O
FF
Q
CL
4
PAD
A0
P
P
20
PAD
N
N
B0
22
PAD
SBA
2
PAD
SAB
23
PAD
CBA
以渠道
1至7
1
PAD
出租车
21
PAD
OE
3
PAD
DIR
通道
0
1
2
3
4
5
6
7
引脚
4 - 20
5 - 19
6 - 18
7 - 17
8 - 16
9 - 15
10 - 14
11 - 13
3
PAD
DIR
12
PAD
VSS
真值表
输入
OE
X
X
H
H
L
L
L
L
DIR
X
X
X
X
L
L
H
H
H或L
X
X
X
H或L
H或L
X
H或L
X
X
X
出租车
CBA
X
SAB
X
X
X
X
X
X
L
H
SBA
X
X
X
X
L
H
X
X
数据I / O *
A0 THRU A7
输入不
特定网络版
输入不
特定网络版
输入
输入
产量
产量
输入
输入
B0 B7 THRU
未指定
输入
输入
输入
输入
输入
输入
产量
产量
操作或功能
商店A,B不明
商店B,A未指定
商店A和B的数据
隔离,保持存储
实时B数据到总线
存储B数据到总线
实时的数据到B总线
存储在数据到B总线
规格编号
707
518628
特定网络阳离子HCTS646MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
65
25
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
89
o
C / W
24
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.77W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.56W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 15.4mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 11.2mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件。
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V至0.8V
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .VCC / 2至VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
1
2, 3
输出电流
(来源)
IOH
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC - 0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOL = 50μA , VIL = 0.8V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
VCC = 5.5V , VIH = 2.75V ,
IOH = -50μA , VIL = 0.8V
输入漏
当前
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
0.1
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
V
1
2, 3
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
±0.5
±5.0
±1
±50
-
A
A
A
A
-
三态输出
漏电流
IOZ
施加的电压= 0V或
VCC , VCC = 5.5V
1
2, 3
噪声抗扰度
功能测试
注意事项:
FN
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V (注2 )
7,图8A ,8B
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
708
518628
特定网络阳离子HCTS646MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
VCC = 4.5V
9
10, 11
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
31
36
32
37
24
27
24
27
30
34
28
31
28
31
28
34
30
36
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
数据到B总线
(存储)
B数据到总线
(存储)
数据到B总线
符号
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLZ ,
tPHZ
tPLZ ,
tPHZ
tpZL ,
tpZH
tpZL ,
tpZH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
B数据到总线
选择数据
DIR到输出
使能到输出
DIR到输出
使能到输出
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
表3.电气性能特性
范围
参数
电容电源
耗散
输入电容
符号
CPD
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
笔记
1
1
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
1
1
输出转换
时间
最大工作
频率
建立时间的数据,以
时钟
数据保持时间为
时钟
脉宽时钟
TTHL ,
tTLH
FMAX
VCC = 4.5V
1
1
VCC = 4.5V
1
1
TSU
VCC = 4.5V
1
1
TH
VCC = 4.5V
1
1
TW
VCC = 4.5V
1
1
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更。
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25 C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C,
-55
o
C
o
-
-
-
-
-
-
-
-
12
18
5
5
25
38
最大
54
123
10
10
12
18
25
17
-
-
-
-
-
-
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
ns
ns
规格编号
709
518628
特定网络阳离子HCTS646MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
温度
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
-
6.0
-6.0
-
VCC
-0.1
-
-
-
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
0.75
-
-
0.1
-
±5
±50
-
36
37
27
27
34
31
31
34
36
单位
mA
mA
mA
V
V
A
A
-
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
静态电流
输出电流(漏)
输出电流
(来源)
输出电压低
输出电压高
输入漏
当前
三态输出
漏电流
噪声抗扰度
功能测试
A数据到B总线(店)
B数据到A总线(店)
数据到B总线
B数据到总线
选择数据
DIR到输出
使能到输出
DIR到输出
使能到输出
符号
ICC
IOL
IOH
VOL
VOH
IIN
IOZ
FN
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLH的,
的TPH1
tPLZ ,
tPHZ
tPLZ ,
tPHZ
tpZL ,
tpZH
tpZL ,
tpZH
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOL = 50μA
VCC = 4.5V或5.5V , VIH = VCC / 2 ,
VIL = 0.8V , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
施加的电压= 0V或VCC , VCC = 5.5V
VCC = 4.5V , VIH = 2.25V ,
VIL = 0.8V , (注3 )
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = 3V 。
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
IOZL / IOZH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
±200nA
规格编号
710
518628
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    电话:0755-82780082
    联系人:杨小姐
    地址:深圳市福田区振兴路156号上步工业区405栋3层

    HCTS646HMSR
    -
    -
    -
    -
    终端采购配单精选

QQ: 点击这里给我发消息 QQ:5645336 复制
电话:13910052844(微信同步)
联系人:刘先生
地址:海淀区增光路27号院增光佳苑2号楼1单元1102/1202室
HCTS646HMSR
√ 欧美㊣品
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