16M ×4位动态RAM
（ 4K & 8K刷新， EDO版）
HYB 3164405AJ / AT （ L） -40 / -50 / -60
HYB 3165405AJ / AT （ L） -40 / -50 / -60
先进的信息
16 777 216字由4位组织
0 70 ° C的工作温度
超页模式 - EDO - 操作
性能：
-40
t
RAC
t
CAC
t
AA
t
RC
t
HPC
RAS访问时间
CAS访问时间
从地址访问时间
读/写周期时间
超页模式（ EDO ）
周期
40
10
20
69
16
-50
50
13
25
84
20
-60
60
15
30
104
25
ns
ns
ns
ns
ns
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源
低功耗：
最大。 450主动兆瓦（ HYB 3164405AJ / AT （ L） -40 ）
最大。 360主动兆瓦（ HYB 3164405AJ / AT （ L） -50 ）
最大。 324主动兆瓦（ HYB 3164405AJ / AT （ L） -60 ）
最大。 612主动兆瓦（ HYB 3165405AJ / AT （ L） -40 ）
最大。 405主动兆瓦（ HYB 3165405AJ / AT （ L） -50 ）
最大。 432主动兆瓦（ HYB 3165405AJ / AT （ L） -60 ）
7.2 mW的待机（ LVTTL ）
3.24 mW的待机（ LVMOS ）
720
A
待机对L-版本
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ，
RAS-只刷新，刷新隐藏
自刷新（仅L-版）
8192刷新周期/ 128毫秒， 13的R / 11C地址（ HYB 3164405AJ / AT）的
4096刷新周期/ 64毫秒， 12 R / 12C地址（ HYB 3165405AJ / AT ）
256毫秒的刷新周期为L型版本
塑料包装：
P-SOJ-32-1
400万HYB 3164 （ 5 ） 400AJ
P-TSOPII-32-1
400万
HYB 3164 （5） 400AT （L）的
半导体集团
1
6.97
HYB3164(5)405AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
这HYB3164 （ 5 ） 405A是64兆位动态RAM举办16 777 216 4位。该装置是
制作采用先进的第二代64Mbit的0,35μm -CMOS硅栅工艺
技术。该电路和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低
功耗。该HYB3164 （ 5 ） 405A采用单3.3 +/- 0.3V电源供电，
接口有两种LVTTL或LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB
3164 （5） 405A被包装在一个宽400mil SOJ -32或TSOP- 32塑料封装。这些
封装提供高系统位密度，并兼容常用的自动
测试和插入equipment.The HYB3164 （5） 405ATL份具有非常低的功耗的“睡眠模式”
通过自我刷新的支持。
订购信息
TYPE
8K刷新版本：
HYB 3164405AJ -40
HYB 3164405AJ -50
HYB 3164405AJ -60
HYB 3164405AT -40
HYB 3164405AT -50
HYB 3164405AT -60
HYB 3164405ATL -50
HYB 3164405ATL -60
4K刷新版本：
HYB 3165405AJ -40
HYB 3165405AJ -50
HYB 3165405AJ -60
HYB 3165405AT -40
HYB 3165405AT -50
HYB 3165405AT -60
HYB 3165405ATL -50
HYB 3165405ATL -60
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-SOJ-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
P-TSOPII-32-1
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
400万
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为40ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
DRAM（存取时间为50ns ）
DRAM（存取时间为60ns ）
订购
CODE
包
说明
半导体集团
2
HYB3164(5)405AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
P- SOJ - 32-1 （ 400万）
P- TSOPII - 32-1 （ 400万）
VCC
I/O1
I/O2
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
WE
RAS
.
A0
A1
A2
A3
A4
A5
VCC
O
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VSS
I/O4
I/O3
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
北卡罗来纳州
CAS
OE
A12 /北卡罗来纳州*
A11
A10
A9
A8
A7
A6
VSS
*引脚24是A12为HYB 3164405AJ / AT （L）和NC-为HYB 3165405AJ / AT （L）的
引脚配置
引脚名称
A0-A12
A0-A11
RAS
OE
I/O1-I/O4
CAS
WE
VCC
VSS
地址输入为8K刷新版本HYB 3164405AJ / AT （ L）
地址输入为4K刷新版本HYB 3165405AJ / AT （ L）
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V ）
地
半导体集团
3
HYB3164(5)405AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
真值表
功能
待机
读
早期写
延迟 - 写入
读 - 修改 - 写
超页面模式读取第一个周期
第二个周期
超页模式写第一个周期
第二个周期
超页模式RMW第一个周期
2ST周期
RAS只刷新
CAS先于RAS刷新
测试模式进入
隐藏刷新
读
写
自刷新
（仅适用于L-版）
RAS
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H-L
H-L
L-H -L
L-H -L
H-L
CAS
H-X-
L
L
L
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
L
WE
X
H
L
H-L
H-L
H
H
L
L
H-L
H-L
X
H
L
H
L
H
OE
X
L
X
H
L-H
L
L
X
X
L-H
L-H
X
X
X
L
X
X
ROW
ADDR
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
不适用
ROW
X
X
ROW
ROW
X
COL
ADDR
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
不适用
不适用
COL
COL
X
I/O1-
I/O4
高阻抗
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高阻抗
高阻抗
高阻抗
数据输出
DATA IN
高阻抗
半导体集团
4
HYB3164(5)405AJ/AT(L)-40/-50/-60
16M ×4 -DRAM
I/O1
I
/O2
I/O4
WE
CAS
.
＆放大器;
DATA IN
卜FF器
第2时钟
发电机
4
数据输出
卜FF器
4
OE
12
A0
A1
A2
A3
A4
A5
A6
A7
A8
A9
A10
A11
12
COLUMN
地址
Buffer(12)
12
COLUMN
解码器
刷新
调节器
检测放大器
I / O选通
4
刷新
计数器（12）的
12
ROW
4096
x4
地址
Buffers(12)
12
解码器
4096
4096 x 4096 x 4
ROW
存储阵列
RAS
第1时钟
发电机
框图HYB 3165405AJ / AT （ L）
半导体集团
5
QQ：2881677436 复制
