HY62K(U,V)T08081E
系列
32Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
32K ×8位2.7 3.3V / 3.0 3.6V / 2.7 3.6V低功耗SRAM慢
修订历史
版本号
00
历史
初始
合并后的3.0V / 3.3V SPEC
修订
-
标识信息变更： SOP类型
-
VOH限值变化： 2.4V = > @ 2.2V 2.7 3.6V
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jan.20.2000
备注
最终科幻
01
Feb.21.2001
最终科幻
02
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转02 / 2001年4月
海力士半导体
HY62K （U ， V） T08081E系列
描述
该HY62K （ U，V ） T08081E是一种高速，低
电源和32786 ×8位CMOS静态随机
使用海力士的高存取记忆体制造
高性能CMOS工艺技术。这是
适用于低电压操作使用和
电池备份应用程序。此装置有一个
数据保存方式，保证数据
仍然有效的最小电源
电压为2.0伏。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池（L / LL -部分）
- 2.0V （分钟）的数据保留
标准引脚配置
- 28引脚600mil PDIP
- 28引脚330mil SOP
- 28引脚8x13.4毫米的TSOP -I
（标准）
待机电流（ UA）
LL-部分
5
8
8
5
8
8
5
8
8
温度
(°C)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
-40~85(Extended)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
-40~85(Extended)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
-40~85(Extended)
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62KT08081E-C
2.7~3.6
70*/85/100
HY62KT08081E-E
HY62KT08081E-I
HY62VT08081E-C
3.0~3.6
70/85/100
HY62VT08081E-E
HY62VT08081E-I
HY62UT08081E-C
2.7~3.3
70*/85/100
HY62UT08081E-E
HY62UT08081E-I
注* 。测量30pF的试验载荷。
手术
电流（mA ）
2
2
2
引脚连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
PDIP
SOP
TSOP -I （标准）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A14
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
A0
框图
SENSE AMP
行解码器
添加输入缓冲器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
列解码器
A14
/ CS
/ OE
/ WE
转02 / 2001年4月
控制
逻辑
写入驱动器
存储阵列
512x512
2
HY62K （U ， V） T08081E系列
订购信息
产品型号
VCC
HY62KT08081E-DPC
HY62KT08081E-DPE
HY62KT08081E-DPI
HY62KT08081E-DGC
HY62KT08081E-DGE
2.7~3.6V
HY62KT08081E-DGI
HY62KT08081E-DTC
HY62KT08081E-DTE
HY62KT08081E-DTI
HY62VT08081E-DPC
HY62VT08081E-DPE
HY62VT08081E-DPI
HY62VT08081E-DGC
3.0~3.6V
HY62VT08081E-DGE
HY62VT08081E-DGI
HY62VT08081E-DTC
HY62VT08081E-DTE
HY62VT08081E-DTI
HY62UT08081E-DPC
HY62UT08081E-DPE
HY62UT08081E-DPI
HY62UT08081E-DGC
HY62UT08081E-DGE
2.7~3.3V
HY62UT08081E-DGI
HY62UT08081E-DTC
HY62UT08081E-DTE
HY62UT08081E-DTI
注* 。测量30pF的试验载荷。
速度
动力
温度
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
包
PDIP
70*/85/100ns
LL-部分
SOP
TSOP- I标准
PDIP
70/85/100ns
LL-部分
SOP
TSOP- I标准
PDIP
70*/85/100ns
LL-部分
SOP
TSOP- I标准
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
HY62K(U,V)T08081E-C
HY62K(U,V)T08081E-E
HY62K(U,V)T08081E-I
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.3 4.6
0到70
-25到85
-40到85
-65到150
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
转02 / 2001年4月
2
HY62K （U ， V） T08081E系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
电源
电压
参数
HY62KT08081E
HY62VT08081E
HY62UT08081E
分钟。
2.7
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.0/3.3
3.3
3.0
0
-
-
马克斯。
3.6
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
VSS
地
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
记
1. V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于50ns
真值表
/ CS
/我们/ OE
模式
H
X
X
待机
L
H
H
输出禁用
L
H
L
读
L
L
X
写
记
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
I / O操作
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
DC特性
VCC = 2.7 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，
除非另有规定ED 。
符号
参数
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
,
-
-
2
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
-
-
30
分钟。占空比= 100 ％ ，我
I / O =
0mA
I
CC2
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
IL
-
-
5
周期= 1us的，我
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ，
-
-
0.3
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
SB1
CMOS待机电流
/ CS >为VCC - 0.2V ，
-
-
5
0~70
°C
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或-25 85
°C
or
-
-
8
V
IN
< VSS + 0.2V
-40~85
°C
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.2
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.0 / 3.3V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
转02 / 2001年4月
3
HY62K （U ， V） T08081E系列
AC特性
VCC = 2.7 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，
除非另有规定ED 。
-70
-85
-10
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
4
TOE
输出使能到输出有效
-
35
-
40
-
50
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
30
0
30
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
0
30
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
15
-
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
60
-
70
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
25
0
30
0
35
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
40
-
40
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
转02 / 2001年4月
4
HY62K(U,V)T08081E
系列
32Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
32K ×8位2.7 3.3V / 3.0 3.6V / 2.7 3.6V低功耗SRAM慢
修订历史
版本号
00
历史
初始
合并后的3.0V / 3.3V SPEC
修订
-
标识信息变更： SOP类型
-
VOH限值变化： 2.4V = > @ 2.2V 2.7 3.6V
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jan.20.2000
备注
最终科幻
01
Feb.21.2001
最终科幻
02
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转02 / 2001年4月
海力士半导体
HY62K （U ， V） T08081E系列
描述
该HY62K （ U，V ） T08081E是一种高速，低
电源和32786 ×8位CMOS静态随机
使用海力士的高存取记忆体制造
高性能CMOS工艺技术。这是
适用于低电压操作使用和
电池备份应用程序。此装置有一个
数据保存方式，保证数据
仍然有效的最小电源
电压为2.0伏。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池（L / LL -部分）
- 2.0V （分钟）的数据保留
标准引脚配置
- 28引脚600mil PDIP
- 28引脚330mil SOP
- 28引脚8x13.4毫米的TSOP -I
（标准）
待机电流（ UA）
LL-部分
5
8
8
5
8
8
5
8
8
温度
(°C)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
-40~85(Extended)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
-40~85(Extended)
0~70(Normal)
-25~85(Extended)
-40~85(Extended)
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62KT08081E-C
2.7~3.6
70*/85/100
HY62KT08081E-E
HY62KT08081E-I
HY62VT08081E-C
3.0~3.6
70/85/100
HY62VT08081E-E
HY62VT08081E-I
HY62UT08081E-C
2.7~3.3
70*/85/100
HY62UT08081E-E
HY62UT08081E-I
注* 。测量30pF的试验载荷。
手术
电流（mA ）
2
2
2
引脚连接
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
VCC
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
/ OE
A11
A9
A8
A13
/ WE
VCC
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
16
15
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VSS
I/O3
I/O2
I/O1
A0
A1
A2
PDIP
SOP
TSOP -I （标准）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A14
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(+5.0V)
地
A0
框图
SENSE AMP
行解码器
添加输入缓冲器
I/O1
输出缓冲器
I/O8
列解码器
A14
/ CS
/ OE
/ WE
转02 / 2001年4月
控制
逻辑
写入驱动器
存储阵列
512x512
2
HY62K （U ， V） T08081E系列
订购信息
产品型号
VCC
HY62KT08081E-DPC
HY62KT08081E-DPE
HY62KT08081E-DPI
HY62KT08081E-DGC
HY62KT08081E-DGE
2.7~3.6V
HY62KT08081E-DGI
HY62KT08081E-DTC
HY62KT08081E-DTE
HY62KT08081E-DTI
HY62VT08081E-DPC
HY62VT08081E-DPE
HY62VT08081E-DPI
HY62VT08081E-DGC
3.0~3.6V
HY62VT08081E-DGE
HY62VT08081E-DGI
HY62VT08081E-DTC
HY62VT08081E-DTE
HY62VT08081E-DTI
HY62UT08081E-DPC
HY62UT08081E-DPE
HY62UT08081E-DPI
HY62UT08081E-DGC
HY62UT08081E-DGE
2.7~3.3V
HY62UT08081E-DGI
HY62UT08081E-DTC
HY62UT08081E-DTE
HY62UT08081E-DTI
注* 。测量30pF的试验载荷。
速度
动力
温度
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
0至70℃
-25 85°C
-40到85°C
包
PDIP
70*/85/100ns
LL-部分
SOP
TSOP- I标准
PDIP
70/85/100ns
LL-部分
SOP
TSOP- I标准
PDIP
70*/85/100ns
LL-部分
SOP
TSOP- I标准
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
HY62K(U,V)T08081E-C
HY62K(U,V)T08081E-E
HY62K(U,V)T08081E-I
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.3 4.6
0到70
-25到85
-40到85
-65到150
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
转02 / 2001年4月
2
HY62K （U ， V） T08081E系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
电源
电压
参数
HY62KT08081E
HY62VT08081E
HY62UT08081E
分钟。
2.7
3.0
2.7
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.0/3.3
3.3
3.0
0
-
-
马克斯。
3.6
3.6
3.3
0
Vcc+0.3
0.4
单位
V
V
V
V
V
V
VSS
地
V
IH
输入高电压
V
IL
输入低电压
记
1. V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于50ns
真值表
/ CS
/我们/ OE
模式
H
X
X
待机
L
H
H
输出禁用
L
H
L
读
L
L
X
写
记
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =无所谓
I / O操作
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
DC特性
VCC = 2.7 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，
除非另有规定ED 。
符号
参数
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
,
-
-
2
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
-
-
30
分钟。占空比= 100 ％ ，我
I / O =
0mA
I
CC2
平均工作电流
/ CS = V
白细胞介素，
V
IN
= V
IH
或V
IL
-
-
5
周期= 1us的，我
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ，
-
-
0.3
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
I
SB1
CMOS待机电流
/ CS >为VCC - 0.2V ，
-
-
5
0~70
°C
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或-25 85
°C
or
-
-
8
V
IN
< VSS + 0.2V
-40~85
°C
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.2
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.0 / 3.3V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
mA
uA
uA
V
V
转02 / 2001年4月
3
HY62K （U ， V） T08081E系列
AC特性
VCC = 2.7 3.6V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C（普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，
除非另有规定ED 。
-70
-85
-10
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
4
TOE
输出使能到输出有效
-
35
-
40
-
50
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
30
0
30
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
0
30
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
15
-
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
60
-
70
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
25
0
30
0
35
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
40
-
40
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
10
-
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
转02 / 2001年4月
4
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