4M ×16位动态RAM
（ 4K & 8K刷新）
HYB 3164160T -50 / -60
HYB 3165160T -50 / -60
初步信息
4 194 304字×16位的组织
0 70 ° C的工作温度
快速访问和周期时间
RAS访问时间：
50纳秒（ -50版）
60纳秒（ -60版）
周期时间：
90纳秒（ -50版）
110纳秒（ -60版）
CAS访问时间：
13纳秒（ -50版）
15纳秒（ -60版）
快速页模式周期时间
35纳秒（ -50版）
40纳秒（ -60版）
单+ 3.3V（ ± 0.3V ）电源
低功耗
最大。 396主动兆瓦（ HYB 3164160T - 50 ）
最大。 360主动兆瓦（ HYB 3164160T - 60 ）
最大。 504主动兆瓦（ HYB 3165160T - 50 ）
最大。 432主动兆瓦（ HYB 3165160T - 60 ）
7.2 mW的待机（ TTL ）
720 W待机（ MOS ）
读，写，读 - 修改 - 写， CAS先于RAS的刷新（ CBR ） ，
RAS-只刷新，隐藏的刷新和自刷新模式
快页模式功能
2 CAS / 1写字节控制
8192刷新周期/ 128毫秒， 13 R / 9C地址（ HYB 3164160T ）
4096刷新周期/ 64毫秒， 12 R / 10C地址（ HYB 3165160T ）
塑料包装： P- TSOPII - 54-1 500万
半导体集团
5
HYB 3164 （ 5 ） 160T - 50 / -60
4M ×16 -DRAM
这个装置是一个64兆位动态RAM举办4 194 304 16位。该装置被制造在
SIEMENS / IBM最先进的第一代64Mbit的CMOS硅栅工艺技术。该
电路和工艺设计，使得该器件实现了高性能和低功耗。
这DRAM采用单3.3 +/- 0.3V的电源和接口两种或LVTTL
LVCMOS电平。复用地址输入允许HYB 3164 （ 5 ） 160T在500被打包
MIL宽TSOP- 54塑料封装。这些软件包提供系统的高密度位，并
与通常使用的自动检测和插入设备兼容。
订购信息
TYPE
HYB 3164160T -50
HYB 3164160T -60
HYB 3165160T -50
HYB 3165160T -60
引脚名称
A0-A12
A0-A11
RAS
OE
I/O1-I/O16
UCAS ， LCAS
写
VCC
VSS
地址输入HYB 3164160T
地址输入HYB 3165160T
行地址选通
OUTPUT ENABLE
数据输入/输出
列地址选通
读/写输入
电源（ + 3.3V ）
地
订购
CODE
根据要求
根据要求
根据要求
根据要求
包
P-TSOPII-54-1
P-TSOPII-54-1
P-TSOPII-54-1
P-TSOPII-54-1
说明
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
500万DRAM（存取时间为50ns ）
500万DRAM（存取时间为60ns ）
半导体集团
6
HYB 3164 （ 5 ） 160T - 50 / -60
4M ×16 -DRAM
P- SOJ - 54-1 （ 500万）
P- TSOPII - 54-1 （ 500万）
*引脚35是A12的HYB 3164160T和NC的HYB 3165160T
引脚配置
半导体集团
7
HYB 3164 （ 5 ） 160T - 50 / -60
4M ×16 -DRAM
真值表
功能
待机
阅读：字
阅读：低字节
阅读：高字节
写：字
（早期写）
写：低字节
（早期写）
写：高字节
（早期写）
读 - 修改 -
写
快速页模式
阅读（字）
快速页模式
阅读（字）
1st
周期
2nd
周期
RAS LCAS UCA
S
H
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
L
H-X-
L
L
H
L
L
H
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
H-X-
H
H
L
L
H
L
L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H-L
H
L
L
L
L
WRIT
E
X
H
H
H
L
L
L
H-L
H
H
L
L
H-L
H-L
X
H
L
H
L
OE
X
L
L
L
X
X
X
ROW
添加
X
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
ROW
COL
添加
X
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
COL
不适用
不适用
不适用
COL
COL
I/O1-
I/O16
高阻抗
数据输出
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
DATA IN
低字节：数据输出
高字节：高阻
低字节：高阻
高字节：数据输出
数据输出，数据在
数据输出
数据输出
DATA IN
DATA IN
数据输出，数据在
数据输出，数据在
高阻抗
高阻抗
高阻抗
数据输出
DATA IN
L - ROW
L
L
X
X
ROW
不适用
ROW
不适用
快速页模式
1st
早期写（字）周期
快速页模式
2nd
早期写（字）周期
快速页模式
RMW
快速页模式
RMW
RAS只刷新
CAS先于RAS
刷新
测试模式进入
隐藏刷新
（READ ）
隐藏刷新
（写）
1st
周期
2st
周期
L - ROW
L - H n中/年
X
X
X
L
X
ROW
X
X
ROW
ROW
H- L L
H- L L
L- H- L
L
L- H- L
L
半导体集团
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HYB 3164 （ 5 ） 160T - 50 / -60
4M ×16 -DRAM
框图HYB 3164160T
半导体集团
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