HAT2201WP
硅N沟道功率MOS FET
电源开关
REJ03G1679-0300
Rev.3.00
2008年5月27日
特点
可8 V栅极驱动
低驱动电流
高密度安装
低导通电阻
R
DS （ ON）
= 34毫欧（典型值） 。 （在V
GS
= 10 V)
概要
瑞萨封装代码： PWSN0008DA -A
（包名称： WPAK ）
5 6 7 8
D D D D
5 6 7 8
4
G
4 3 2 1
1, 2, 3
来源
4
门
5，6， 7，8排水
S S S
1 2 3
绝对最大额定值
（ TA = 25°C ）
项
漏源极电压
栅极至源极电压
漏电流
漏电流峰值
体漏二极管的反向漏电流
雪崩电流
雪崩能量
散热通道
通道到外壳的热阻
通道温度
储存温度
注意事项： 1， PW
≤
10
s,
占空比
≤
1%
2.价值在总胆固醇= 25°C ， RG
≥
50
3， TC = 25℃
符号
V
DSS
V
GSS
I
D
I
D（脉冲）
I
DR
I
AP
E
AR注2
PCH
Note3
θch -C
Note3
总胆固醇
TSTG
注2
Note1
评级
100
±20
15
60
15
15
22.5
15
8.33
150
-55到+150
单位
V
V
A
A
A
A
mJ
W
° C / W
°C
°C
REJ03G1679-0300 Rev.3.00 2008年5月27日
第1页7
HAT2201WP
电气特性
（ TA = 25°C ）
项
漏源击穿电压
门源漏电流
零栅极电压漏极电流
门源截止电压
静态漏源导通状态
阻力
正向转移导纳
输入电容
输出电容
反向传输电容
栅极电阻
总栅极电荷
门源费
栅漏电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
体漏二极管的正向电压
体漏二极管反向恢复
时间
注： 4.脉冲测试
符号
V
（ BR ） DSS
I
GSS
I
DSS
V
GS （ OFF ）
R
DS （ ON）
R
DS （ ON）
|y
fs
|
西塞
科斯
CRSS
Rg
Qg
QGS
QGD
t
D（上）
t
r
t
D（关闭）
t
f
V
DF
t
rr
民
100
—
—
3.5
—
—
12
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
典型值
—
—
—
—
34
35
20
1450
180
65
0.9
21
7.6
5.2
18
3
33
4.1
0.84
45
最大
—
±0.1
1
5.0
43
49
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
—
1.10
—
单位
V
A
A
V
m
m
S
pF
pF
pF
nc
nc
nc
ns
ns
ns
ns
V
ns
测试条件
I
D
= 10 mA时， V
GS
= 0
V
GS
= ±20 V, V
DS
= 0
V
DS
= 100 V, V
GS
= 0
V
DS
= 10 V，I
D
= 1毫安
I
D
= 7.5 A，V
GS
= 10 V
Note4
I
D
= 7.5 A，V
GS
= 8 V
Note4
I
D
= 7.5 A，V
DS
= 10 V
Note4
V
DS
= 10 V
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
V
DD
= 50 V
V
GS
= 10 V
I
D
= 15 A
V
GS
= 10 V，I
D
= 7.5 A
V
DD
30 V
R
L
= 4
RG = 4.7
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
Note4
I
F
= 15 A，V
GS
= 0
di
F
/ DT = 100 A /
s
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第2 7
HAT2201WP
主要特点
功率与温度降额
40
100
10
s
30
最高安全工作区
通道耗散P沟（W）的
漏电流I
D
(A)
10
100
s
1毫秒
PW =
10毫秒
1
操作
这个区域是
0.1限制由R
DS （ ON）
直流操作
TC = 25°C
20
10
0.01
0
50
100
150
200
TA = 25°C
0.001 1次脉冲
0.1 0.3 1
3
10 30
100 300 1000
壳温度（ ° C）
漏极至源极电压V
DS
(V)
典型的输出特性
20
10 V
7V
6.2 V
20
典型的传输特性
V
DS
= 10 V
脉冲测试
漏电流I
D
(A)
12
5.8 V
8
V
GS
= 5.5 V
漏电流I
D
(A)
16
16
12
TC = 75℃
8
4
4
25°C
–25°C
脉冲测试
0
2
4
6
8
10
0
2
4
6
8
10
漏极至源极电压V
DS
(V)
漏极至源极饱和电压与
栅极至源极电压
漏极至源极电压V
DS （ ON）
（毫伏）
脉冲测试
400
栅极至源极电压V
GS
(V)
静态漏极至源极通态电阻
与漏电流
漏极至源极导通电阻
R
DS （ ON）
(m)
100
脉冲测试
500
50
V
GS
= 8 V
10 V
20
300
200
I
D
= 5 A
2A
1A
16
20
100
10
1
10
100
0
4
8
12
栅极至源极电压V
GS
(V)
漏电流I
D
(A)
REJ03G1679-0300 Rev.3.00 2008年5月27日
第3页7
HAT2201WP
静态漏极至源极通态电阻
与温度的关系
正向转移导纳| YFS | （ S）
100
脉冲测试
100
TC = -25°C
静态漏极至源极通态电阻
R
DS （ ON）
(m)
正向转移导纳主场迎战
漏电流
80
1 A, 2 A, 5 A
10
60
V
GS
= 8 V
25°C
40
I
D
= 1 A, 2 A, 5 A
1
75°C
V
DS
= 10 V
脉冲测试
20
0
-25
10 V
0
25
50
75
100 125 150
0.1
0.1
0.3
1
3
10
30
100
壳温度（ ° C）
漏电流I
D
(A)
体漏二极管的反向
恢复时间
100
10000
3000
典型的电容比。
漏源极电压
反向恢复时间trr （ NS ）
电容C （PF ）
西塞
1000
300
100
30
10
科斯
CRSS
V
GS
= 0
F = 1 MHz的
0
10
20
30
40
50
50
20
的di / dt = 100 A / μs的
V
GS
= 0 ， TA = 25℃
10
0.1
1
10
100
反向漏电流I
DR
(A)
漏极至源极电压V
DS
(V)
动态输入特性
漏极至源极电压V
DS
(V)
I
D
= 15 A
开关特性
栅极至源极电压V
GS
(V)
20
1000
V
GS
= 10 V, V
DS
= 30 V
RG = 4.7
,
税
≤
1 %
250
V
DS
= 100 V
50 V
25 V
开关时间t（ NS ）
200
V
GS
16
100
TD （关闭）
TD （上）
150
V
DS
12
100
8
10
tf
tr
50
V
DS
= 100 V
50 V
25 V
4
0
40
0
8
16
24
32
1
0.1
1
10
100
栅极电荷Qg （ NC ）
漏电流I
D
(A)
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第4 7
HAT2201WP
反向漏电流 -
源极到漏极电压
最大雪崩能量 -
通道温度降额
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
50
I
AP
= 15 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
反向漏电流I
F
(A)
10 V
16
V
GS
= 0 V, –5 V
40
12
30
8
20
4
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压V
SDF
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
- c
θch
- C = 8.33 ° C / W ，TC = 25°C
0.03
0.02
1
0.0
P
DM
D=
PW
T
PW
T
0.01
10
1s
ho
u
tp
LSE
100
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
REJ03G1679-0300 Rev.3.00 2008年5月27日
第5页第7
HAT2201WP
反向漏电流 -
源极到漏极电压
重复性雪崩能量ê
AR
（兆焦耳）
20
50
10 V
16
V
GS
= 0 V, –5 V
初步
最大雪崩能量 -
通道温度降额
反向漏电流I
F
(A)
40
I
AP
= 15 A
V
DD
= 50 V
值班< 0.1 ％
Rg
≥
50
Ω
12
30
8
20
4
脉冲测试
0
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
10
0
25
50
75
100
125
150
源极到漏极电压V
SDF
(V)
沟道温度Tch （ ° C）
归瞬态热阻抗与脉冲宽度
归瞬态热阻抗
γ
秒（ t）的
3
TC = 25°C
1
D=1
0.5
0.3
0.2
0.1
0.1
0.05
θch
- C （T ） =
γs
(t)
θch
- c
θch
- C = 8.33 ° C / W ，TC = 25°C
P
DM
ULS
tp
e
0.03
0.02
1
0.0
D=
PW
T
PW
T
0.01
10
μ
ho
1s
100
μ
1m
10 m
100 m
1
10
脉冲宽度PW （S ）
REJ03G1679-0310 Rev.3.10
2010年5月21日
第5页第7
QQ：2881677436 复制
