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HYB18TC256[80/16]0BF
256兆位双数据速率 - 双SDRAM的
修订历史：修订版1.3 ， 2007-05
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HYB18TC256[80/16]0BF
256兆位双数据速率 - 双SDRAM的
1
概观
本章提供了256兆双倍数据速率- SDRAM两个产品系列的概述，并介绍了其主要
的特点。
1.1
特点
256 - Mbit的双数据速率 - 双SDRAM提供以下主要功能：
片外驱动器阻抗调整（ OCD）和开 -
1.8 V
±
0.1 V电源
1.8 V
±
0.1 V（ SSTL_18 ）兼容的I / O
模端接（ ODT）为更好的信号质量
DRAM的组织与8和16的数据输入/输出
自动预充电操作进行读取和写入突发
双数据速率的架构：每两次数据传输
自动刷新，自刷新和节能电源 -
时钟周期的四个内部银行的并发操作
断模式
可编程CAS延时： 3 ，4，5和6中
平均更新周期7.8
s
在
T
例
低于
可编程突发长度： 4和8
85 °C, 3.9
s
在85 ℃和95 ℃下
差分时钟输入（ CK和CK ）
通过EMRS2设置可编程自刷新速率
通过EMRS2设置可编程部分阵列刷新
双向，差分数据选通（ DQS和DQS ）是
发送/接收的数据。与读取边缘对齐
DCC通过EMRS2设置启用
完整和强度降低数据输出驱动器
数据中心对齐与写入数据。
DLL对齐DQ和DQS转换时钟
1K大小页面
封装： PG - TFBGA -84 ， PG- TFBGA -60
DQS可以用于单端数据选通信号被禁止
手术
符合RoHS标准的产品
1)
进入每个时钟上升沿命令，数据和
比DDR400快所有的速度等级符合
数据掩码被引用到的DQS的两个边缘
DDR400时序规格在时钟速率运行时
数据掩码（ DM ），用于写入数据
200兆赫
中科院发布了可编程的附加延迟更好
指令和数据总线效率
表1
为-2.5性能表
产品型号代码的运行速度
速度等级
马克斯。时钟频率
@CL6
@CL5
@CL4
@CL3
分钟。 RAS -CAS延迟
分钟。行预充电时间
分钟。行活动时间
分钟。行周期时间
–2.5
DDR2-800E 6-6-6
单位
—
兆赫
兆赫
兆赫
兆赫
ns
ns
ns
ns
f
CK6
f
CK5
f
CK4
f
CK3
t
RCD
t
RP
t
RAS
t
RC
400
333
266
200
15
15
45
60
1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
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256兆位双数据速率 - 双SDRAM的
1.2
描述
所有的控制和地址输入与同步
对外部提供的差分时钟。输入是
锁存的差分时钟的交叉点（CK上升沿和
CK下降） 。所有I / O都具有单端同步
在源同步DQS或差分DQS ， DQS对
时尚。
15位地址总线用于传送行，列和行
解决一个RAS- CAS复用样式信息。
在DDR2器件采用1.8 V
±
0.1 V电源
供应量。提供自动刷新和自刷新模式
随着各种节能省电模式。
描述的功能性和时序规范
包括在这个数据表是的DLL启用模式
操作。
在DDR2 SDRAM是PG- TFBGA封装。
256 MB的DDR2 DRAM是一种高速双数据 -
含536,870,912位速率两个CMOS DRAM设备
而在内部配置为四 - 银行DRAM 。在256
MB的设备组织成为8兆比特
×8
I / O
×4
银行或4
兆
×16
I / O
×4
银行芯片。这些器件实现了高
起价400 MB /秒/针一般的速度传输率
应用程序。看
表1
to
表4
性能数据。
该设备被设计为符合所有DDR2 DRAM的关键
产品特点：
1.发布与CAS延迟添加剂
2.写入延迟=读取延迟 - 1
3.正常和实力弱的数据输出驱动器
4.片外驱动器（ OCD ）阻抗调节
5.片上端接（ ODT ）功能
表5
对于无铅产品订购信息（符合RoHS ）
产品类型
1)
HYB18TC256800BF-2.5
HYB18TC256160BF-2.5
HYB18TC256800BF-3
HYB18TC256160BF-3
HYB18TC256800BF-3S
HYB18TC256160BF-3S
HYB18TC256800BF-3.7
HYB18TC256160BF-3.7
HYB18TC256800BF-5
HYB18TC256160BF-5
组织。
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
×8
×16
3-3-3
200
DDR2-400B
4-4-4
266
DDR2-533C
5-5-5
333
DDR2-667D
4-4-4
333
DDR2-667C
CAS- RCD -RP
潜伏期
2)3)4)
6-6-6
时钟
（兆赫）
400
速度
DDR2-800E
包
PG-TFBGA-60
PG-TFBGA-84
PG-TFBGA-60
PG-TFBGA-84
PG-TFBGA-60
PG-TFBGA-84
PG-TFBGA-60
PG-TFBGA-84
PG-TFBGA-60
PG-TFBGA-84
记
5)
1 ）与奇梦达的代表是提前期和首选设备类型的可用性和版本满足您的项目，请检查
要求。
2 ） CAS ：列地址选通
3 ） RCD ：行列延时
4 ） RP ：行预充电
5 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义
在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，
铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。
注：有关产品命名看
第九章
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