【HY62WT08081E系列32Kx8bit CMOS SRAM文档标题32K ×8位2.7 5.】,IC型号HY62WT08081E-DGC,HY62WT08081E-DGC PDF资料,HY62WT08081E-DGC经销商,ic,电子元器件-51电子网

HY62WT08081E

系列

32Kx8bit CMOS SRAM

文档标题

32K ×8位2.7 5.5V低功耗SRAM慢

修订历史

版本号

历史

初始

修订

变化LL-部分ISB1限@ E.T / I.T ， 4.5 5.5V

： 15uA = >的20uA

修订

标识信息变更： SOP类型

VOH限值变化： 2.4V = > @ 2.2V 2.7 3.6V

改变的标志

- 韩国现代海力士->

- 标识信息变更

修订

Iccdr限制添加：为2uA @ 40℃

草案日期

Feb.05.2001

Feb.13.2001

备注

初步

最终科幻

Feb.21.2001

最终科幻

Apr.30.2001

最终科幻

May.23.2001

最终科幻

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任

使用说明电路。没有专利许可。

转/五月04 。 2001年

海力士半导体

HY62WT08081E系列

描述

该HY62WT08081E是一个高速，低功耗

和32786 ×8位CMOS静态随机

使用海力士的高存取记忆体制造

高性能CMOS工艺技术。这是

适用于低电压操作使用和

电池备份应用程序。此装置有一个

数据保存方式，保证数据

仍然有效的最小电源

电压为2.0伏。

特点

完全静态的操作和三态输出

TTL兼容的输入和输出

低功耗

备用电池（ LL-部分）

- 2.0V （分钟）的数据保留

标准引脚配置

- 28引脚600mil PDIP

- 28引脚330mil SOP

- 28引脚8x13.4毫米的TSOP -I

（标准）

待机电流（ UA）

LL-部分

温度

(°C)

0~70(Normal)

-25~85(Extended)

-40~85(Industrial)

电压

速度

手术

(V)

（纳秒）

电流（mA ）

4.5~5.5

55/70

2.7~3.6

70*/85

HY62WT08081E -E 4.5 5.5

55/70

2.7~3.6

70*/85

HY62WT08081E-I

4.5~5.5

55/70

2.7~3.6

70*/85

注意事项1.当前值最大。

*可与30pF的负载测试为70ns

产品

号

HY62WT08081E-C

引脚连接

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

/ WE

A13

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

/ WE

A13

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

/ OE

A11

A13

/ WE

VCC

A14

A12

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

PDIP

SOP

TSOP -I （标准）

引脚说明

引脚名称

/ CS

/ WE

/ OE

A0 ~ A14

I / O1 I / O8

VCC

VSS

引脚功能

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

地址输入

数据输入/输出

Power(+5.0V)

地

框图

SENSE AMP

行解码器

添加输入缓冲器

I/O1

输出缓冲器

I/O8

列解码器

A14

/ CS

/ OE

/ WE

转/五月04 。 2001年

控制

逻辑

写入驱动器

存储阵列

512x512

HY62WT08081E系列

订购信息

产品型号

速度

4.5~5.5V

2.7~3.6V

动力

温度

0至70℃

-25 85°C

-40到85°C

0至70℃

-25 85°C

-40到85°C

0至70℃

-25 85°C

-40到85°C

包

HY62WT08081E-DPC

HY62WT08081E-DPE

HY62WT08081E-DPI

HY62WT08081E-DGC

55/70

70*/85

HY62WT08081E-DGE

HY62WT08081E-DGI

HY62WT08081E-DTC

HY62WT08081E-DTE

HY62WT08081E-DTI

注*为70ns ，请与30pF的负载测试

PDIP

LL-部分

SOP

TSOP- I标准

绝对最大额定值（ 1 ）

符号

VCC ，V

IN，

OUT

参数

电源，

4.5~5.5V

输入/输出电压

2.7~3.6V

工作温度

HY62WT08081E-C

HY62WT08081E-E

HY62WT08081E-I

储存温度

功耗

数据输出电流

引线焊接温度&时间

等级

-0.3 7.0

-0.3 4.6

0到70

-25到85

-40到85

-65到150

1.0

260

单位

°C

° C秒

英镑

OUT

SOLDER

记

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或

超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。

转/五月04 。 2001年

HY62WT08081E系列

建议的直流工作条件

VCC = 4.5 5.5V

符号

参数

分钟。

VCC

电源电压

4.5

VSS

地

输入高电压

2.2

输入低电压

-0.3

(1)

注1 。 V

= -3.0V脉冲宽度小于50ns

典型值。

5.0

马克斯。

5.5

Vcc+0.3

0.8

单位

VCC = 2.7 3.6V

符号

参数

分钟。

典型值。

VCC

电源电压

2.7

3.0/3.3

VSS

地

输入高电压

2.2

输入低电压

-0.3

(1)

注1 。 V

= -1.5V脉冲宽度小于50ns

马克斯。

3.6

Vcc+0.3

0.6

单位

真值表

/ CS

/我们/ OE

模式

待机

输出禁用

读

写

记

1. H = V

中，L = V

， X =无所谓

I / O操作

高-Z

数据输出

DATA IN

转/五月04 。 2001年

HY62WT08081E系列

DC特性

VCC = 4.5 5.5V ，T

= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），

除非另有规定ED 。

参数

测试条件

分钟。典型值。马克斯。

符号

输入漏电流

VSS < V

＆ LT ; VCC

-1

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

-1

或/ WE = V

ICC

工作电源

/ CS = V

当前

= V

或V

白细胞介素，

I / O =

0mA

CC1

平均工作电流

/ CS = V

白细胞介素，

= V

或V

白细胞介素，

分钟。占空比= 100 ％，我

I / O =

0mA

TTL待机电流

/ CS = V

IH ，

（ TTL输入）

= V

或V

SB1

CMOS待机电流

/ CS >为VCC - 0.2V ，

0~ 70°C

（ CMOS输入）

>的Vcc - 0.2V或

< VSS + 0.2V

-25 85 ° C或

-40~ 85°C

输出低电压

= 2.1毫安

0.4

输出高电压

OH =

-1.0mA

2.4

注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T

= 25°C

单位

VCC = 2.7 3.6V ，T

= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），

除非另有规定ED 。

符号

参数

测试条件

分钟。典型值。马克斯。

输入漏电流

VSS < V

＆ LT ; VCC

-1

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

-1

或/ WE = V

ICC

工作电源

/ CS = V

当前

= V

或V

白细胞介素，

I / O =

0mA

CC1

平均工作电流

/ CS = V

白细胞介素，

= V

或V

白细胞介素，

分钟。占空比= 100 ％，我

I / O =

0mA

TTL待机电流

/ CS = V

IH ，

0.3

（ TTL输入）

= V

或V

SB1

CMOS待机电流

/ CS >为VCC - 0.2V ，

0~ 70°C

（ CMOS输入）

>的Vcc - 0.2V或

< VSS + 0.2V

-25 85 ° C或

-40~ 85°C

输出低电压

= 2.1毫安

0.4

输出高电压

OH =

-1.0mA

2.2

注：典型值是在Vcc = 3.0 / 3.3V ，T

= 25°C

单位

转/五月04 。 2001年

HY62WT08081E

系列

32Kx8bit CMOS SRAM

文档标题

32K ×8位2.7 5.5V低功耗SRAM慢

修订历史

版本号

历史

初始

修订

变化LL-部分ISB1限@ E.T / I.T ， 4.5 5.5V

： 15uA = >的20uA

修订

标识信息变更： SOP类型

VOH限值变化： 2.4V = > @ 2.2V 2.7 3.6V

改变的标志

- 韩国现代海力士->

- 标识信息变更

修订

Iccdr限制添加：为2uA @ 40℃

草案日期

Feb.05.2001

Feb.13.2001

备注

初步

最终科幻

Feb.21.2001

最终科幻

Apr.30.2001

最终科幻

May.23.2001

最终科幻

这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任

使用说明电路。没有专利许可。

转/五月04 。 2001年

海力士半导体

HY62WT08081E系列

描述

该HY62WT08081E是一个高速，低功耗

和32786 ×8位CMOS静态随机

使用海力士的高存取记忆体制造

高性能CMOS工艺技术。这是

适用于低电压操作使用和

电池备份应用程序。此装置有一个

数据保存方式，保证数据

仍然有效的最小电源

电压为2.0伏。

特点

完全静态的操作和三态输出

TTL兼容的输入和输出

低功耗

备用电池（ LL-部分）

- 2.0V （分钟）的数据保留

标准引脚配置

- 28引脚600mil PDIP

- 28引脚330mil SOP

- 28引脚8x13.4毫米的TSOP -I

（标准）

待机电流（ UA）

LL-部分

温度

(°C)

0~70(Normal)

-25~85(Extended)

-40~85(Industrial)

电压

速度

手术

(V)

（纳秒）

电流（mA ）

4.5~5.5

55/70

2.7~3.6

70*/85

HY62WT08081E -E 4.5 5.5

55/70

2.7~3.6

70*/85

HY62WT08081E-I

4.5~5.5

55/70

2.7~3.6

70*/85

注意事项1.当前值最大。

*可与30pF的负载测试为70ns

产品

号

HY62WT08081E-C

引脚连接

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

/ WE

A13

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

A14

A12

I/O1

I/O2

I/O3

VSS

VCC

/ WE

A13

A11

/ OE

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

/ OE

A11

A13

/ WE

VCC

A14

A12

A10

/ CS

I/O8

I/O7

I/O6

I/O5

I/O4

VSS

I/O3

I/O2

I/O1

PDIP

SOP

TSOP -I （标准）

引脚说明

引脚名称

/ CS

/ WE

/ OE

A0 ~ A14

I / O1 I / O8

VCC

VSS

引脚功能

芯片选择

写使能

OUTPUT ENABLE

地址输入

数据输入/输出

Power(+5.0V)

地

框图

SENSE AMP

行解码器

添加输入缓冲器

I/O1

输出缓冲器

I/O8

列解码器

A14

/ CS

/ OE

/ WE

转/五月04 。 2001年

控制

逻辑

写入驱动器

存储阵列

512x512

HY62WT08081E系列

订购信息

产品型号

速度

4.5~5.5V

2.7~3.6V

动力

温度

0至70℃

-25 85°C

-40到85°C

0至70℃

-25 85°C

-40到85°C

0至70℃

-25 85°C

-40到85°C

包

HY62WT08081E-DPC

HY62WT08081E-DPE

HY62WT08081E-DPI

HY62WT08081E-DGC

55/70

70*/85

HY62WT08081E-DGE

HY62WT08081E-DGI

HY62WT08081E-DTC

HY62WT08081E-DTE

HY62WT08081E-DTI

注*为70ns ，请与30pF的负载测试

PDIP

LL-部分

SOP

TSOP- I标准

绝对最大额定值（ 1 ）

符号

VCC ，V

IN，

OUT

参数

电源，

4.5~5.5V

输入/输出电压

2.7~3.6V

工作温度

HY62WT08081E-C

HY62WT08081E-E

HY62WT08081E-I

储存温度

功耗

数据输出电流

引线焊接温度&时间

等级

-0.3 7.0

-0.3 4.6

0到70

-25到85

-40到85

-65到150

1.0

260

单位

°C

° C秒

英镑

OUT

SOLDER

记

1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的

损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或

超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。

暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。

转/五月04 。 2001年

HY62WT08081E系列

建议的直流工作条件

VCC = 4.5 5.5V

符号

参数

分钟。

VCC

电源电压

4.5

VSS

地

输入高电压

2.2

输入低电压

-0.3

(1)

注1 。 V

= -3.0V脉冲宽度小于50ns

典型值。

5.0

马克斯。

5.5

Vcc+0.3

0.8

单位

VCC = 2.7 3.6V

符号

参数

分钟。

典型值。

VCC

电源电压

2.7

3.0/3.3

VSS

地

输入高电压

2.2

输入低电压

-0.3

(1)

注1 。 V

= -1.5V脉冲宽度小于50ns

马克斯。

3.6

Vcc+0.3

0.6

单位

真值表

/ CS

/我们/ OE

模式

待机

输出禁用

读

写

记

1. H = V

中，L = V

， X =无所谓

I / O操作

高-Z

数据输出

DATA IN

转/五月04 。 2001年

HY62WT08081E系列

DC特性

VCC = 4.5 5.5V ，T

= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），

除非另有规定ED 。

参数

测试条件

分钟。典型值。马克斯。

符号

输入漏电流

VSS < V

＆ LT ; VCC

-1

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

-1

或/ WE = V

ICC

工作电源

/ CS = V

当前

= V

或V

白细胞介素，

I / O =

0mA

CC1

平均工作电流

/ CS = V

白细胞介素，

= V

或V

白细胞介素，

分钟。占空比= 100 ％，我

I / O =

0mA

TTL待机电流

/ CS = V

IH ，

（ TTL输入）

= V

或V

SB1

CMOS待机电流

/ CS >为VCC - 0.2V ，

0~ 70°C

（ CMOS输入）

>的Vcc - 0.2V或

< VSS + 0.2V

-25 85 ° C或

-40~ 85°C

输出低电压

= 2.1毫安

0.4

输出高电压

OH =

-1.0mA

2.4

注：典型值是在Vcc = 5.0V ，T

= 25°C

单位

VCC = 2.7 3.6V ，T

= 0 ° C至70 ° C（普通） / -25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级），

除非另有规定ED 。

符号

参数

测试条件

分钟。典型值。马克斯。

输入漏电流

VSS < V

＆ LT ; VCC

-1

输出漏电流

VSS < V

OUT

＆ LT ; VCC ， / CS = V

-1

或/ WE = V

ICC

工作电源

/ CS = V

当前

= V

或V

白细胞介素，

I / O =

0mA

CC1

平均工作电流

/ CS = V

白细胞介素，

= V

或V

白细胞介素，

分钟。占空比= 100 ％，我

I / O =

0mA

TTL待机电流

/ CS = V

IH ，

0.3

（ TTL输入）

= V

或V

SB1

CMOS待机电流

/ CS >为VCC - 0.2V ，

0~ 70°C

（ CMOS输入）

>的Vcc - 0.2V或

< VSS + 0.2V

-25 85 ° C或

-40~ 85°C

输出低电压

= 2.1毫安

0.4

输出高电压

OH =

-1.0mA

2.2

注：典型值是在Vcc = 3.0 / 3.3V ，T

= 25°C

单位

转/五月04 。 2001年