HS-26CLV31RH
TM
数据表
2000年8月
网络文件编号
4898
抗辐射3.3V四路差动
线路驱动器
Intersil的HS- 26CLV31RH是一种抗辐射3.3V
四路差分线路驱动器，设计用于数字数据
传输过平衡线路，在低电压，RS-422
协议的应用。 CMOS工艺保证了低功耗
消耗量，高速，并在最可靠的操作
严重的辐射环境。
该HS- 26CLV31RH接受CMOS电平输入和转换
这些差分输出。使能引脚允许多个器件
被连接到相同的数据源和处理
独立。该设备具有独特的输出，成为
当驱动程序被禁用或高阻抗断电，
保持在多驱动器应用的信号完整性。
特定网络阳离子抗辐射QML设备进行控制
由美国国防供应中心在哥伦布（ DSCC ） 。该
订货时这里列出SMD号码必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
载于SMD 5962-96663 。 “热链接”提供
我们的网页上下载。
www.intersil.com/spacedefense/space.htm
特点
电筛选，以SMD ＃ 5962-96663
符合MIL -PRF- 38535 QML要求QUALI网络版
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（SI ）（最大）
- 单粒子翻转LET 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .100MeV /毫克/平方厘米
2
)
- 单粒子闩锁免疫性
极低的待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值）
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V至3.6V
CMOS电平输入。 。 。 。 V
IH
> （ 0.7 ） （V
DD
); V
IL
< （ 0.3 ） （V
DD
)
差分输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
OH
> 1.8V ; V
OL
＆ LT ; 0.5V
高阻抗输出时禁用或供电
下
低输出阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 10Ω或以下
全-55
o
C至125
o
军用温度范围
引脚配置
HS1-26CLV31RH （ SBDIP ）
CDIP2-T16
顶视图
AIN 1
AO 2
AO 3
ENABLE 4
BO 5
BO 6
7 BIN
GND 8
16 V
DD
15 DIN
14 DO
13 DO
12 ENABLE
11 CO
10 CO
9 CIN
订购信息
订购数量
5962F9666302QEC
5962F9666302QXC
5962F9666302V9A
5962F9666302VEC
5962F9666302VXC
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-26CLV31RH-8
HS9-26CLV31RH-8
HS0-26CLV31RH-Q
HS1-26CLV31RH-Q
HS9-26CLV31RH-Q
温度。
范围
(
o
C)
-55至125
-55至125
25
-55至125
-55至125
-55至125
-55至125
HS1-26CLV31RH / PROTO HS1-26CLV31RH / PROTO
HS9-26CLV31RH / PROTO HS9-26CLV31RH / PROTO
逻辑图
启用
启用
DIN
CIN
箱子
艾因
HS9-26CLV31RH （ FLATPACK ）
CDFP4-F16
顶视图
艾因
AO
AO
启用
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
V
DD
DIN
DO
DO
启用
CO
CO
CIN
DO DO
CO CO
BO BO
AO AO
BO
BO
箱子
GND
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143
|
Intersil的设计是Intersil Corporation的注册商标。
|
版权所有 Intersil公司2000
HS-26CLV31RH
模具特点
DIE尺寸：
96.5密耳X 195密耳×21密耳
(2450 x 4950)
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8K
±
1k
金属化：
下图：莫/钨化钛
厚度： 5800
±
1k
上图： AlSiCu （上）
厚度： 10K
±
1k
基材：
AVLSI1RA
背面表面处理：
硅
大会相关信息：
衬底电位（电） ：
V
DD
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS-26CLV31RH
(16) V
DD
(16) V
DD
（15）， DIN
（ 14 ） DO
（ 13 ） DO
（ 12 ）启用
（ 11 ） CO
（ 10 ） CO
CIN （9）
（1）氮化铝
AO （ 2 ）
AO （ 3 ）
ENABLE （ 4 ）
BO （ 5 ）
BO （ 6 ）
BIN （ 7 ）
ND （ 8 ）
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的半导体产品仅出售描述。 Intersil公司保留在任何时间与 - 进行更改电路设计和/或特定网络阳离子权
出通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是准确和
可靠的。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也不对第三方专利或其他权利的任何侵犯，可能导致
从它的使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅网站
www.intersil.com
2
ND （ 8 ）
抗辐射3.3V四路差分线路
DRIVERS
HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH
Intersil的HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH有辐射
专为硬化3.3V四路差分线路驱动器
过平衡线路的数字数据传输，在低电压，
RS - 422协议的应用程序。 CMOS工艺，保证低
功耗，高速度，而在可靠的操作
最严重的辐射环境。
该HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH接受CMOS电平输入
并把它们转换成差分输出。使能引脚允许
几个设备可被连接到相同的数据源，并
独立解决。这些器件具有独特的输出，
成为高阻抗当司机被禁用或
掉电模式中，在多驱动器保持信号完整性
应用程序。
规格为抗辐射QML设备由控制
国防后勤局陆地和海洋（ DLA ） 。在SMD
订货时这里列出的数字必须使用。
详细的电气特定网络连接的阳离子为这些设备是
包含在SMD
5962-96663.
“热链接”也提供了
我们的主页下载。
特点
电筛选，以SMD ＃
5962-96663
QML每个合格MIL -PRF- 38535的要求
1.2微米抗辐射CMOS
- 总剂量。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 300拉德（SI ） （最大值）
- 单粒子翻转LET 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100MeV /毫克/平方厘米
2
)
- 单粒子闩锁免疫性
极低的待机电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 100μA （最大值）
工作电压范围。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 3.0V至3.6V
CMOS电平输入。 。 。 。 。 。 。 .V
IH
> （ 0.7 ） （V
DD
); V
IL
< （ 0.3 ） （V
DD
)
差分输出。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
OH
> 1.8V ; V
OL
＆ LT ; 0.5V
高阻抗输出禁用时或断电
低输出阻抗。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .10Ω以下
-55 ° C至+ 125°C军用温度范围
无铅（符合RoHS ）
应用
为MIL -STD- 1553串行数据总线发送器
订购信息
订购数量
（注）
5962F9666302QEC
5962F9666302QXC
5962F9666302VEC
5962F9666302VXC
5962F9666302V9A
HS1-26CLV31RH/PROTO
HS9-26CLV31RH/PROTO
5962F9666304VEC
5962F9666304VXC
5962F9666304V9A
HS0-26CLV31RH/SAMPLE
国内
MKT 。 NUMBER
HS1-26CLV31RH-8
HS9-26CLV31RH-8
HS1-26CLV31RH-Q
HS9-26CLV31RH-Q
HS0-26CLV31RH-Q
HS1-26CLV31RH/PROTO
HS9-26CLV31RH/PROTO
HS1-26CLV31EH-Q
HS9-26CLV31EH-Q
HS0-26CLV31EH-Q
HS0-26CLV31RH/SAMPLE
HS1-26CLV31RH/PROTO
HS9-26CLV31RH/PROTO
Q 5962F96 66304VEC
Q 5962F96 66304VXC
部分
记号
Q 5962F96 66302QEC
Q 5962F96 66302QXC
Q 5962F96 66302VEC
Q 5962F96 66302VXC
TEMP 。 RANGE
(°C)
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
-55到+125
包
（符合RoHS ）
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
DIE
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
16 Ld的SBDIP
16 Ld的扁平
DIE
DIE
D16.3
K16.A
D16.3
K16.A
PKG 。
DWG 。 ＃
D16.3
K16.A
D16.3
K16.A
注意：这些Intersil无铅密封包装的产品采用100％的金盘 - E4终止完成，这是符合RoHS标准，兼容
既锡铅和无铅焊接操作。
2012年12月12日
FN4898.3
1
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或1-888-468-3774
|
版权所有Intersil的美洲Inc.2000 ， 2008年， 2009年， 2012年版权所有
Intersil公司（设计）是Intersil公司或其子公司所拥有的商标。
提及的所有其他商标均为其各自所有者的财产。
HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH
销刀豆网络gurations
HS1-26CLV31RH ， HS1-26CLV31EH
（ 16 LD SBDIP ）
CDIP2-T16
顶视图
AIN 1
AO 2
AO 3
ENABLE 4
BO 5
BO 6
7 BIN
GND 8
16 VDD
15 DIN
14 DO
13 DO
12 ENABLE
11 CO
10 CO
9 CIN
艾因
AO
AO
启用
BO
BO
箱子
GND
HS9-26CLV31RH ， HS9-26CLV31EH
（ 16 LD FLATPACK ）
CDFP4-F16
顶视图
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VDD
DIN
DO
DO
启用
CO
CO
CIN
逻辑图
启用
启用
DIN
CIN
箱子
艾因
DO DO
CO CO
BO BO
AO AO
有关更多产品，请参阅
www.intersil.com/product_tree
Intersil的产品的制造，组装和测试都采用ISO9000质量体系如前所述
在发现质量认证
www.intersil.com/design/quality
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留权利，可在电路设计，软件更改和/或技术规格之权利
恕不另行通知。因此，告诫读者，以验证数据表之前订货电流。 Intersil提供的信息被认为是
准确和可靠。然而，承担任何责任由Intersil或其子公司供其使用;也为专利或第三方的任何其他权利的侵犯
当事人可能导致其使用。没有获发牌照以暗示或以其他方式Intersil公司或其子公司的任何专利或专利权。
关于Intersil公司及其产品的信息，请参阅
www.intersil.com
2
FN4898.3
2012年12月12日
HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH
模具特点
DIE尺寸：
96.5密耳× 195密耳×21密耳
(2450 x 4950)
基材：
AVLSI1RA
背面表面处理：
硅
界面材料：
玻璃钝化：
类型： PSG （磷硅玻璃）
厚度： 8K
±1k
金属化：
下图：莫/钨化钛
厚度： 5800
±
1k
上图： AlSiCu （上）
厚度： 10K
±1k
大会相关信息：
衬底电位（电） ：
V
DD
附加信息：
最坏情况下的电流密度：
<2.0 ×10
5
A /厘米
2
焊垫尺寸：
110μm X 100μm的
金属掩模布局
HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH
表1 HS- 26CLV31RH ， HS- 26CLV31EH PAD坐标
（ 16 ） VDD
（ 16 ） VDD
（15）， DIN
（1）氮化铝
相对于针脚1
针
数
1
2
PAD
名字
艾因
A0
A0
启用
B0
B0
箱子
GND
GND
CIN
C0
C0
启用
D0
D0
DIN
VIN
VIN
X坐标Y坐标
0
0
0
0
0
0
0
852.4
1062.4
1912.8
1912.8
1912.8
1912.8
1912.8
1912.8
1912.8
1062.4
852.4
0
-570.7
-1483.5
-2124.8
-2873.5
-3786.3
-4357
-4357
-4357
-4357
-3786.3
-2873.5
-2124.8
-1483.5
-570.7
0
0
0
AO （ 2 ）
（ 14 ） DO
3
4
5
AO （ 3 ）
（ 13 ） DO
6
7
8
8
ENABLE （ 4 ）
（ 12 ）启用
9
10
11
BO （ 5 ）
（ 11 ） CO
12
13
14
15
BO （ 6 ）
（ 10 ） CO
16
16
注：尺寸在微米
GND （ 8 ）
GND （ 8 ）
CIN （9）
BIN （ 7 ）
3
FN4898.3
2012年12月12日
QQ：2880707522 复制
