HY62V8400A系列
512Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
512K ×8位3.3V低功耗CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
03
历史
修订历史将
修订
- 改进的待机电流
ISB1 ：为30uA
0uA
2
修订
- 更改Iccdr值： 15uA = >的20uA
标识信息添加
修订
-
E.T （ -25 85°C ） ， I.T （ -40 85°C ）部分插入
-
AC测试条件添加： 5pF的负载测试
-
V
IH
最大： VCC + 0.2V = > VCC + 0.3V
-
V
IL
分： - 0.2V = > - 0.3V
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.06.2000
备注
最终科幻
04
05
Aug.04.2000
Dec.04.2000
最终科幻
最终科幻
06
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转06 / 2001年4月
海力士半导体
HY62V8400A系列
描述
该HY62V8400A是一种高速，低功耗，
4M比特组织为512K字CMOS SRAM
由8位。该HY62V8400A采用海力士的高
高性能双桶CMOS工艺技术
与被设计用于高速，低功率
电路技术。它特别适于供
在高密度和低功率系统中使用
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据将保持在所述有效
2.0V的最小供电电压。
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62V8400A
3.0~3.6 70/85/100
HY62V8400A -E 3.0 3.6 70/85/100
HY62V8400A-I
3.0~3.6 70/85/100
注意事项1.当前值最大。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池（ LL-部分）
- 。 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32引脚525mil SOP
- 。 32引脚400mil TSOP -II
（标准和反向）
待机电流（ UA）
LL
20
30
30
温度
(°C)
0~70
-25~70
-40~70
手术
电流/ ICC（毫安）
5
5
5
引脚连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
SOP
TSOP -II （标准）
TSOP -II （反向）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A18
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(3.0~3.6V)
地
A0
框图
行解码器
I/O1
SENSE AMP
添加输入缓冲器
列解码器
数据I / O
卜FF器
存储阵列
512Kx 8
写入驱动器
I/O8
A18
/ CS
/ OE
/ WE
控制
逻辑
转06 / 2001年4月
2
HY62V8400A系列
订购信息
产品型号
HY62V8400ALLG
HY62V8400ALLG-E
HY62V8400ALLG-I
HY62V8400ALLT2
HY62V8400ALLT2-E
HY62V8400ALLT2-I
HY62V8400ALLR2
HY62V8400ALLR2-E
HY62V8400ALLR2-I
速度
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
动力
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
温度
0~70
°C
-25~85
°C
-40~85
°C
0~70
°C
-25~85
°C
-40~85
°C
0~70
°C
-25~85
°C
-40~85
°C
包
SOP
SOP
SOP
TSOP -II （标准）
TSOP -II （标准）
TSOP -II （标准）
TSOP -II （反向）
TSOP -II （反向）
TSOP -II （反向）
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
HY62V8400A
HY62V8400A-E
HY62V8400A-I
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.5到4.0
0到70
-25到85
-40到85
-65到150
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
MA
° C秒
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。
真值表
/ CS
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ OE
X
H
L
X
模式
取消
输出禁用
读
写
I / O操作
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH
或V
IL
)
转06 / 2001年4月
2
HY62V8400A系列
建议的直流工作条件
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
符号
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VCC
电源电压
3.0
3.3
3.6
V
VSS
地
0
0
0
V
V
IH
输入高电压
2.2
-
Vcc+0.3
V
V
IL
输入低电压
-0.3
(1)
-
0.4
V
注意：
1. V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的，而不是100 ％测试。
DC电气特性
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
符号
参数
测试条件
最小典型最大单位
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
uA
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
uA
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
,
-
5
mA
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
-
40
mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
IL
最小占空比= 100 ％ ，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ，
-
0.5
mA
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
待机电流
I
SB1
/ CS >为VCC - 0.2V ，
LL
-
-
20
uA
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL -E / I
-
-
30
uA
V
IN
< VSS + 0.2V
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1mA
2.2
-
-
V
注：典型值是在Vcc = 3.3V ，T
A
= 25°C
电容
温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：该参数进行采样，并没有100 ％测试
转06 / 2001年4月
3
HY62V8400A系列
AC特性
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
70ns
85ns
100ns
＃符号
参数
单位
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
ns
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
ns
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
ns
4
TOE
输出使能到输出有效
-
40
-
45
-
50
ns
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
ns
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
ns
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
25
0
30
0
30
ns
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
25
0
30
0
30
ns
9
TOH
从地址变更输出保持
15
-
15
-
15
-
ns
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
ns
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
ns
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
ns
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
ns
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
60
-
70
-
ns
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
ns
16 tWHZ
写在高Z输出
0
25
0
30
0
30
ns
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
35
-
40
-
ns
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
ns
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
5
-
ns
AC测试条件
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
OTHERS
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
记
1.包括夹具和范围电容
转06 / 2001年4月
4
HY62V8400A系列
512Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
512K ×8位3.3V低功耗CMOS SRAM慢
修订历史
版本号
03
历史
修订历史将
修订
- 改进的待机电流
ISB1 ：为30uA
0uA
2
修订
- 更改Iccdr值： 15uA = >的20uA
标识信息添加
修订
-
E.T （ -25 85°C ） ， I.T （ -40 85°C ）部分插入
-
AC测试条件添加： 5pF的负载测试
-
V
IH
最大： VCC + 0.2V = > VCC + 0.3V
-
V
IL
分： - 0.2V = > - 0.3V
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.06.2000
备注
最终科幻
04
05
Aug.04.2000
Dec.04.2000
最终科幻
最终科幻
06
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何责任
使用说明电路。没有专利许可。
转06 / 2001年4月
海力士半导体
HY62V8400A系列
描述
该HY62V8400A是一种高速，低功耗，
4M比特组织为512K字CMOS SRAM
由8位。该HY62V8400A采用海力士的高
高性能双桶CMOS工艺技术
与被设计用于高速，低功率
电路技术。它特别适于供
在高密度和低功率系统中使用
应用程序。此装置具有的数据保留
模式，保证数据将保持在所述有效
2.0V的最小供电电压。
产品
电压
速度
号
(V)
（纳秒）
HY62V8400A
3.0~3.6 70/85/100
HY62V8400A -E 3.0 3.6 70/85/100
HY62V8400A-I
3.0~3.6 70/85/100
注意事项1.当前值最大。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
低功耗
备用电池（ LL-部分）
- 。 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32引脚525mil SOP
- 。 32引脚400mil TSOP -II
（标准和反向）
待机电流（ UA）
LL
20
30
30
温度
(°C)
0~70
-25~70
-40~70
手术
电流/ ICC（毫安）
5
5
5
引脚连接
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
VCC
A15
A17
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/ CS
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
A18
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
SOP
TSOP -II （标准）
TSOP -II （反向）
引脚说明
引脚名称
/ CS
/ WE
/ OE
A0 ~ A18
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
芯片选择
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(3.0~3.6V)
地
A0
框图
行解码器
I/O1
SENSE AMP
添加输入缓冲器
列解码器
数据I / O
卜FF器
存储阵列
512Kx 8
写入驱动器
I/O8
A18
/ CS
/ OE
/ WE
控制
逻辑
转06 / 2001年4月
2
HY62V8400A系列
订购信息
产品型号
HY62V8400ALLG
HY62V8400ALLG-E
HY62V8400ALLG-I
HY62V8400ALLT2
HY62V8400ALLT2-E
HY62V8400ALLT2-I
HY62V8400ALLR2
HY62V8400ALLR2-E
HY62V8400ALLR2-I
速度
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
70/85/100
动力
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
温度
0~70
°C
-25~85
°C
-40~85
°C
0~70
°C
-25~85
°C
-40~85
°C
0~70
°C
-25~85
°C
-40~85
°C
包
SOP
SOP
SOP
TSOP -II （标准）
TSOP -II （标准）
TSOP -II （标准）
TSOP -II （反向）
TSOP -II （反向）
TSOP -II （反向）
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
HY62V8400A
HY62V8400A-E
HY62V8400A-I
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
等级
-0.5到4.0
0到70
-25到85
-40到85
-65到150
1.0
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
MA
° C秒
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下长时间可能会影响可靠度。
真值表
/ CS
H
L
L
L
/ WE
X
H
H
L
/ OE
X
H
L
X
模式
取消
输出禁用
读
写
I / O操作
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH
或V
IL
)
转06 / 2001年4月
2
HY62V8400A系列
建议的直流工作条件
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
符号
参数
分钟。
典型值。
马克斯。
单位
VCC
电源电压
3.0
3.3
3.6
V
VSS
地
0
0
0
V
V
IH
输入高电压
2.2
-
Vcc+0.3
V
V
IL
输入低电压
-0.3
(1)
-
0.4
V
注意：
1. V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的，而不是100 ％测试。
DC电气特性
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
符号
参数
测试条件
最小典型最大单位
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
uA
I
LO
输出漏电流
VSS < V
OUT
＆ LT ; VCC ， / CS = V
IH
or
-1
-
1
uA
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS = V
IL
,
-
5
mA
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
-
40
mA
I
CC1
平均工作电流
/ CS = V
IL
最小占空比= 100 ％ ，
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
SB
TTL待机电流
/ CS = V
IH ，
-
0.5
mA
（ TTL输入）
V
IN
= V
IH
或V
IL
待机电流
I
SB1
/ CS >为VCC - 0.2V ，
LL
-
-
20
uA
（ CMOS输入）
V
IN
>的Vcc - 0.2V或
LL -E / I
-
-
30
uA
V
IN
< VSS + 0.2V
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1mA
2.2
-
-
V
注：典型值是在Vcc = 3.3V ，T
A
= 25°C
电容
温度= 25 ° C，F = 1.0MHz的
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：该参数进行采样，并没有100 ％测试
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HY62V8400A系列
AC特性
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
70ns
85ns
100ns
＃符号
参数
单位
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
ns
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
ns
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
ns
4
TOE
输出使能到输出有效
-
40
-
45
-
50
ns
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
ns
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
ns
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
25
0
30
0
30
ns
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
25
0
30
0
30
ns
9
TOH
从地址变更输出保持
15
-
15
-
15
-
ns
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
ns
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
ns
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
ns
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
ns
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
60
-
70
-
ns
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
ns
16 tWHZ
写在高Z输出
0
25
0
30
0
30
ns
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
35
-
40
-
ns
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
ns
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
5
-
ns
AC测试条件
T
A
= 0
70
普通） / - 25 ° C至85°C （扩展） / -40 ° C至85°C （工业级） ，除非另有说明。
to
(
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
OTHERS
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
记
1.包括夹具和范围电容
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