HY62U8100B系列
128Kx8bit CMOS SRAM
文档标题
128K ×8位3.0V低功耗CMOS SRAM慢
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版本号
10
历史
最初的修订历史将
修订
- 插入部分为70ns
改变sTSOP的缺口位置
- 左上= >左中心
标识信息添加
修订
- AC测试条件添加： 5pF的负载测试
改变的标志
- 韩国现代海力士->
- 标识信息变更
草案日期
Jul.25.2000
备注
最终科幻
11
Sep.04.2000
最终科幻
12
Dec.04.2000
最终科幻
13
Apr.30.2001
最终科幻
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。海力士电子不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
转13 / 2001年4月
海力士半导体
HY62U8100B系列
描述
该HY62U8100B是一款高速，低功耗，
1M位CMOS SRAM组织为131,072字
由8位。该HY62U8100B采用高性能
CMOS工艺技术，并专为高
高速低功耗电路技术。这是
格外适合以及在高密度的低使用
电力系统中的应用。此装置有一个数据
保留模式，保证数据保持
有效电压为2.0V的最小供电电压。
特点
完全静态的操作和三态输出
TTL兼容的输入和输出
备用电池（ LL-部分）
- 。 2.0V （分）的数据保留
标准引脚配置
- 。 32 - SOP - 525mil
- 。 32 - TSOP -I - 8X20 （标准和反向）
- 。 32 - sTSOP -I - 8X13.4
（标准和反向）
产品
号
HY62U8100B
HY62U8100B-E
HY62U8100B-I
电压
(V)
2.7~3.3
2.7~3.3
2.7~3.3
速度
（纳秒）
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
手术
电流/ ICC（毫安）
5
5
5
待机电流（ UA）
LL
10
15
15
温度
(°C)
0~70
-25~85(E)
-40~85(I)
注1.空白：商业， E：扩展， I：工业
2.电流值最大。
*可与30pF的负载测试为70ns
引脚连接
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
I/O1
I/O2
I/O3
VSS
VCC
A15
CS2
/ WE
A13
A8
A9
A11
/ OE
A10
/CS1
I/O8
I/O7
I/O6
I/O5
I/O4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
A11
A9
A8
A13
/ WE
CS2
A15
VCC
NC
A16
A14
A12
A7
A6
A5
A4
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
22
21
20
19
18
17
/ OE
A10
/CS1
DQ8
DQ7
DQ6
DQ5
DQ4
VSS
DQ3
DQ2
DQ1
A0
A1
A2
A3
SOP
TSOP -I
（标准）
sTSOP -I
（标准）
引脚说明
引脚名称
/CS1
CS2
/ WE
/ OE
A0 ~ A16
I / O1 I / O8
VCC
VSS
引脚功能
片选1
片选2
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入
数据输入/输出
Power(2.7V~3.3V)
地
A0
框图
ROW
解码器
SENSE AMP
I/O1
添加输入
卜FF器
数据I / O
卜FF器
COLUMN
解码器
存储阵列
128K ×8
写入驱动器
A16
I/O8
/CS1
COLUMN
解码器
CS2
/ OE
/ WE
转13 / 2001年4月
2
HY62U8100B系列
订购信息
产品型号
HY62U8100BLLG
HY62U8100BLLT1
HY62U8100BLLR1
HY62U8100BLLST
HY62U8100BLLSR
HY62U8100BLLG-E
HY62U8100BLLT1-E
HY62U8100BLLR1-E
HY62U8100BLLST-E
HY62U8100BLLSR-E
HY62U8100BLLG-I
HY62U8100BLLT1-I
HY62U8100BLLR1-I
HY62U8100BLLST-I
HY62U8100BLLSR-I
速度
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
70*/85/100
动力
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
LL-部分
温度。
包
SOP
TSOP -I （标准）
TSOP -I （反转）
较小的TSOP -I （标准）
较小的TSOP -I （反转）
SOP
TSOP -I （标准）
TSOP -I （反转）
较小的TSOP -I （标准）
较小的TSOP -I （反转）
SOP
TSOP -I （标准）
TSOP -I （反转）
较小的TSOP -I （标准）
较小的TSOP -I （反转）
E
E
E
E
E
I
I
I
I
I
注1.空白：商业， E：扩展， I：工业
*可与30pF的负载测试为70ns
绝对最大额定值（ 1 ）
符号
VCC ，V
IN，
V
OUT
T
A
参数
电源，输入/输出电压
工作温度
等级
-0.3 4.6
0到70
-25到85
-40到85
-65至125
10
50
260
10
单位
V
°C
°C
°C
°C
W
mA
° C秒
备注
HY62U8100B
HY62U8100B-E
HY62U8100B-I
T
英镑
P
D
I
OUT
T
SOLDER
储存温度
功耗
数据输出电流
引线焊接温度&时间
记
1.强调超过绝对最大额定值可能会导致永久性的
损坏设备。这是值仅为器件在这些功能操作或
超出本规范的操作指示的任何其他条件不暗示。
暴露在绝对最大额定值条件下，长时间会影响其可靠性。
真值表
/CS1
H
X
L
L
L
CS2
X
L
H
H
H
/ WE
X
X
H
H
L
/ OE
X
X
H
L
X
模式
取消
取消
输出禁用
读
写
I / O
高-Z
高-Z
高-Z
数据输出
DATA IN
动力
待机
待机
活跃
活跃
活跃
注意：
1. H = V
IH
中，L = V
IL
， X =不关心（V
IH或
V
IL ）
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HY62U8100B系列
建议的直流工作条件
符号
VCC
VSS
V
IH
V
IL
参数
电源电压
地
输入高电压
输入低电压
分钟。
2.7
0
2.2
-0.3
(1)
典型值。
3.0
0
-
-
马克斯。
3.3
0
Vcc+0.3
0.6
单位
V
V
V
V
注意：
1. V
IL
= -1.5V脉冲宽度小于30ns的，而不是100％测试
DC电气特性
VCC = 2.7V 3.3V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
符号
参数
测试条件
分钟。典型值。马克斯。
I
LI
输入漏电流
VSS < V
IN
＆ LT ; VCC
-1
-
1
I
LO
输出漏电流
VSS <V
OUT
< Vcc时，
-1
-
1
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
IL
or
/
OE
=
V
IH
或/ WE = V
IL
ICC
工作电源
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH ，
-
-
5
当前
V
IN
= V
IH
或V
白细胞介素，
I
I / O =
0mA
I
CC1
平均开工
/ CS1 = V
IL
， CS2 = V
IH
,
-
-
30
当前
VIN = V
IH
或V
IL
周期时间=最小， 100 ％的关税，
I
IO
= 0毫安
I
SB
TTL待机电流
/ CS1 = V
IH
或CS2 = V
白细胞介素，
-
-
0.5
（ TTL输入）
VIN = V
IH
或V
IL
I
SB1
待机
HY62U8100B
/ CS1 >为VCC - 0.2V或CS2 < 0.2V ，
-
0.5
10
当前
HY62U8100B -E V
IN
>的Vcc - 0.2V或
-
0.5
15
（ CMOS输入）
HY62U8100B-I
V
IN
< VSS + 0.2V
-
0.5
15
V
OL
输出低电压
I
OL
= 2.1毫安
-
-
0.4
V
OH
输出高电压
I
OH =
-1.0mA
2.2
-
-
注：典型值是在Vcc = 3.0V ，T
A
= 25°C
单位
uA
uA
mA
mA
mA
uA
uA
uA
V
V
电容
（温度= 25 ° C，F = 10MHz时）
符号
参数
C
IN
输入电容
C
OUT
输出电容
条件
V
IN
= 0V
V
I / O
= 0V
马克斯。
6
8
单位
pF
pF
注：这些参数进行采样，而不是100 ％测试
转13 / 2001年4月
3
HY62U8100B系列
AC特性
VCC = 2.7V 3.3V ，T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
-70*
-85
-10
＃符号
参数
分钟。
MAX 。 MIN 。
马克斯。民
马克斯。
读周期
1
TRC
读周期时间
70
-
85
-
100
-
2
TAA
地址访问时间
-
70
-
85
-
100
3
TACS
芯片选择访问时间
-
70
-
85
-
100
4
TOE
输出使能到输出有效
-
40
-
45
-
50
5
TCLZ
片选到输出中低Z
10
-
10
-
10
-
6
TOLZ
输出使能到输出中低Z
5
-
5
-
5
-
7
TCHZ
芯片取消选择到输出中高Z
0
30
0
30
0
30
8
tOHZ
输出禁用到输出中高Z
0
30
0
30
0
30
9
TOH
从地址变更输出保持
10
-
10
-
15
-
写周期
10 TWC
写周期时间
70
-
85
-
100
-
11 TCW
芯片的选择要写入的结束
60
-
70
-
80
-
12 TAW
地址有效到写结束
60
-
70
-
80
-
13 TAS
地址建立时间
0
-
0
-
0
-
14 TWP
把脉冲宽度
50
-
55
-
75
-
15 TWR
写恢复时间
0
-
0
-
0
-
16 tWHZ
写在高Z输出
0
25
0
30
0
35
17 TDW
数据写入时间重叠
30
-
40
-
45
-
18 TDH
从时间写数据保持
0
-
0
-
0
-
19 TOW
输出写入结束活动
5
-
5
-
10
-
注*为70ns ，请与30pF的负载测试
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
AC测试条件
T
A
= 0 ° C至70 ° C / -25 ° C至85°C （ E） / -40 ° C至85°C （ I） ，除非另有说明
参数
价值
输入脉冲电平
0.4V至2.2V
输入上升和下降时间
5ns
输入和输出时序参考电平
1.5V
输出负载
tCLZ ， TOLZ ， tCHZ均， tOHZ ， tWHZ ，拖车
CL = 5pF的+ 1TTL负荷
OTHERS
CL = 100pF电容+ 1TTL负荷
CL = 30pF的+ 1TTL负荷
AC测试负载
TTL
CL(1)
注： 1包括夹具和范围电容
转13 / 2001年4月
4
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