【HAT1004F硅P沟道功率MOS FET应用电源开关SOP–8857 6特点低导通电阻能够2.5V】,IC型号HAT1004F,HAT1004F PDF资料,HAT1004F经销商,ic,电子元器件-51电子网

HAT1004F

硅P沟道功率MOS FET

应用

电源开关

SOP–8

8

5

7 6

特点

低导通电阻

能够2.5V栅极驱动

低驱动电流

高密度安装

7 8

D D

5 6

D D

3

1 2

4

2

G

4

G

订购信息

————————————————————

日立代码

EIAJ代码

JEDEC代码

FP–8D

SC–527–8A

—

S1

S3

1, 3

来源

2, 4

门

5，6， 7，8排水

MOS1

MOS2

————————————————————

表1绝对最大额定值

（ TA = 25°C ）

项

漏源极电压

栅极至源极电压

漏电流

漏电流峰值

散热通道

通道温度

储存温度

符号

V

DSS

V

GSS

I

D

I

D（脉冲）

*

PCH ***

PCH **

总胆固醇

TSTG

评级

–20

±10

–2.5

–10

1.5

1

150

-55到+150

单位

V

A

W

°C

———————————————————————————————————————————

*

PW

≤

10微秒，占空比

≤

1 %

**

1驱动器操作

当使用玻璃环氧板（40

x

40

x

1.6 mm)

***

2驱动器操作

当使用玻璃环氧板（40

x

40

x

1.6 mm)

HAT1004F

表2电气特性

（ TA = 25°C ）

项

漏源击穿

电压

栅源击穿

电压

门源漏电流

零栅极电压漏极电流

门源截止电压

静态漏源导通状态

阻力

符号

V

（ BR ） DSS

V

（ BR ） GSS

I

GSS

I

DSS

V

GS （ OFF ）

R

DS （ ON）

民

–20

典型值

—

最大

—

单位

V

测试条件

I

D

= -10毫安，V

GS

= 0

I

G

= ±200 μA ，V

DS

= 0

V

GS

= ±6.5 V, V

DS

= 0

V

DS

= –20 V, V

GS

= 0

VDS = -10 V，I

D

= -1毫安

———————————————————————————————————————————

±10

—

V

———————————————————————————————————————————

—

–0.5

—

0.1

±10

–10

–1.5

0.12

A

V

———————————————————————————————————————————

I

D

= –2A

V

GS

= –4V *

I

D

= –2A

V

GS

= –2.5V *

I

D

= –2 A

V

DS

= - 10 V *

V

DS

= –10 V

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

V

GS

= -4 V，I

D

= –2 A

V

DD

= –10 V

————————————————————————

—

0.14

0.2

———————————————————————————————————————————

正向转移导纳

|y

fs

|

西塞

科斯

CRSS

TD （

上）

tr

3.5

5.5

—

S

———————————————————————————————————————————

输入电容

输出电容

反向传输电容

导通延迟时间

上升时间

关断延迟时间

下降时间

体漏二极管的正向

电压

体漏二极管的反向

恢复时间

*脉冲测试

—

750

500

190

28

125

135

–0.9

—

pF

ns

V

I

F

= -2.5 A，V

GS

= 0

I

F

= -2.5 A，V

GS

= 0

DIF / DT = 20A / μs的

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

————————————————————————————————

———————————————————————————————————————————

V

DF

TRR

tf

TD （

OFF ）

———————————————————————————————————————————

—

40

—

ns

———————————————————————————————————————————

HAT1004F

功率与温度降额

2.0

P沟（W）的

测试条件：

当使用玻璃环氧基板

（ 40 ×40× 1.6毫米）

1.5

–100

I

D

(A)

–30

–10

–3

–1

–0.3

–0.1

最高安全工作区

10 s 100 s

PW

DC

Op

散热通道

漏电流

1.0

10

er

at

=

m

s

2

Dr

香港专业教育学院

1

0.5

Dr

香港专业教育学院

Op

er

操作

离子

这个区域是

**

限于由R

DS （ ON）

TA = 25℃

1次脉冲

at

离子

100

150

的Ta （℃）

200

Op

er

at

离子

–0.03

0

50

环境温度

–0.01

–1

–3

–10 –30 –100

–0.1 –0.3

漏极至源极电压V

DS

(V)

** 1驱动器操作

当使用玻璃环氧基板

（ 40 ×40× 1.6毫米）

典型的输出特性

–10

10 V

I

D

(A)

–8

5V

4V

3.5 V

2V

–4

2.5 V

典型的传输特性

–10

(A)

–8

TC = -25°C

–6

75 °C

25 °C

–6

漏电流

I

D

V

GS

= 1.5 V

脉冲测试

–4

–2

V

DS

= –10 V

脉冲测试

0

–1

–2

–3

栅极至源极电压

–4

–5

V

GS

(V)

0

–2

–4

–6

漏源极电压

–10

V

DS

(V)

–8

HAT1004F

漏极至源极饱和电压与

栅极至源极电压

漏极至源极饱和电压

V

DS （ ON）

(V)

脉冲测试

漏极至源极导通电阻

R

DS （ ON）

(

)

–0.5

静态漏极至源极通态电阻

与漏电流

1

脉冲测试

0.5

0.2

0.1

–4 V

–0.4

–0.3

I

D

= –2 A

–1 A

–0.5 A

0

–6

–2

–4

栅极至源极电压

–10

V

GS

(V)

–8

V

GS

= –2.5 V

–0.2

0.05

–0.1

0.02

0.01

–0.1 –0.2

–5

–0.5 –1

–2

漏电流I

D

(A)

–10

静态漏极至源极通态电阻

R

DS （ ON）

(

)

正向转移导纳| Y

fs

| (S)

静态漏极至源极通态电阻

与温度的关系

0.5

脉冲测试

0.4

正向转移导纳主场迎战

漏电流

20

10

5

25 °C

2

1

0.5

0.2

–0.1 –0.2

V

DS

= –10 V

脉冲测试

–0.5 –1 –2

–5

漏电流I

D

(A)

–10

75 °C

TC = -25°C

0.3

I

D

= –2 A

–1 A, –0.5 A

0.2

V

GS

= –2.5 V

0.1

–4 V

0

–40

–2 A, –1 A, –0.5 A

0

40

80

120

160

壳温度（ ° C）

HAT1004F

体漏二极管的反向

恢复时间

500

反向恢复时间trr （ NS ）

200

100

50

电容C （PF ）

典型的电容比。

漏源极电压

10000

3000

1000

300

100

30

10

0

西塞

科斯

CRSS

20

10

的di / dt = 20A / μs的

V

GS

= 0 ， TA = 25℃

5

–0.1 –0.2

–0.5 –1 –2

–5 –10

反向漏电流I

DR

(A)

V

GS

= 0

F = 1 MHz的

–4

–8

–12

–16

–20

漏极至源极电压V

DS

(V)

动态输入特性

V

DS

(V)

V

DD

= –5 V

–10 V

–20 V

V

DS

V

DD

= –20 V

–10 V

–5 V

V

GS

(V)

0

500

开关特性

开关时间t（ NS ）

–10

–2

200

100

50

吨D（关闭）

tf

tr

吨D（上）

漏源极电压

–20

V

GS

–4

–30

–6

栅极至源极电压

20

10

V

GS

= –4 V, V

DD

= –10 V

PW = 3微秒，占空比< 1 ％

–0.5 –1 –2

–5

漏电流I

D

(A)

–10

–40

I = -2.5

–50

D

0

4

8

12

16

栅极电荷Qg （ NC ）

–8

–10

20

5

–0.1 –0.2