HY5DU283222AQ
128M （ 4Mx32 ） GDDR SDRAM
HY5DU283222AQ
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sponsibility使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.2 / 2003年9月
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HY5DU283222AQ
目录
1. 4Mx32 DDR SDRAM的简要信息
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1.1说明
1.2特性
1.3订购信息
2.引脚& PKG信息
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5
2.1引脚配置
2.2引脚说明
2.3 PKG物理尺寸
3.功能框图
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8
4.命令真值表
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9
4.1简化的命令真值表
4.2写屏蔽真值表
4.3操作命令真值表
4.4 CKE功能真值表
5.功能说明
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16
5.1简化的状态图
5.2上电顺序和设备初始化
5.3 MRS / EMRS定义
5.4设备操作
6.绝对最大额定值
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34
7. DC工作条件
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34
8.直流特性
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35
9. AC运行试验条件
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36
10. AC特性
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37
11.输入/输出电容&输出负载电路
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39
12.时序图
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修订版0.2 / 2003年9月
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128MB （ 4Mx32 ），双数据速率SDRAM
描述
HY5DU283222AQ
初步
海力士HY5DU283222是134217728位CMOS双数据速率（ DDR ）同步DRAM ，非常适用于
点至点的应用需要高带宽。
的力士4Mx32的DDR SDRAM提供参考的上升沿和下降沿完全同步操作
时钟。而所有地址和控制输入被锁止在CK的上升沿（下降沿将/ CK的边缘） ，数据
数据选通信号和写数据掩码输入采样在它的上升沿和下降沿。数据路径是跨
应受流水线和2位预取，以达到非常高的带宽。所有的输入和输出电压电平是兼容的
与SSTL_2 。
特点
V
DD
, V
DDQ
= 2.5V
±
5%
所有输入和输出都与SSTL_2兼容
接口
JEDEC标准20毫米X 14毫米100PIN与LQFP
0.65毫米引脚间距
全差分时钟输入（ CK ， / CK ）操作
双倍数据速率接口
源同步 - 交易数据对齐
双向数据选通（ DQS ）
读取时的DQS边缘数据输出（边DQ）
在DQS数据输入中心的时候写（居中
DQ ）
数据（ DQ ）和写掩码（ DM）锁定在两个
数据选通信号的上升沿和下降沿
所有的地址和控制输入，除了数据，数据
选通和数据锁存口罩的上升沿
时钟
通过DM写掩码字节控制（ DM0 DM3 ）
可编程CAS延时3和4支持
可编程的突发长度2 /4/8既
顺序和交错模式
内置4组操作与单脉冲RAS
tRAS的锁定功能的支持
自动刷新和自刷新支持
4096刷新周期/ 32ms的
半强度和匹配阻抗驱动器选项
通过EMRS控制
订购信息
产品型号
HY5DU283222AQ-33
HY5DU283222AQ-36
HY5DU283222AQ-4
HY5DU283222AQ-5
V
DD/
V
DDQ
= 2.5V
电源
时钟
频率
300MHz
275MHz
250MHz
200MHz
最大数据速率
600Mbps/pin
550Mbps/pin
500Mbps/pin
400Mbps/pin
SSTL_2
20毫米X 14毫米
100PIN LQFP
接口
包
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