HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
特点
噪声系数：1.5 dB的4 GHz的
增益： 17分贝
的P1dB输出功率： +18 dBm的
电源电压： + 5V @ 55毫安
输出IP3 ： +30 dBm的
50欧姆匹配输入/输出
24引脚塑料的4x4mm表面贴装封装：16毫米
2
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
这HmC753lp4e是理想的：
点至点收音机
点到多点收音机
军事&空间
测试仪表
工作原理图
概述
该HmC753lp4e是GaAs MMIC低噪声
宽带放大器安装在一个4x4的无铅毫米
塑料表面贴装封装。该放大器能操作
1和11 GHz之间的阿泰，提供高达16.5分贝
小信号增益，1.5分贝的噪音系数和输出
IP3为+30 dBm时，同时需要从一个只有55毫安
+ 5V电源。高达+18的的P1dB输出功率
dBm的启用LNA以用作罗驱动
均衡， I / Q或镜像抑制混频器。该HMC-
753lp4e还提供的I / O被DC阻塞，
内部匹配到50欧姆，使其成为理想的
高容量微波无线和VSAT应用。
这种多用途的LNA还可提供裸片形式可用
HMC-ALH444.
电气电源规格
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V + ，国际直拨电话= 55毫安
[2]
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
（ VDD = 5V ，设置Vgg2 = 1.5V ， VGG1 = -0.8V典型值）。
14
分钟。
典型值。
1-6
16.5
0.004
1.5
11
18
18
20
30
55
2
10
马克斯。
分钟。
典型值。
6 - 11
14
0.008
2
8
12
15
17
28
55
2.7
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8 - 366
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
宽带增益&回波损耗
[1]
25
增益与温度
[1]
18
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 367
15
16
响应（ dB）的
5
增益（dB ）
S11
S22
S21
14
-5
+25C
+85C
-40C
12
-15
-25
0
2
4
6
8
10
12
14
频率（GHz ）
10
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
9
11
-5
-10
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-15
-20
-20
-25
1
3
5
7
频率（GHz ）
-25
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
噪声系数与温度
[1]
10
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
8
噪声系数（dB ）
6
IP3 （ dBm的）
20
15
+25C
+85C
-40C
4
2
10
5
1
3
5
7
9
11
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
[1]董事会亏损减去增益，功率和噪声系数测量
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
[1]
25
PSAT与温度的关系
[1]
24
20
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
20
15
+25C
+85C
-40C
16
+25C
+85C
-40C
10
12
5
8
0
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
4
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
功率压缩@ 21 GHz的
[1]
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-4
-20
噘
收益
PAE
-15
-10
-5
0
5
输入功率（dBm ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 21 GHz的
[1]
22
20
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
18
16
14
12
10
8
4.5
5
Vdd的（V）的
7
6
5
4
3
2
1
0
5.5
噪声系数（dB ）
[1]董事会亏损减去增益，功率和噪声系数测量
8 - 368
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
绝对最大额定值
漏偏置电压
RF输入功率
栅极偏置电压， VGG1
栅极偏置电压， Vgg2
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免8.4毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+6.0V
12 dBm的
-1 0.3V
0至2.5V
180 °C
0.8 W
119 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
8
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面PADDLE镀层： 100 ％雾锡
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6. PAD毛刺长度应0.15毫米最大。 PAD毛刺高度应
是0.05毫米MAX 。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
9.参考赫梯应用指南中建议的PCB焊盘
格局。
包装信息
产品型号
HMC753LP4E
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
[2]
包装标志
[1]
753
XXXX
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 369
低噪声放大器 - SMT
HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 4 - 7, 12 - 15,
17 - 19, 24
3
功能
GND
描述
包装底部有裸露金属焊盘
必须连接到射频/ DC接地。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
接口示意图
RFIN
8, 9
Vgg2 ， 1
10
VDD
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
11, 20 - 23
16
N / C
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
应用电路
8 - 370
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
特点
噪声系数：1.5 dB的4 GHz的
增益： 17分贝
的P1dB输出功率： +18 dBm的
电源电压： + 5V @ 55毫安
输出IP3 ： +30 dBm的
50欧姆匹配输入/输出
24引脚塑料的4x4mm表面贴装封装：16毫米
2
8
低噪声放大器 - SMT
典型应用
这HmC753lp4e是理想的：
点至点收音机
点到多点收音机
军事&空间
测试仪表
工作原理图
概述
该HmC753lp4e是GaAs MMIC低噪声
宽带放大器安装在一个4x4的无铅毫米
塑料表面贴装封装。该放大器能操作
1和11 GHz之间的阿泰，提供高达16.5分贝
小信号增益，1.5分贝的噪音系数和输出
IP3为+30 dBm时，同时需要从一个只有55毫安
+ 5V电源。高达+18的的P1dB输出功率
dBm的启用LNA以用作罗驱动
均衡， I / Q或镜像抑制混频器。该HMC-
753lp4e还提供的I / O被DC阻塞，
内部匹配到50欧姆，使其成为理想的
高容量微波无线和VSAT应用。
这种多用途的LNA还可提供裸片形式可用
HMC-ALH444.
电气电源规格
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V + ，国际直拨电话= 55毫安
[2]
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
（ VDD = 5V ，设置Vgg2 = 1.5V ， VGG1 = -0.8V典型值）。
14
分钟。
典型值。
1-6
16.5
0.004
1.5
11
18
18
20
30
55
2
10
马克斯。
分钟。
典型值。
6 - 11
14
0.008
2
8
12
15
17
28
55
2.7
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
8 - 366
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
宽带增益&回波损耗
[1]
25
增益与温度
[1]
18
8
低噪声放大器 - SMT
8 - 367
15
16
响应（ dB）的
5
增益（dB ）
S11
S22
S21
14
-5
+25C
+85C
-40C
12
-15
-25
0
2
4
6
8
10
12
14
频率（GHz ）
10
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
9
11
-5
-10
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-15
-20
-20
-25
1
3
5
7
频率（GHz ）
-25
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
噪声系数与温度
[1]
10
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
8
噪声系数（dB ）
6
IP3 （ dBm的）
20
15
+25C
+85C
-40C
4
2
10
5
1
3
5
7
9
11
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
[1]董事会亏损减去增益，功率和噪声系数测量
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
P1dB为与温度的关系
[1]
25
PSAT与温度的关系
[1]
24
20
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
20
15
+25C
+85C
-40C
16
+25C
+85C
-40C
10
12
5
8
0
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
4
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
功率压缩@ 21 GHz的
[1]
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-4
-20
噘
收益
PAE
-15
-10
-5
0
5
输入功率（dBm ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 21 GHz的
[1]
22
20
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
18
16
14
12
10
8
4.5
5
Vdd的（V）的
7
6
5
4
3
2
1
0
5.5
噪声系数（dB ）
[1]董事会亏损减去增益，功率和噪声系数测量
8 - 368
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
绝对最大额定值
漏偏置电压
RF输入功率
栅极偏置电压， VGG1
栅极偏置电压， Vgg2
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免8.4毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+6.0V
12 dBm的
-1 0.3V
0至2.5V
180 °C
0.8 W
119 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
8
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面PADDLE镀层： 100 ％雾锡
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6. PAD毛刺长度应0.15毫米最大。 PAD毛刺高度应
是0.05毫米MAX 。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
9.参考赫梯应用指南中建议的PCB焊盘
格局。
包装信息
产品型号
HMC753LP4E
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
[2]
包装标志
[1]
753
XXXX
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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8 - 369
低噪声放大器 - SMT
HMC753LP4E
v01.0609
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
8
低噪声放大器 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 4 - 7, 12 - 15,
17 - 19, 24
3
功能
GND
描述
包装底部有裸露金属焊盘
必须连接到射频/ DC接地。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
接口示意图
RFIN
8, 9
Vgg2 ， 1
10
VDD
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
11, 20 - 23
16
N / C
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
应用电路
8 - 370
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC753LP4E
v03.0111
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
特点
噪声系数：1.5 dB的4 GHz的
增益： 17分贝
的P1dB输出功率： +18 dBm的
电源电压： + 5V @ 55毫安
输出IP3 ： +30 dBm的
50欧姆匹配输入/输出
24引脚塑料的4x4mm表面贴装封装：16毫米
2
7
放大器 - 低噪声 - SMT
典型应用
这HmC753lp4e是理想的：
点至点收音机
点到多点收音机
军事&空间
测试仪表
工作原理图
概述
该HmC753lp4e是GaAs MMIC低噪声
宽带放大器安装在一个4x4的无铅毫米
塑料表面贴装封装。该放大器能操作
1和11 GHz之间的阿泰，提供高达16.5分贝
小信号增益，1.5分贝的噪音系数和输出
IP3为+30 dBm时，同时需要从一个只有55毫安
+ 5V电源。高达+18的的P1dB输出功率
dBm的启用LNA以用作罗驱动
均衡， I / Q或镜像抑制混频器。该HMC-
753lp4e还提供的I / O被DC阻塞，
内部匹配到50欧姆，使其成为理想的
高容量微波无线和VSAT应用。
这种多用途的LNA还可提供裸片形式可用
HmC-AlH444.
电气规格
,
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V + ，国际直拨电话= 55毫安
[2]
参数
频带
收益
增益随温度变化
噪声系数
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
电源电流（ IDD）
（ VDD = 5V ，设置Vgg2 = 1.5V ， VGG1 = -0.8V典型值）。
14
分钟。
典型值。
1-6
16.5
0.004
1.5
11
18
18
20
30
55
2
10
马克斯。
分钟。
典型值。
6 - 11
14
0.008
2
8
12
15
17
28
55
2.7
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
mA
7-1
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC753LP4E
v03.0111
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
增益与温度
[1]
18
宽带增益&回波损耗
[1]
25
7
放大器 - 低噪声 - SMT
7-2
15
响应（ dB）的
S11
S22
S21
16
增益（dB ）
5
14
-5
+25C
+85C
-40C
-15
12
-25
0
2
4
6
8
10
12
14
频率（GHz ）
10
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-40C
-5
回波损耗（分贝）
回波损耗（分贝）
9
11
-5
-10
+25C
+85C
-40C
-10
-15
-15
-20
-20
-25
1
3
5
7
频率（GHz ）
-25
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
噪声系数与温度
[1]
10
+25C
+85C
-40C
输出IP3与温度的关系
35
30
25
IP3 （ dBm的）
8
噪声系数（dB ）
6
20
15
+25C
+85C
-40C
4
2
10
5
1
3
5
7
9
11
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
频率（GHz ）
0
[1]董事会亏损减去增益，功率和噪声系数测量
对于价格，交货，并下订单：赫梯Microwave公司，阿尔法路20号，切姆斯福德，MA 01824
电话： 978-250-3343
传真： 978-250-3373
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应用支持：电话： 978-250-3343或apps@hittite.com
HMC753LP4E
v03.0111
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
PSAT与温度的关系
[1]
24
7
放大器 - 低噪声 - SMT
P1dB为与温度的关系
[1]
25
20
P1dB的（ DBM）
PSAT （ DBM）
20
15
+25C
+85C
-40C
16
+25C
+85C
-40C
10
12
5
8
0
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
4
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
反向隔离与温度的关系
0
-10
隔离度（dB ）
-20
-30
-40
-50
-60
1
3
5
7
9
11
频率（GHz ）
+25C
+85C
-40C
功率压缩@ 6 GHz的
[1]
24
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
20
16
12
8
4
0
-4
-20
噘
收益
PAE
-15
-10
-5
0
5
输入功率（dBm ）
增益，噪声系数&功率对
电源电压@ 6 GHz的
[1]
22
20
增益（dB ）的P1dB （ dBm的）
18
16
14
12
10
8
4.5
5
Vdd的（V）的
7
6
5
4
3
2
1
0
5.5
噪声系数（dB ）
[1]董事会亏损减去增益，功率和噪声系数测量
7-3
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HMC753LP4E
v03.0111
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
绝对最大额定值
漏偏置电压
RF输入功率
栅极偏置电压， VGG1
栅极偏置电压， Vgg2
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免8.4毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
+6.0V
12 dBm的
-1 0.3V
0至2.5V
180 °C
0.8 w
119 ° C / W
-65至+150°C
-40至+85 C
7
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
注意事项：
1.包装体材质：低应力注塑成型
塑料二氧化硅和硅浸渍。
2.铅和地面桨材料：铜合金。
3.铅和地面PADDLE镀层： 100 ％雾锡
4.尺寸单位：英寸[毫米]为单位。
5.引线间距有容乃非累积。
6. PAD毛刺长度应0.15毫米最大。 PAD毛刺高度应
是0.05毫米MAX 。
7.封装翘曲不得超过0.05毫米
8.所有接地引线和接地焊盘必须焊接到
PCB RF地面。
9.参考赫梯应用指南中建议的PCB焊盘
格局。
包装信息
产品型号
HmC753lp4e
包主体材料
符合RoHS标准的低应力注塑塑料
无铅封装
100 ％雾锡
[2]
包装标志
[1]
753
XXXX
[1] 4位数的批号XXXX
[ 2 ]最大峰值回流焊260 ° C的温度
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7-4
放大器 - 低噪声 - SMT
HMC753LP4E
v03.0111
的GaAs HEMT MMIC低噪声
功放， 1 - 11 GHz的
7
放大器 - 低噪声 - SMT
引脚说明
引脚数
1, 2, 4 - 7, 12 - 15,
17 - 19, 24
3
功能
GND
描述
包装底部有裸露金属焊盘
必须连接到射频/ DC接地。
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
门控制放大器。请遵守“ MMIC放大器偏压
ING程序“应用笔记。请参阅组装所需
的外部元件。
接口示意图
RFIN
8, 9
Vgg2 ， 1
10
VDD
电源电压放大器。看到组件
所需的外部元件。
11, 20 - 23
N / C
该引脚没有内部连接;然而，所有的数据
本文所示测量这些引脚连接到
射频/直流接地外部。
此片是交流耦合和匹配
50欧姆。
16
RFOUT
应用电路
7-5
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
典型应用
微波无线电& VSAT
军事&空间
测试仪表
光纤调制器驱动偏置
CATV激光驱动器偏置
蜂窝基站
无线基础设备
特点
门自动电压调整（无需校准
必需）
电源电压： 4V至12V
数字电压： 3.3V至5V
同时控制增强型和耗尽型
器件
可调漏极电流高达200mA
吸入/源栅电流能力
可选的内部负电压产生的
可以禁止使用外部负电压轨
快速启用/禁用
触发-OUT输出为菊花链上电和
断电排序
13
偏置控制器 - SMT
工作原理图
概述
HMC981是一个有源偏置控制器可以自动
调整外部放大器的栅极电压
实现恒定的偏置电流。它可用于
偏向任何增强和耗尽型放大器
在经营A级与漏极电压政权
4V至12V和漏极电流高达200mA ，提供
完整的偏置方案。
HMC981实现了出色的电源偏置稳定性，
温度和过程变化，并且消除
所需的校准程序通常使用
为了防止由于这样的RF性能下降
的变化。
这里所示的所有数据被取适当的探针。
13 - 1
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 8V ， VDIG = 3.3V ，消耗硕士
除非另有说明
参数
电源电压
符号
VDD
VDD = 4V
VDD静态电流
国际直拨电话
VDD = 8V
VDIG静态电流
负电压输出
振荡器频率
参考电压
使能输入阈值
切换输入阈值
短路禁止输入阈值
VDRAIN特点
漏电流调节范围
漏极电流的变化在数字电压
漏电流变化过温
排水范围
VDRAIN更改过温
VNEG特点
负电压输出
VNEG灌电流
VGATE特点
栅电流供应
VGATE低水平
VGATE高层
VG2特点
VG2电流供应
VG2调整范围
VDIG特点
调整范围
VDIG静态电流
软件特性
内部开关电阻
RDS -ON
SW = GND
SW = VDIG
10
5
欧姆
欧姆
VDIG
IDIG
VDD = 8 V ，
VDIG = EN = 3.3 V
3.3
3
5
V
mA
IG2
VG2
VG2<1.5V
VG2>1.5V
-0.1
-1
1
0.1
1
VDD-1.3
mA
mA
V
IG
VG_Min
VG_MaX
-0.8
VNEG
VNEG+4.5
0.8
mA
V
V
VNEG
INEG
VDD = 4V
VDD = 8V
0
0
-2.5
8
15
V
mA
mA
IDRAIN
SW = GND
SW = VDIG
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
4
VDRAIN设置为8V ，
IDRAIN设置为160毫安
1.5
20
80
0.4
0.02
12
80
200
mA
mA
%/V
%/C
V
%/C
IDIG
VNEG
FOSC
VREF
enthrs
sWthrs
DSCTHRS
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
VINLow
Vinhigh
1.4
1.4
1
1.4
1
EN = VDIG
EN = GND
EN = VDIG
EN = GND
条件
分钟。
4
7
3
7.5
4
3
5
-2.5
300
1.42
1
典型值。
马克斯。
12
单位
V
mA
mA
mA
mA
mA
mA
V
千赫
V
V
V
V
V
V
V
VDIG = 3.3 V
VDIG = 5 V
13
偏置控制器 - SMT
13 - 2
ΔiDrainV
VDRAIN
ΔVDrain
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
负载调节@ VDD = 6V ， VDIG = 3.3V ，
SW = GND
6.5
负载调节@ VDD = 8V ，
SW=VDIG=3.3V
8.5
6
8
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
+25C
+85C
-55C
VDRAIN （ V）
5.5
7.5
5
7
4.5
20
30
40
50
IDRAIN （毫安）
60
70
80
6.5
80
100
120
140
IDRAIN （毫安）
160
180
200
13
偏置控制器 - SMT
55
54
IDRAIN与VDIG
[1][2]
VNEG线路调整与电源电压
-2.45
空载条件
+25C
+85C
-55C
-2.47
IDRAIN （毫安）
VNEG （ V）
+25C
+85C
-55C
53
-2.49
52
-2.51
51
-2.53
50
3.3
3.7
4.1
VDIG （ V）
4.5
4.9
-2.55
4
6
8
电源电压（ V）
10
12
VNEG负载调节@ VDD = 4V
-2.3
VNEG负载调节@ VDD = 12V
-2.3
-2.4
-2.4
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-2.5
-2.5
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.6
+25C
+85C
-55C
-2.7
0
2
4
6
INEG （毫安）
8
10
-2.7
0
4
8
INEG （毫安）
12
16
[1] IDRAIN设为53毫安
[2] HMC465LP5用作外部放大器
13 - 3
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HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
ENABLE波形
8
6
4
禁用波形
8
6
4
电压（V）的
电压（V）的
2
0
-2
-4
-6
-8
0
2
4
6
时间（ms）
8
10
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
2
0
-2
-4
-6
-8
12
EN
VDRAIN
VG2
VNEG
VGATE
14
16
时间（ms）
18
20
13
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
VDD
VDRAIN
VDIG
VG2
VNEG
VGATE
8
6
电压（V）的
电压（V）的
4
2
0
-2
-4
0
10
4
2
0
-2
-4
20
30
时间（ms）
40
50
0
20
40
60
时间（ms）
80
100
VNEG负载瞬态VDD = 4V
-0.8
20
VNEG负载瞬态VDD = 6V
-2.4
-2.425
15
10
5
-1.3
10
-2.45
VNEG （ V）
VNEG （ V）
-1.8
0
-2.475
-2.5
-2.525
0
-5
-2.3
-10
-10
-15
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-2.8
0
0.5
1
时间（ms）
1.5
2
-20
-2.55
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2伊丽莎白车道，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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13 - 4
偏置控制器 - SMT
上电波形
关断波形
INEG （毫安）
INEG （毫安）
HMC981
v00.0611
有源偏置控制器
VGATE负载调节@ VDD = 6V
1
0.5
0
VG2负载调节@ VDD = 6V
5
4.5
4
3.5
VGATE （ V）
VG2 （ V）
+25C
+85C
-55C
-0.5
-1
-1.5
-2
-2.5
-3
-1.25
-1
-0.75 -0.5 -0.25
0
0.25
0.5
0.75
3
2.5
2
1.5
1
0.5
VG2=0.9V
VG2=1.78V
VG2=2.74V
VG2=3.71V
1
1.25
0
-2
-1.5
-1
-0.5
0
IG2 （毫安）
0.5
1
1.5
2
13
偏置控制器 - SMT
IG （毫安）
13 - 5
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