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HY57V643220C
4银行X 512K X 32位同步DRAM
描述
海力士HY57V643220C是67108864位CMOS同步DRAM ,非常适用于存储应用
这需要广泛的数据I / O和高带宽。 HY57V643220C组织为524,288x32 4banks 。
HY57V643220C是提供参考时钟的正边缘完全同步操作。所有的输入和输出
看跌期权与时钟输入的上升沿同步。的数据通路内部流水线实现非常
高带宽。所有的输入和输出电压电平与LVTTL兼容。
可编程选项包括管道的长度的连续的读( 2个读延迟或3) ,数量或写入
由一个单一的控制命令( 1,2,4,8或整页突发长度)发起的周期,突发计数
序列(顺序或交错) 。一阵正在进行读或写周期可以由突发终止被终止
命令,或者可以通过一个新的脉冲串被中断并在替换的读或写命令中的任何周期。 (该流水线
设计不是由` 2N`规则的限制。 )
特点
JEDEC标准的3.3V电源
所有器件引脚与LVTTL接口兼容
JEDEC标准400mil 86pin TSOP- II具有0.5mm的
引脚间距
所有输入和输出参考的正边缘
系统时钟
通过DQM0,1,2和3个数据屏蔽功能
国内四家银行的操作
自动刷新和自刷新
4096刷新周期/ 64ms的
可编程的突发长度和突发类型
- 1,2 ,4,8或全部页面为顺序突发
- 1,2 ,4或8对交错突发
可编程CAS延时; 2 , 3个时钟
突发读取单一写操作
订购信息
产品型号
HY57V643220C(L)T-47
HY57V643220C(L)T-5
HY57V643220C(L)T-55
HY57V643220C(L)T-6
HY57V643220C(L)T-7
HY57V643220C(L)T-8
HY57V643220C(L)T-P
HY57V643220C(L)T-S
时钟频率
212MHz
200MHz
183MHz
166MHz
143MHz
125MHz
100MHz
100MHz
动力
组织
接口
普通/
低功耗
4Banks X
512Kbits X32
LVTTL
400mil 86pin
TSOP II
这份文件是一个普通的产品说明,如有变更,恕不另行通知。海力士半导体公司不承担任何
负责使用说明电路。没有专利许可。
修订版0.8 /八月02
1
HY57V643220C
引脚配置
V
DD
DQ0
V
DDQ
DQ1
DQ2
V
SSQ
DQ3
DQ4
V
DDQ
DQ5
DQ6
V
SSQ
DQ7
NC
V
DD
DQM 0
/ W ê
/ C A S
/ R A S
/ (C S)
NC
BA0
BA1
A 1 0 / A P
A0
A1
A2
DQM 2
V
DD
NC
DQ 16
V
SSQ
DQ 17
DQ 18
V
DDQ
DQ 19
DQ 20
V
SSQ
DQ 21
DQ 22
V
DDQ
DQ 23
V
DD
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
36
37
38
39
40
41
42
43
86
85
84
83
82
81
80
79
78
77
76
75
74
73
72
71
70
69
68
67
66
65
64
63
62
61
60
59
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
44
V
SS
DQ 15
V
SSQ
DQ 14
DQ 13
V
DDQ
DQ 12
DQ 11
V
SSQ
DQ 10
DQ9
V
DDQ
DQ8
NC
V
SS
DQM 1
NC
NC
CLK
CKE
A9
A8
A7
A6
A5
A4
A3
DQM 3
V
SS
NC
DQ 31
V
DDQ
DQ 30
DQ 29
V
SSQ
DQ 28
DQ 27
V
DDQ
DQ 26
DQ 25
V
SSQ
DQ 24
V
SS
T中S 0 P II 8 6 P
4 0 0米IL ×8 7 5米IL
在P ITC ^ h 0 0.5米M·P
引脚说明
CLK
CKE
CS
BA0 , BA1
A0 ~ A10
时钟
时钟使能
芯片选择
银行地址
地址
行地址选通,
列地址选通,
写使能
数据输入/输出面膜
数据输入/输出
电源/接地
数据输出电源/接地
无连接
引脚名称
描述
系统时钟输入。所有其它输入被登记到在SDRAM中
上升CLK的边缘。
控制内部时钟信号和去激活时, SDRAM的将其中
中断电状态,暂停或自刷新
启用或禁用除CLK , CKE和DQM所有输入
选择银行RAS活动期间激活
CAS活动期间选择银行进行读/写
行地址: RA0 RA10 ,列地址: CA0 CA7
自动预充电标志: A10
RAS , CAS和WE定义操作
请参阅功能真值表细节
控制输出缓冲器中读取模式和口罩的输入数据在写入模式
复用的数据输入/输出引脚
电源为内部电路和输入缓冲器
电源,输出缓冲器
无连接
RAS , CAS , WE
DQM0~3
DQ0 DQ31
V
DD
/V
SS
V
DDQ
/V
SSQ
NC
修订版0.8 /八月02
2
HY57V643220C
功能框图
达512Kbit X 4banks ×32的I / O同步DRAM
自刷新逻辑
&放大器;定时器
刷新
计数器
CLK
行活动
512Kx32银行3
ROW
PRE
解码器
512Kx32银行2
X解码器
512Kx32银行1
X解码器
512Kx32银行0
X解码器
DQ0
DQ1
I / O缓冲器&逻辑
感测放大器& I / O门
CKE
CS
状态机
RAS
CAS
WE
DQM0
DQM1
DQM2
DQM3
X解码器
内存
CELL
ARRAY
COLUMN
活跃
COLUMN
PRE
解码器
Y译码
DQ30
DQ31
BANK SELECT
列添加
计数器
A0
A1
地址缓冲器
A10
BA0
BA1
地址
注册
BURST
计数器
模式寄存器
CAS延迟
数据输出控制
管线控制
修订版0.8 /八月02
3
HY57V643220C
绝对最大额定值
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
DD
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度。时间
T
A
T
英镑
V
IN
, V
OUT
V
DD,
V
DDQ
I
OS
P
D
T
SOLDER
符号
0 ~ 70
-55 ~ 125
-1.0 ~ 4.6
-1.0 ~ 4.6
50
1
260 . 10
等级
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
单位
注意:
工作在高于绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
DC工作条件
值(TA = 0 70℃ )
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
符号
V
DD
, V
DDQ
V
IH
V
IL
3.0
2.0
V
SSQ
- 0.3
典型值。
3.3
3.0
0
最大
3.6
V
DDQ
+ 0.3
0.8
单位
V
V
V
1,2
1,3
1,4
注意:
1.所有电压参考V
SS
= 0V
2.V
DD/
V
DDQ
(分钟)为3.15V的HY57V643220C (L )T -47 /5/ 55/6
3.V
IH
(max)是可接受的5.6V的交流脉冲宽度与
≤3ns
时间没有输入钳位二极管
4.V
IL
(分钟)是可以接受的-2.0V交流脉冲宽度
≤3ns
时间没有输入钳位二极管
交流工作条件下
( TA = 0 70 ° C, 3.0V
≤V
DD
≤3.6V,
V
SS
= 0V - 注1)
参数
AC输入高/低电平电压
输入定时测量参考电平电压
输入的上升/下降时间
输出定时测量参考电平
输出负载电容的访问时间测量
符号
V
IH
/ V
IL
VTRIP
TR / TF
Voutref
CL
价值
2.4/0.4
1.4
1
1.4
30
单位
V
V
ns
V
pF
2
注意:
1.3.15V
≤V
DD
≤3.6V
被应用于HY57V643220C (L )T -47 /5/ 55/6
2.输出负载来测量访问时间相当于两个TTL门和一个电容( 30pF的)
有关详细信息,请参阅AC / DC输出负载电路
修订版0.8 /八月02
4
HY57V643220C
电容
( TA = 25°C , F = 1MHz时, VDD = 3.3V )
参数
输入电容
CLK
A0 A10 , BA0 , BA1 , CKE , CS , RAS ,
CAS,WE , DQM0 3
数据输入/输出电容
DQ0 DQ31
符号
C
I1
CI
2
C
I / O
2.5
2.5
4
最大
3.5
3.8
6.5
单位
pF
pF
pF
输出负载电路
Vtt=1.4V
Vtt=1.4V
RT=500
RT=50
产量
30pF
产量
Z0 = 50
30pF
DC输出负载电路
AC输出负载电路
DC特性I
(直流工作条件,除非另有说明)
参数
输入漏电流
输出漏电流
输出高电压
输出低电压
I
LI
I
LO
V
OH
V
OL
符号
分钟。
-1
-1
2.4
-
最大
1
1
-
0.4
单位
uA
uA
V
V
1
2
I
OH
= -2mA
I
OL
= + 2毫安
注意:
1.V
IN
= 0至3.6V ,所有其他引脚都没有被测= 0V
2.D
OUT
被禁用,V
OUT
= 0 3.6V
修订版0.8 /八月02
5
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