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HCS253MS
1995年9月
抗辐射
双路4输入多路复用器
引脚配置
16引脚陶瓷双列直插式
金属密封封装( SBDIP )
MIL- STD- 1835 CDIP2 -T16 ,铅涂层
顶视图
OE 1
S1
I3 1
I2 1
1
2
3
4
5
6
7
8
16 VCC
15 2 OE
14 S0
13 2 I3
12 2 I2
11 2 I1
10 2 I0
9 2Y
特点
3微米抗辐射CMOS SOS
总剂量200K RAD (SI )
SEP有效LET没有冷门: >100 MEV -厘米
2
/毫克
单粒子翻转( SEU )免疫< 2 ×10
-9
错误/比特
日(典型值)
剂量率生存能力: >1 ×10
12
RAD (SI ) / S
闭锁免费在任何条件
扇出(整个温度范围内)
- 公交驱动器输出 - 15输入通道负载
军用温度范围:-55
o
C至+ 125
o
C
显着的功耗相比减少LSTTL集成电路
直流工作电压范围: 4.5V至5.5V
输入逻辑电平
- VIL = 0.3 VCC最大
- VIH = 0.7 VCC敏
输入电流水平㈡
5μA在VOL , VOH
I1 1
I0 1
Y1
GND
16引脚陶瓷 - 金属密封
FLATPACK包装( FLATPACK )
MIL- STD- 1835 CDFP4 - F16 ,铅涂层
顶视图
OE 1
S1
I3 1
I2 1
I1 1
1
2
3
4
5
6
7
8
16
15
14
13
12
11
10
9
VCC
2 OE
S0
2 I3
2 I2
2 I1
2 I0
2Y
描述
Intersil的HCS253MS是一种抗辐射4至1号线
多路选择器具有三态输出。一四
源的每一部分的选择通过共同选择输入
S0和S1 。当输出使能(图10E或2OE )为高电平,则
输出处于高阻抗状态。
该HCS253MS采用先进的CMOS / SOS技术
实现高速操作。该设备是其成员
抗辐射,高速, CMOS / SOS逻辑系列。
该HCS253MS采用16引线陶瓷FL atpack提供
(K SUF网络X)或SBDIP封装(D SUF网络X) 。
I0 1
Y1
GND
订购信息
产品型号
HCS253DMSR
HCS253KMSR
HCS253D/Sample
HCS253K/Sample
HCS253HMSR
温度范围
-55
o
C至+ 125
o
C
-55
o
C至+ 125
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
筛选LEVEL
Intersil的S级当量
Intersil的S级当量
样品
样品
DIE
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
16铅SBDIP
16引脚陶瓷扁平封装
DIE
注意:这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
1-888- INTERSIL或321-724-7143 | 1999版权所有 Intersil公司
规格编号
网络文件编号
1
518765
3068.1
HCS253MS
工作原理图
20E
15
13
2I3
12
2I2
11
2I1
10
2I0
14
S0
2
S1
6
1I0
5
1I1
4
1I2
3
1I3
1
10E
20E
10E
20E
16
VCC
8
GND
10E
p
20E
9
2Y
n
20E
n
10E
7
1Y
p
10E
真值表
产量
启用
I2
X
X
X
X
X
L
H
X
X
I3
X
X
X
X
X
X
X
L
H
OE
H
L
L
L
L
L
L
L
L
选择输入
S1
X
L
L
L
L
H
H
H
H
S0
X
L
L
H
H
L
L
H
H
I0
X
L
H
X
X
X
X
X
X
I1
X
X
X
L
H
X
X
X
X
数据输入
产量
Y
Z
L
H
L
H
L
H
L
H
选择输入S0和S1是共同的部分
H =高电平, L =水平低, X =非物质, Z =高阻抗(关)
规格编号
2
518765
特定网络阳离子HCS253MS
绝对最大额定值
电源电压( VCC) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -0.5V至+ 7.0V
输入电压范围,所有输入。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 - 0.5V至VCC + 0.5V
直流输入电流,在任何一个输入
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 10毫安
直流漏电流,任何一个输出。
。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 ± 25毫安
(所有电压参考的VSS终端)
存储温度范围( TSTG ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 -65
o
C至+150
o
C
引线温度(焊接10秒) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 265
o
C
结温(Tj ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 175
o
C
ESD分类科幻阳离子。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 1级
可靠性信息
热阻
θ
JA
θ
JC
o
C / W
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。
73
24
o
C / W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 114
o
C / W
29
o
C / W
o
C环境
在125的最大封装功耗
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.68W
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.44W
如果设备功率超过封装散热能力,提供热
下沉或线性降额从以下速率:
SBDIP包。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 13.7mW /
o
C
陶瓷扁平封装。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 8.8mW /
o
C
注意:与所有半导体,强调“绝对最大额定值”可能被应用到设备(一次一个),而不会导致永久性的
损害。这是一个额定值。暴露在绝对最大额定值条件下工作会影响器件的可靠性。列出的条件
“电气性能特性”下被推荐用于满足设备运行的唯一条件..
工作条件
电源电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 + 4.5V至+ 5.5V
输入上升和下降时间在4.5V VCC ( TR , TF ) 。 。 。 。 。 。 .500ns最大
工作温度范围(T
A
) . . . . . . . . . . . . -55
o
C至+ 125
o
C
输入低电压( VIL ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 0.0V到VCC的30%
输入高电压( VIH ) 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 70 % VCC到VCC
表1. DC电性能等特点
一分
群体
1
2, 3
输出电流
(汇)
输出电流
(来源)
IOL
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = 0.4V , VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 4.5V ,
VOUT = VCC -0.4V ,
VIL = 0V
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOL = 50μA , VIL = 1.65V
输出电压高
VOH
VCC = 4.5V , VIH = 3.15V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.35V
VCC = 5.5V , VIH = 3.85V ,
IOH = -50μA , VIL = 1.65V
输入漏
当前
三态输出
漏电流
噪声抗扰度
功能测试
IIN
VCC = 5.5V , VIN = VCC或
GND
VCC = 5.5V ,应用
电压= 0V或VCC
VCC = 4.5V ,
VIH = 0.7 ( VCC)的
VIL = 0.3 ( VCC ) (注2 )
1
2, 3
IOH
1
2, 3
1, 2, 3
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C, +125
o
C, -55
o
C
-
-
7.2
6.0
-7.2
-6.0
-
最大
40
750
-
-
-
-
0.1
单位
A
A
mA
mA
mA
mA
V
参数
静态电流
符号
ICC
(注1 )
条件
VCC = 5.5V ,
VIN = VCC或GND
输出电压低
VOL
1, 2, 3
-
0.1
V
1, 2, 3
VCC
-0.1
VCC
-0.1
-
-
-
-
-
-
V
1, 2, 3
-
±0.5
±5.0
±1.0
±50
-
V
A
A
A
A
-
1
2, 3
IOZ
1
2, 3
FN
7,图8A ,8B
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2.对于功能测试, VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
规格编号
3
518765
特定网络阳离子HCS253MS
表2. AC电性能等特点
一分
群体
9
10, 11
数据输出
的TPH1
VCC = 4.5V
9
10, 11
TPLH
VCC = 4.5V
9
10, 11
使能到输出
tpZH
VCC = 4.5V
9
10, 11
tPZL
VCC = 4.5V
9
10, 11
禁用输出
tPHZ
VCC = 4.5V
9
10, 11
tPLZ
VCC = 4.5V
9
10, 11
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC 。
范围
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
2
最大
26
31
19
22
21
24
17
20
15
17
18
19
16
17
单位
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
参数
选择输出
符号
的TPH1
TPLH
(注1,2 )
条件
VCC = 4.5V
表3.电气性能特性
范围
参数
电容功率耗散
符号
CPD
(注1 )
条件
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
温度
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输入电容
CIN
VCC = 5.0V , F = 1MHz的
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
输出转换时间
TTHL
tTLH
VCC = 4.5V
+25
o
C
+125
o
C, -55
o
C
注意:
1.在表3中列出的参数是通过设计或工艺参数控制。最小和最大限制是保证,但不能直接
测试。这些参数的特点,在最初的设计版本及其所影响这些特性的设计变更..
-
-
-
-
-
-
最大
45
56
10
10
12
18
单位
pF
pF
pF
pF
ns
ns
规格编号
4
518765
特定网络阳离子HCS253MS
表4.直流POST辐射电性能等特点
200K RAD
范围
参数
静态电流
输出电流(漏)
符号
ICC
IOL
(注1,2 )
条件
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = 0.4V
VCC = 4.5V , VIN = VCC和GND ,
VOUT = VCC -0.4V
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOL = 50μA
VCC = 4.5V和5.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC ) , IOH = -50μA
VCC = 5.5V , VIN = VCC或GND
施加的电压= 0V或VCC ,
VCC = 5.5V
VCC = 4.5V , VIH = 0.70 ( VCC ) ,
VIL = 0.30 ( VCC) (注3)
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
VCC = 4.5V
温度
+25
o
C
+25
o
C
-
6.0
最大
0.75
-
单位
mA
mA
输出电流
(来源)
输出电压低
IOH
+25
o
C
-6.0
-
mA
VOL
+25
o
C
-
0.1
V
输出电压高
VOH
+25
o
C
VCC
-0.1
-
-
-
V
输入漏电流
三态输出
漏电流
噪声抗扰度
功能测试
选择输出
IIN
IOZ
+25
o
C
+25
o
C
±5
±50
A
A
FN
+25
o
C
-
-
-
的TPH1
TPLH
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
+25
o
C
2
2
2
2
2
2
2
2
31
31
22
24
17
20
19
17
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
ns
数据输出
的TPH1
TPLH
使能到输出
tPZL
tpZH
禁用输出
tPHZ
tPLZ
注意事项:
1.所有电压参考器件GND 。
2. AC测量假设RL = 500Ω , CL = 50pF的,输入TR = TF = 3纳秒, VIL = GND , VIH = VCC
3.功能测试VO
4.0V被识别为逻辑“1” ,和VO
0.5V被识别为逻辑“0”。
表5.老化和寿命测试, DELTA参数( +25
o
C)
B组
小组
5
5
5
参数
ICC
IOL / IOH
IOZL / IOZH
DELTA LIMIT
12A
0小时-15 %
±200nA
规格编号
5
518765
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联系人:刘先生
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