HY51V18164C,HY51V16164C
1Mx16 ，扩展数据输出模式
描述
这家是16M位动态RAM举办1,048,576 ×16位的配置与扩展数据输出模式CMOS
DRAM的。扩展数据输出模式是一种页面模式是用于读操作是有用的。该电路和工艺
设计允许该器件实现了高性能和低功耗。可选功能包括访问的时间（ 60 ， 70
或80ns的）和更新周期（1K参考文献或4K参考）和功耗（普通或低功率与自刷新） 。现代的
先进的电路设计和工艺技术允许该设备以实现高带宽，低功耗和
高可靠性。
特点
扩展数据输出操作
读 - 修改 - 写功能
LVTTL兼容的输入和输出
/ CAS先接后/ RAS ， / RAS -只，隐藏和
自刷新功能
马克斯。有源功率耗散
速度
60
70
80
刷新周期
产品型号
HY51V18164C
HY51V16164C
刷新
1K
4K
正常
16ms
256ms
64ms
SL-部分
1K刷新
576mW
540mW
504mW
4K刷新
360mW
324mW
288mW
JEDEC标准引脚
42引脚塑料SOJ （ 400mil ）
五十〇分之四十四引脚塑料TSOP -II （ 400mil ）
3.3V的单电源供电
±
0.3V
早期写或输出使能控制的写
快速的访问时间和周期时间
速度
60
70
80
TRAC
60ns
70ns
80ns
大隘社
15ns
20ns
20ns
THPC
25ns
30ns
35ns
订购信息
部件名称
HY51V18164CJC
HY51V18164CSLJC
HY51V18164CTC
HY51V18164CSLTC
HY51V16164CJC
HY51V16164CSLJC
HY51V16164CTC
HY51V16164CSLTC
* SL ：低功耗与自刷新
这份文件是一个普通的产品说明，如有变更，恕不另行通知。现代电子不承担使用任何责任
电路描述。没有专利许可
韩国现代半导体公司
Rev.00 / Sep.97
刷新
1K
1K
1K
1K
4K
4K
4K
4K
动力
包
42pin SOJ
SL-部分
42pin SOJ
44 / 50PIN TSOP -II
SL-部分
44 / 50PIN TSOP -II
42pin SOJ
SL-部分
42pin SOJ
44 / 50PIN TSOP -II
SL-部分
44 / 50PIN TSOP -II
1
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HY51V18164C,HY51V16164C
功能框图
DQ0 DQ15
8
8
8
8
OE
数据输入缓冲器
DQ0~7
WE
LCAS
UCAS
8
8
DQ8~15
数据输出缓冲器
DQ0~7
DQ8~15
8
8
CAS时钟
发电机
CAS时钟
发电机
地址缓冲器
A0
A1
A2
Cloumn
预译码器
(10/8)*
(10/8)*
SENSE AMP
I / O门
A9
*(A10)
*(A11)
RAS
* （A10）和* （A11）为4K刷新部件
（ 1K刷新/ 4K刷新） *
1Mx16 ， EDO DRAM
Rev.00 / Sep.97
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~
刷新控制器
ROW
解码器
存储阵列
4,194,304x16
刷新计数器
(10/12)*
(10/12)*
RAS时钟
发电机
衬底偏压
发电机
V
CC
V
SS
2
HY51V16164C,HY51V16164C
引脚配置
（标记侧）
42Pin塑料SOJ （ 400mil ）
* （ N.C ） ：对于1K刷新产品
44 / 50PIN塑料TSOP- II （ 400mil ）
引脚说明
引脚名称
/ RAS
/ CAS
/ WE
/ OE
A0~A11
A0~A9
DQ0~DQ15
VCC
VSS
NC
参数
行地址选通
列地址选通
写使能
OUTPUT ENABLE
地址输入（ 4K刷新产品）
地址输入（ 1K刷新产品）
IN / OUT数据
电源（ 3.3V ）
地
无连接
1Mx16 ， EDO DRAM
Rev.00 / Sep.97
3
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HY51V18164C,HY51V16164C
绝对最大额定值
符号
T
A
T
英镑
V
IN，
V
OUT
V
CC
I
OS
P
D
T
SOLDER
参数
环境温度
储存温度
任何引脚相对于V电压
SS
在V电压
CC
相对于V
SS
短路输出电流
功耗
焊接温度
时间
等级
0到70
-55到150
-0.5到4.6
-0.5到4.6
50
1
260
10
单位
°C
°C
V
V
mA
W
°C
美国证券交易委员会
记
：操作达到或超过绝对最大额定值可以器件的可靠性产生不利影响
建议的直流工作条件
(T
A
= 0 ℃至70 ℃）下
符号
V
CC
V
IH
V
IL
参数
电源电压
输入高电压
输入低电压
民
3.0
2.0
-0.3
典型值
3.3
-
-
最大
3.6
V
CC+
0.3
0.8
单位
V
V
V
记
：所有电压参考V
SS
.
直流工作特性
符号
I
LI
I
LO
参数
输入漏电流
（任何输入）
输出漏电流
（任何输入）
输出低电压
输出高电压
测试条件
V
SS
≤
V
IN
≤
V
CC +
0.3
所有其它引脚没有测试
=
V
SS
V
SS
≤
V
OUT
≤
V
CC
/ RAS和放大器; / CAS在V
IH
I
OL
= 2.0毫安
I
OL
= -2.0mA
民
-10
-10
-
2.4
最大
10
10
0.4
-
单位
A
A
V
V
V
OL
V
OH
1Mx16 ， EDO DRAM
Rev.00 / Sep.97
4
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HY51V18164C,HY51V16164C
DC特性
(T
A
= 0℃至70℃ ，V
CC
= 3.3V
±
0.3V,
V
SS
= 0V时，除非另有说明。 ）
符号
参数
测试条件
速度
马克斯。当前
1K参考
I
CC1
工作电流
/ RAS ， / CAS自行车
t
RC =
t
RC （分钟）
/ RAS ， / CAS
≥
V
IH
其他投入
≥
V
SS
/ RAS骑自行车， / CAS
=
V
IH
t
RC =
t
RC （分钟）
60
70
80
160
150
140
2
1
160
150
140
140
120
100
1
200
160
150
140
350
4K参考
100
90
80
2
1
100
90
80
120
100
80
1
200
100
90
80
350
A
450
450
A
mA
单位
I
CC2
LVTTL待机
当前
/ RAS只刷新
当前
SL-部分
60
70
80
60
70
80
mA
I
CC3
mA
I
CC4
EDO模式电流
/ CAS骑自行车， / RAS
=
V
IL
t
HPC =
t
HPC （分钟）
/ RAS
=
/ CAS
≥
V
CC -
0.2V
/ RAS和放大器; / CAS = 0.2V
t
RC =
t
RC （分钟）
的tRC = 250μs的（ 1K参考） ， 62.5μs （ 4K REF）
/ CAS
=
0.2V
/ OE和放大器; / WE
=
V
CC -
0.2V
地址
=
VCC- 0.2V或0.2V
DQ0~DQ15
=
VCC- 0.2 ， 0.2V或打开
/ RAS和放大器; / CAS
=
0.2V
其他引脚相同，因为我
CC7
mA
mA
A
mA
I
CC5
CMOS待机
当前
/ CAS先接后/ RAS
刷新当前
备用电池
电流（ SL-部分）
SL-部分
60
70
80
tRAS的
≤
300ns
tRAS的
≤
1s
I
CC6
I
CC7
I
CC8
自刷新电流
（ SL -部分）
350
350
记
1. I
CC1
, I
CC3
, I
CC4
我
CC6
取决于输出负载和循环率（T
RC
和T
HPC
).
2.指定的值与输出空载获得。
3. I
CC
被指定为一个平均电流。在我
CC1
, I
CC3
, I
CC6
，地址只能更改一次，而/ RAS = V
IL
。在我
CC4
,
地址可以被改变最多一次，而/ CAS = V
IH
在一个EDO模式的周期时间t
HPC
.
1Mx16 ， EDO DRAM
Rev.00 / Sep.97
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