HM624100HC系列
4M高速SRAM （ 1 - Mword
×
4-bit)
ADE - 203-1198 （ Z）
初步
修订版0.0
2000年11月30日
描述
该HM624100HC是4兆高速静态RAM举办1 Mword
×
4位。它实现了高速
通过采用CMOS工艺（ 6晶体管存储单元）和高速电路设计的访问时间
技术。它最适合于需要高的速度和高密度存储器的应用，
如在系统的高速缓存和缓冲存储器。该HM624100HC打包在400密耳的32引脚SOJ为高
密度表面安装。
特点
单5.0 V电源： 5.0 V± 10 ％
访问时间10 ns的（最大）
完全静态存储器
无需时钟或定时选通
平等的机会和周期时间
直接TTL兼容
所有输入和输出
工作电流：140 MA（最大）
TTL待机电流： 40毫安（最大值）
CMOS待机ccurrent ： 5毫安（最大）
1.2 MA（最大值） （L -版）
数据重新拉紧电流： 0.8毫安（最大值） （L-版本）
数据卷紧电压： 2.0 V（分钟） （L -版）
中心V
CC
和V
SS
引出线类型
初步：该设备的规格如有变更，恕不另行通知。请联系您就近
日立公司的销售部关于规范。
HM624100HC系列
订购信息
型号
HM624100HCJP-10
HM624100HCLJP-10
存取时间
10纳秒
10纳秒
包
400万的32引脚塑料SOJ （ CP- 32dB的）
2
HM624100HC系列
框图
（ LSB ）
A14
A13
A12
A5
A6
A7
A11
A10
A3
A1
（MSB）
I/O1
.
.
.
I/O4
国内
电压
Generater
ROW
解码器
1024-row
×
64-column
×
16-block
×
4-bit
（ 4,194,304位）
V
CC
V
SS
CS
列I / O
输入
数据
控制
列解码器
CS
WE
CS
A8 A9 A19 A17 A18 A15 A0 A2 A4 A16
（ LSB ）
（MSB）
OE
CS
4
HM624100HC系列
手术床
CS
H
L
L
L
L
注意：
OE
×
H
L
H
L
×:
H或L
WE
×
H
H
L
L
模式
待机
输出禁用
读
写
写
V
CC
当前
I
SB
, I
SB1
I
CC
I
CC
I
CC
I
CC
I / O
高-Z
高-Z
DOUT
DIN
DIN
参考文献。周期
—
—
读周期（ 1 ）至（ 3 ）
写周期（ 1）
写周期（ 2）
绝对最大额定值
参数
电源电压相对于V
SS
任何引脚相对于V电压
SS
功耗
工作温度
储存温度
在偏置存储温度
符号
V
CC
V
T
P
T
TOPR
TSTG
Tbias
价值
-0.5到+7.0
–0.5*
1
到V
CC
+0.5*
2
1.0
0至+70
-55到+125
-10至+85
单位
V
V
W
°C
°C
°C
注意事项： 1， V
T
（分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄） 6纳秒。
2. V
T
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（超调） 6纳秒。
建议的直流工作条件
（大= 0至+ 70 ° C）
参数
电源电压
符号
V
CC
*
3
V
SS
*
4
输入电压
V
IH
V
IL
注：1 。
2.
3.
4.
民
4.5
0
2.2
–0.5*
1
典型值
5.0
0
—
—
最大
5.5
0
V
CC
+ 0.5*
2
0.8
单位
V
V
V
V
V
IL
（分钟）= -2.0 V脉冲宽度（下拍摄） 6纳秒。
V
IH
（MAX） = V
CC
+ 2.0V的脉冲宽度（超调） 6纳秒。
与所有V电源电压
CC
销必须在同一水平上。
与所有V电源电压
SS
销必须在同一水平上。
5
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