HY29F800A
8兆位（ 1Mx8 / 512Kx16 ） ， 5伏只，闪存
主要特点
n
5伏读取，编程和擦除
- 最大程度降低系统级功耗要求
n
高性能
- 存取时间快50纳秒
n
低功耗
- 20毫安典型活跃在字节读取电流
模式， 28毫安典型字模式
- 56 mA典型编程/擦除电流
- 5 μA最大的CMOS待机电流
n
兼容JEDEC标准
- 封装，引脚排列和命令集
与单电源闪存兼容
设备标准
- 提供卓越的意外写
保护
n
扇区擦除架构
- 引导扇区架构，顶部和
提供底部引导块选项
- 一个16字节， 2字节8 ， 1个32字节
和15 64字节扇区的字节模式
- 一个8千字，两个4千字，一个16 K字
和15 32 K字中字模式行业
- 命令可以删除任意组合
扇区
- 支持整片擦除
n
擦除挂起/恢复
- 临时挂起一个扇区擦除
操作，以允许将数据从读出，或
编入，任何部门不作为
删除
概述
该HY29F800A是8兆， 5伏的CMOS只
组织为1,048,576 （ 1M）字节Flash存储器
或524,288 （ 512K ）字样。该器件采用
业界标准的44引脚PSOP和48引脚TSOP
包。
该HY29F800A可以编程和擦除
在系统与单5伏V
CC
供应量。国内
生成和提供用于调节电压
编程和擦除操作，使得该装置
不需要一个高电压电源，以
执行这些功能。该装置也可以是
在标准EPROM编程器编程。
存取时间快55纳秒，在整个operat-
5.0伏± 10 ％， ING电压范围供
与零等待状态要求一时间兼容性
高速微处理器求。一名50纳秒
初步
1.1版本， 2002年2月
n
扇区保护
- 任何部门的结合可以被锁定
为了防止编程或擦除操作
这些部门内
n
临时机构撤消
- 允许改变锁业
（需要在RESET ＃引脚为高电平电压）
n
内部擦除算法
- 自动删除一个部门，任何
组合扇区或整个芯片
n
内部编程算法
- 自动编程和校验数据
在一个指定的地址
n
快速编程和擦除时间
- 字节编程时间： 7 μs的典型
- 扇区擦除时间： 1.0秒典型
- 芯片擦除时间： 19秒典型
n
数据＃投票和切换状态位
- 提供软件确认
编程或擦除完毕
操作
n
就绪/忙＃输出（ RY / BY ＃ ）
- 提供硬件确认
编程和擦除完毕
操作
n
最低100,000编程/擦除周期
n
节省空间的封装
- 提供业界标准44针
PSOP和48引脚TSOP和反
TSOP封装
逻辑图
19
A[18:0]
DQ [7：0 ]
7
CE＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
BYTE ＃
RY / BY ＃
DQ [14： 8]
DQ[15]/A-1
8
HY29F800A
版本工作在5.0伏± 5 ％ ，也可用
能。为了消除总线冲突， HY29F800A
有独立的芯片使能（ CE ＃ ） ，写使能
（ WE＃ ）和输出使能（ OE ＃ ）控制。
该设备与JEDEC兼容单
电源闪存命令集的标准。 COM的
要求主要通过写入命令寄存器
标准的微处理器写的定时，从那里
它们被路由到一个内部状态机那
控制擦除和编程电路。 DE-
副编程时，每次执行一个字节
通过执行四循环程序命令。
这将启动一个内部算法， automati-
美云次编程脉冲宽度和验证
适当的细胞保证金。
该HY29F800A的扇区擦除架构允许
要被擦除并重新任何数值列的扇区
在不影响数据内容的目的
其他部门。设备擦除由EX-启动
ecuting擦除命令。这将启动一个IN-
ternal算法，自动preprograms的
前EX-数组（如果它尚未编程）
ecuting擦除操作。在擦除周期，
自动装置倍擦除脉冲
宽度和VERI音响ES适当的细胞保证金。
为了保护设备中的数据不被意外或
未经授权擅自进行编程或擦除
设备，而它是在系统中（例如，由病毒） ，
框图
该装置具有一个扇区保护功能这
硬件写保护特定的行业。该
部门保护和取消保护功能可恩
体健的PROM编程器。临时机构
解除保护，这需要一个高电压，使
在系统的擦除和代码在先前的变化
受保护的行业。
擦除挂起使用户把擦除
持为任何一段时间，以从读出的数据，或
未被选择的节目数据，以，任何扇区
擦除。因此，真正的背景擦除可
实现的。运时，该设备被完全擦除
从工厂。
所需的编程地址和数据
和擦除操作过程中被内部锁存
写周期，并且在主机系统可以检测到
编程或擦除操作完成所
观察RY / BY ＃引脚，或通过读出的DQ [7]
（数据＃查询）和DQ [6] （切换）的状态位。
从设备中读取数据类似于阅读
从SRAM或EPROM器件。硬件数据
保护措施包括低V
CC
探测器
自动抑制在写操作
电源转换。
主机可以将器件置于备用
模式。功耗大大降低
此模式。
DQ [15：0 ]
A[18:0], A-1
状态
控制
DQ [15：0 ]
WE＃
CE＃
OE ＃
BYTE ＃
RESET＃
RY / BY ＃
节目
电压
发电机
命令
注册
擦除电压
发生器和
行业SWITCHES
I / O控制
I / O缓冲器
数据锁存器
V
C C
探测器
定时器
A[18:0], A-1
地址锁存
y解码器
Y型GATING
X解码器
8 MB闪存
内存
ARRAY
2
修订版1.1 / 2月02
HY29F800A
销刀豆网络gurations
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
A0
CE＃
V
SS
OE ＃
DQ0
DQ8
DQ1
DQ9
DQ2
DQ10
DQ3
DQ11
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
24
23
RESET＃
WE＃
A8
A9
A10
A11
A12
A13
A14
A15
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
V
SS
CE＃
A0
PSOP44
标准
TSOP48
A16
BYTE ＃
V
SS
DQ15/A-1
DQ7
DQ14
DQ6
DQ13
DQ5
DQ12
DQ4
V
CC
DQ11
DQ3
DQ10
DQ2
DQ9
DQ1
DQ8
DQ0
OE ＃
V
SS
CE＃
A0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
21
22
23
24
反向
TSOP48
48
47
46
45
44
43
42
41
40
39
38
37
36
35
34
33
32
31
30
29
28
27
26
25
A15
A14
A13
A12
A11
A10
A9
A8
NC
NC
WE＃
RESET＃
NC
NC
RY / BY ＃
A18
A17
A7
A6
A5
A4
A3
A2
A1
约定
除非另有说明，一个正逻辑（活性
高）约定假定整个文档
精神疾病，由此存在下，在较高的引脚，则
更多的正电压（标称值为5VDC ）的原因
断言的信号。继A' ＃ '符号
信号的名称，例如， RESET ＃ ，表示该显
最终被认定为低状态（通常为0伏） 。
当一个信号被分离成标号位，
例如，DQ [7] ，DQ [6 ]，...， DQ [0]，位的家族可
也一并示出，例如，作为DQ [7：0 ] 。
指定0xNNNN （N = 0 ， 1，2， 。 。 。 ， 9 ，A 。
。 。 ， E， F）表示数表示在十六进
MAL简谱。指定0bXXXX表示
在二进制表示法表示数（X = 0,1） 。
3
修订版1.1 / 2月02
HY29F800A
信号说明
名字
A[18:0]
TYPE
描述
地址，高电平有效。
在文字模式下，这19个输入选择524,288 1
（ 512K ）字阵列进行读或写操作中。在字节模式下，这些
输入
输入结合DQ [ 15 ] / A [-1]输入（ LSB）选择的1,048,576 1
（ 1M）的阵列的读或写操作中的字节。
数据总线，高电平有效
。在文字模式下，这些引脚提供16位数据通道
输入/输出进行读取和写入操作。在字节模式下， DQ [ 7 ： 0 ]提供一个8位数据路径
三州
和DQ [15] / A [-1]用作20位字节的地址输入的LSB 。 DQ [14： 8]
未使用并保持三态字节模式。
字节模式，低电平有效。
控制装置的字节/字的配置。
输入
选择低字节模式下，选择高字模式。
芯片使能，低电平有效。
该输入必须置读取数据或
输入
将数据写入到HY29F800A 。高电平时，数据总线为三态和
装置被置于待机模式。
输出使能，低电平有效
。这个输入必须置为读操作
和否定的写操作。字节＃判定是否一个字节或字
输入
在读操作期间被读出。当从设备的高，数据输出
残疾人和数据总线引脚被置于高阻抗状态。
W R ITE简体A，B文件，一个C TIV é 1。·瓦特
C 0 ntro LS WRI TI NG ofco MMA届sorco MMA次
序列以便编程数据或擦除存储器阵列的扇区。一
输入
写操作发生时， WE＃为有效，而CE＃为低和OE ＃
为高。字节＃判定一个字节或一个字是否在写操作期间写入
操作。
hardw是复位，低电平有效。
提供复位的硬件方法
HY29F800A到读阵列状态。当设备被立即复位，它
输入
终止正在进行的任何操作。数据总线为三态，所有的读/写
命令会被忽略，而输入为有效。当RESET ＃是断言，
该设备将处于待机模式。
A D Y / B美的TA恩秒。
工业ICA释磨片的RA WRI TE矿岭山高MMA届ISIN
进展或已经完成。后的上升沿RY / BY＃有效。
产量
最后WE＃脉冲的命令序列。它仍然低，而设备
漏极开路
积极的数据编程或擦除，并且变高时，它已准备好读
阵列的数据。
5伏（标称值）的电源。
--
--
POW ER和信号地。
DQ[15]/A[-1],
DQ [14 ：0]
BYTE ＃
权证＃
OE ＃
WE＃
RESET＃
RY / BY ＃
V
CC
V
SS
存储器阵列组织
1兆字节的闪存阵列是由
19块所谓的
扇区
(S0, S1, . . . , S18).
一个扇区是可以被擦除的最小单位
并且它可以被保护，以防止意外
或未经授权的删除。请参阅“总线操作”
和“命令定义”本文档中的部分
换货了解有关这些功能的更多信息。
在HY29F800A ，四个行业，其中的COM
奖品
引导块，
大小不等，从8到32
千字节（4至16 K字） ，而剩余的fif-
青少年部门都在64字节大小均匀（ 32
K字） 。引导块可以位于所述
的地址范围的底部（ HY29F800AB ），或在
的地址范围（ HY29F800AT ）的顶部。
表1定义了扇区地址和corre-
应的地址范围的顶部和底部
在HY29F800A的引导块版本。
4
修订版1.1 / 2月02
HY29F800A
表1. HY29F800A内存阵列组织
扇区地址
1
SIZE
字节模式
设备部门
（ KB / KW ） A [ 18] [17] A [ 16 ] A [ 15] [14] A [ 13] [ 12 ]地址范围
2
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
S16
S17
S18
S0
S1
S2
S3
S4
S5
S6
S7
S8
S9
S10
S11
S12
S13
S14
S15
S16
S17
S18
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
32/16
8/4
8/4
16/8
16/8
8/4
8/4
32/16
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
64/32
0
0
0
0
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0
0
1
1
1
1
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0
1
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1
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1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
1
1
0
0
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
0
1
0
1
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0
1
X
X
0
1
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
X
0x00000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x3FFFF
0x40000 - 0x4FFFF
0x50000 - 0x5FFFF
0x60000 - 0x6FFFF
0x70000 - 0x7FFFF
0x80000 - 0x8FFFF
0x90000 - 0x9FFFF
0xA0000 - 0xAFFFF
0xB0000 - 0xBFFFF
0xC0000 - 0xCFFFF
0xD0000 - 0xDFFFF
0xE0000 - 0xEFFFF
0xF0000 - 0xF7FFF
0xF8000 - 0xF9FFF
0xFA000 - 0xFBFFF
0xFC000 - 的0xFFFFF
0x00000 - 0x03FFF
0x04000 - 0x05FFF
0x06000 - 0x07FFF
0x08000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x3FFFF
0x40000 - 0x4FFFF
0x50000 - 0x5FFFF
0x60000 - 0x6FFFF
0x70000 - 0x7FFFF
0x80000 - 0x8FFFF
0x90000 - 0x9FFFF
0xA0000 - 0xAFFFF
0xB0000 - 0xBFFFF
0xC0000 - 0xCFFFF
0xD0000 - 0xDFFFF
0xE0000 - 0xEFFFF
0xF0000 - 的0xFFFFF
文字模式
地址范围
3
0x00000 - 0x07FFF
0x08000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x17FFF
0x18000 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x27FFF
0x28000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x37FFF
0x38000 - 0x3FFFF
0x40000 - 0x47FFF
0x48000 - 0x4FFFF
0x50000 - 0x57FFF
0x58000 - 0x5FFFF
0x60000 - 0x67FFF
0x68000 - 0x6FFFF
0x70000 - 0x77FFF
0x78000 - 0x7BFFF
0x7C000 - 0x7CFFF
0x7D000 - 0x7DFFF
0x7E000 - 0x7FFFF
0x00000 - 0x01FFF
0x02000 - 0x02FFF
0X03000 - 0x03FFF
0x04000 - 0x07FFF
0x08000 - 0x0FFFF
0x10000处 - 0x17FFF
0x18000 - 0x1FFFF
地址0x20000 - 0x27FFF
0x28000 - 0x2FFFF
0x30000 - 0x37FFF
0x38000 - 0x3FFFF
0x40000 - 0x47FFF
0x48000 - 0x4FFFF
0x50000 - 0x57FFF
0x58000 - 0x5FFFF
0x60000 - 0x67FFF
0x68000 - 0x6FFFF
0x70000 - 0x77FFF
0x78000 - 0x7FFFF
注意事项：
1， X表示不在乎。
2.地址在字节模式是A [ 18 ：0 ] 。
3.地址在Word模式为A [ 18：0 ] 。
修订版1.1 / 2月02
HY29F800AB - 底部引导块
HY29F800AT - 热门引导块
5
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