HMC383
v02.0907
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
典型应用
该HMC383是非常适合用作驱动放大器为：
点至点收音机
特点
增益： 16分贝
饱和输出功率： +18 dBm的
输出IP3 ： +25 dBm的
单正电源： + 5V @ 101毫安
50欧姆匹配输入/输出
模具尺寸： 2.26 X 1.35 X 0.1毫米
3
线性&功率放大器 - CHIP
点到多点无线电& VSAT
测试设备&传感器
LO驱动器，用于HMC搅拌机
军事&空间
工作原理图
概述
该HMC383是一个通用的GaAs PHEMT
MMIC驱动放大器其中12之间运行
和30 GHz的。该放大器提供增益16dB的
和+18 dBm的从+ 5V电源的饱和功率。
一贯
增益和输出功率在整个
工作频带使人们有可能使用一个公共
在多个无线电频段驱动器/ LO放大器的方法。
该HMC383放大器可以很容易地集成到
多芯片芯片模块（MCM ） ，由于其体积小，
单电源供电， DC和RF阻塞I / O操作。所有
数据进行测量，在一个50欧姆的测试芯片fix-
通过0.025毫米（ 1密耳）直径线连接TURE
最小长度0.31毫米（ 12密耳）的债券。
电气电源规格，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V +
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
(P1dB)
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
12
13
分钟。
典型值。
12 - 18
16
0.03
14
13
15
18
25
9
101
125
13.5
0.04
14
马克斯。
分钟。
典型值。
18 - 24
17
0.03
12
12
16.5
18
25
7
101
125
13
0.04
13
马克斯。
分钟。
典型值。
24 - 28
16
0.03
14
7
16
17
24
6.5
101
125
13
0.04
12
马克斯。
分钟。
典型值。
28 - 30
15
0.03
7
5
16
18
23
7.5
101
125
0.04
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
3-2
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
为了在网上www.hittite.com
HMC383
v02.0907
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
增益与温度
20
16
响应（ dB）的
10
5
0
-5
-10
-15
-20
8
12
16
20
24
28
32
36
频率（GHz ）
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
S21
S11
S22
增益（dB ）
12
3
线性&功率放大器 - CHIP
3-3
+25C
+85C
-55C
8
4
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
回波损耗（分贝）
+85C
-55C
-10
回波损耗（分贝）
26
28
30
32
-5
+25C
-5
-10
-15
-15
-20
10
12
14
16
18
20
22
24
频率（GHz ）
-20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
22
20
18
16
P1dB的（ DBM）
12
10
8
6
4
2
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
PSAT与温度的关系
22
20
18
16
PSAT （ DBM）
14
12
10
8
6
4
2
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
14
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v02.0907
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
功率压缩@ 18 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
功率压缩@ 30 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
16
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
16
3
线性&功率放大器 - CHIP
12
12
8
8
4
4
0
-18
-14
-10
-6
-2
2
6
0
-14
-10
-6
-2
2
6
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
30
噪声系数与温度
12
10
噪声系数（dB ）
8
6
4
2
0
+25C
+85C
-55C
26
IP3 （ dBm的）
22
+25C
+85C
-55C
18
14
10
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
10
14
18
22
26
30
频率（GHz ）
获得&功率与电源电压@ 18 GHz的
20
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
19
反向隔离与温度的关系
0
-20
18
17
16
15
14
4.5
收益
P1dB
PSAT
隔离度（dB ）
-40
+25C
+85C
-55C
-60
-80
5
VDD电源电压（ V）
5.5
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
3-4
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v02.0907
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
100
101
102
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.9毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+10 dBm的
175 °C
0.89 W
101.0 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1A级
注：功率放大器ER将工作在如上图所示的全电压范围
3
线性&功率放大器 - CHIP
3-5
静电敏感器件
观察处理注意事项
外形绘图
芯片封装信息
标准
GP - 2 （胶装）
[2]
[1]
备用
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的焊盘是0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
8.全面DIE SIZE ± 0.002
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v02.0907
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
接口示意图
3
2
VDD
线性&功率放大器 - CHIP
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.1 F的电容。
3
RFOUT
此片是交流耦合
并匹配到50欧姆。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
装配图
3-6
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
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HMC383
v01.0606
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
1
放大器 - CHIP
典型应用
该HMC383是非常适合用作驱动放大器为：
点至点收音机
点到多点无线电& VSAT
测试设备&传感器
LO驱动器，用于HMC搅拌机
军事&空间
特点
增益： 16分贝
饱和输出功率： +18 dBm的
输出IP3 ： +25 dBm的
单正电源： + 5.0V @ 101毫安
50欧姆匹配输入/输出
2.26毫米X 1.35毫米X 0.1毫米
工作原理图
概述
该HMC383是一个通用的GaAs PHEMT
MMIC驱动放大器，它的工作
12和30 GHz的。该放大器提供16dB的
增益和+18 dBm的饱和功率在+ 5.0V
供应量。一致的增益和输出功率在整个
工作频带使人们有可能使用一个公共
在多个无线电频段驱动器/ LO放大器的方法。
该HMC383放大器可以很容易地集成到
多芯片芯片模块（MCM ） ，由于其体积小，
单电源供电， DC和RF阻塞I / O操作。所有
数据进行测量，在一个50欧姆的测试芯片fix-
通过0.025毫米（ 1密耳）直径线连接TURE
最小长度0.31毫米（ 12密耳）的债券。
电气连接特定的阳离子，
T
A
= + 25 ° C， VDD = 5V +
参数
频带
收益
增益随温度变化
输入回波损耗
输出回波损耗
输出功率为1 dB压缩
(P1dB)
饱和输出功率（ PSAT ）
输出三阶截取点（ IP3 ）
噪声系数
电源电流（ IDD）
12
13
分钟。
典型值。
12 - 18
16
0.03
14
13
15
18
25
9
101
13.5
0.04
14
马克斯。
分钟。
典型值。
18 - 24
17
0.03
12
12
16.5
18
25
7
101
13
0.04
13
马克斯。
分钟。
典型值。
24 - 28
16
0.03
14
7
16
17
24
6.5
101
13
0.04
12
马克斯。
分钟。
典型值。
28 - 30
15
0.03
7
5
16
18
23
7.5
101
0.04
马克斯。
单位
GHz的
dB
分贝/°C的
dB
dB
DBM
DBM
DBM
dB
mA
1 - 26
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v01.0606
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
宽带增益&回波损耗
20
15
10
响应（ dB）的
5
0
-5
-10
S21
S11
S22
增益与温度
20
18
16
14
增益（dB ）
12
10
8
6
4
+25C
+85C
-55C
1
放大器 - CHIP
1 - 27
-15
-20
8
10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36
频率（GHz ）
2
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
输入回波损耗随温度的变化
0
输出回波损耗随温度的变化
0
+25C
+85C
-55C
+25C
回波损耗（分贝）
+85C
-55C
-10
回波损耗（分贝）
26
28
30
32
-5
-5
-10
-15
-15
-20
10
12
14
16
18
20
22
24
频率（GHz ）
-20
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
P1dB为与温度的关系
22
20
18
16
P1dB的（ DBM）
PSAT与温度的关系
22
20
18
16
PSAT （ DBM）
14
12
10
8
6
4
2
0
+25C
+85C
-55C
14
12
10
8
6
4
2
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v01.0606
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
1
放大器 - CHIP
功率压缩@ 18 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-18 -16 -14 -12 -10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
功率压缩@ 30 GHz的
20
POUT （DBM ） ，增益（dB ） ， PAE （ ％ ）
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
-14
-12
-10
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
的Pout （ dBm的）
增益（dB ）
PAE （％）
输入功率（dBm ）
输入功率（dBm ）
输出IP3与温度的关系
30
28
26
24
OIP3 （ dBm的）
22
20
18
16
14
12
10
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
噪声系数与温度
12
11
10
噪声系数（dB ）
9
8
7
6
5
4
3
2
1
0
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
+25C
+85C
-55C
获得&功率与电源电压@ 18 GHz的
20
增益（dB ）的P1dB （ dBm的） ， PSAT （ DBM）
19
18
17
16
15
14
4.5
收益
P1dB
PSAT
反向隔离与温度的关系
0
-10
-20
隔离度（dB ）
-30
-40
-50
-60
-70
-80
+25C
+85C
-55C
5
VDD供电电压（VDC ）
5.5
10
12
14
16
18
20
22
24
26
28
30
32
频率（GHz ）
1 - 28
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v01.0606
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
典型电源电流与Vdd的
Vdd的（V）的
+4.5
+5.0
+5.5
IDD （MA ）
100
101
102
绝对最大额定值
漏极偏置电压（VDD ）
RF输入功率（ RFIN ） （ VDD = + 5.0VDC ）
通道温度
连续PDISS （T = 85°C ）
（减免9.9毫瓦/ ° C以上85°C ）
热阻
（信道死底部）
储存温度
工作温度
静电放电敏感度（ HBM ）
+5.5伏
+10 dBm的
175 °C
0.89 W
101.0 ° C / W
-65至+150°C
-55至+85°C
1A级
1
放大器 - CHIP
1 - 29
注：扩增fi er将工作在如上图所示的全电压范围
静电敏感器件
观察处理注意事项
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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HMC383
v01.0606
的GaAs PHEMT MMIC介质
功放， 12 - 30 GHz的
1
放大器 - CHIP
外形绘图
芯片封装信息
标准
GP-1
[2]
[1]
备用
[1]参见“包装信息”部分模具
包装尺寸。
[2]可替代的包装信息，请联系赫梯
微波公司。
注意事项：
1.所有尺寸为英寸[ MM ]
2. DIE厚度为0.004 “
3.典型的焊盘是0.004 “方
4.背面金属：金
5.焊盘金属化：金
6.背面金属接地。
7.连接不需要的未标记的焊垫。
8.全面DIE SIZE ± 0.002
PAD说明
盘数
1
功能
RFIN
描述
此片是交流耦合和匹配
50欧姆12 - 30 GHz的。
接口示意图
2
VDD
电源电压为扩增fi er 。外部旁路
100 pF和0.1 F的电容。
3
RFOUT
此片是交流耦合和匹配
50欧姆12 - 30 GHz的。
模具底部
GND
模具底部必须被连接到射频/ DC接地。
1 - 30
对于价格，交货，并下订单，请与赫梯Microwave公司：
20阿尔法路，切姆斯福德，MA 01824电话： 978-250-3343传真： 978-250-3373
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