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HWS435
砷化镓DC - 2.5 GHz的SPDT开关
2006年9月
V3
特点
低插入损耗：
0.5分贝@ 2.5 GHz的
隔离：
20分贝@ 2.5 GHz的
低DC功耗
低成本SOT- 363塑料铅（Pb ）免费
SOT-363
封装，符合RoHS
描述
该HWS435是砷化镓SPDT开关的操作
在一种低成本的SOT- 363塑料引线的DC- 2.5GHz的铅（Pb）
无铅封装。该HWS435具有低插入
损失非常低的直流功耗。这
交换机可以在IEEE 802.11b / g的无线局域网中使用
用于发送/接收或天线分集系统
功能。
0 ， + 3V控制电压电气规格在25 °
C
参数
插入损耗
测试条件
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 1.0 GHz的
DC- 2.0 GHz的
DC- 2.5 GHz的
DC- 2.5 GHz的
0.5-2.5 GHz的
@ 0/+3V
@ 0/+5V
分钟。
典型值。
0.3
0.4
0.5
28
22
20
20
30
34
20
5
100
马克斯。
单位
dB
0.7
dB
dB
隔离
回波损耗
输入电源一分贝压缩
开关时间
控制电流
18
DBM
DBM
ns
uA
注意：取得在一个50欧姆的系统与0 / + 3V，控制电压，除非另有说明，所有的测量。
Hexawave公司
2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改，恕不另行通知。
HWS435
砷化镓DC - 2.5 GHz的SPDT开关
2006年9月
V3
典型性能数据@ + 25 °
C
插入损耗与频率
0.0
-0.2
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
0.5
1.0
1.5
2.0
频率（GHz ）
2.5
3.0
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
0.5-2.5 GHz的
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
插入损耗（dB ）
+34 dBm的
+6V
-40 °C至+ 85°C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
引脚输出（顶视图）
C
B
C
A
1
6
5
隔离与频率
-10
-15
RF2
GND
RF1
C
B
VC2
RFC
C
B
VC1
C
A
2
3
4
隔离度（dB ）
-20
-25
-30
-35
-40
0.5
1.0
1.5
2.0
频率（GHz ）
2.5
3.0
隔直流电容器
B
要求所有RF端口。
C
B
=C
A
= 51pF的工作频率为500MHz > 。
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
1
VC2
0
1
RFC-RF1
隔离
插入损耗
RFC-RF2
插入损耗
隔离
回波损耗与频率
-5
-10
0
' 1 ' = + 3V至+ 5V
“0”= 0V至+ 0.2V
回波损耗（分贝）
-15
-20
-25
-30
-35
0.5
1.0
1.5
2.0
频率（GHz ）
2.5
3.0
Hexawave公司
2繁荣路二，科技园区，新竹，台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
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HWS435
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