【2006年11月HYS64T32000HM–[3S/3.7/5]–AHYS64T64020HM–[3】,IC型号HYS64T64020HM,HYS64T64020HM PDF资料,HYS64T64020HM经销商,ic,电子元器件-51电子网

2006年11月

HYS64T32000HM–[3S/3.7/5]–A

HYS64T64020HM–[3S/3.7/5]–A

214 - PIN MICRO - DIMM的DDR2 -SDRAM模块

MDIMM

DDR2 SDRAM

符合RoHS

互联网数据表

修订版1.11

互联网数据表

HYS64T[32/64]0[0/2]0HM–[3S/3.7/5]–A

微-DIMM DDR2 SDRAM模组

HYS64T32000HM- [ 3S / 3.7 / 5 ] -A ， HYS64T64020HM- [ 3S / 3.7 / 5 ] -A

修订历史： 2006-11 ，牧师1.11

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科目（自上次调整的重大变化）

更新奇梦达

改编网络版

新增-3S

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qag_techdoc_rev400 / 3.2质量保证小组/ 2006-08-07

03062006-HT1R-Z2PY

互联网数据表

HYS64T[32/64]0[0/2]0HM–[3S/3.7/5]–A

微-DIMM DDR2 SDRAM模组

概观

本章给出了1.8 V 214针微型DIMM的DDR2 -SDRAM模块产品系列的概述，并介绍了其

主要特性。

1.1

特点

突发刷新，分布式刷新和自刷新

所有输入和输出SSTL_1.8兼容

片外驱动器阻抗调整（ OCD）和片上

端接（ ODT ）

串行存在检测为E

舞会

MDIMM尺寸（标称）：30毫米高， 54.0毫米

WIDE

基于标准的参考布局原卡：

“A”和“B”

2片式夹层插槽与0.4毫米的接触

中心

符合RoHS标准的产品

214引脚PC2-5300 ， PC2-4200和PC2-3200 DDR2

用作主内存时， SDRAM内存模块

安装在系统中，如移动台个人电脑。

32M

64and 64M

64模块的组织，和32M

16片组织

标准双倍数据速率 - 双同步DRAM

（ DDR2 SDRAM ），采用单+ 1.8 V （ ± 0.1 V）电源

供应

内置了512MB DDR2 256MB和512MB模块

在P- TFBGA - 84 chipsize封装的SDRAM

可编程CAS潜伏期（ 3 ， 4和5 ），突发长度

（ 8 & 4 ）和突发类型

表1

性能表

产品型号代码的运行速度

速度等级

马克斯。时钟频率

@CL5

@CL4

@CL3

分钟。 RAS -CAS延迟

分钟。行预充电时间

分钟。行活动时间

分钟。行周期时间

–3S

PC2–5300

5–5–5

–3.7

PC2–4200

4–4–4

266

200

–5

PC2–3200

3–3–3

200

单位

—

兆赫

CK5

CK4

CK3

RCD

RAS

333

266

200

1 ）符合RoHS产品：使用某些有害物质指令（RoHS ）的电气和电子设备中限制的定义

在指令2002/95 /由27理事会，欧洲议会和2003年1月发行的这些物质包括汞EC ，

铅，镉，六价铬，多溴联苯和多溴联苯醚。

牧师1.11 ， 2006-11

03062006-HT1R-Z2PY

互联网数据表

HYS64T[32/64]0[0/2]0HM–[3S/3.7/5]–A

微-DIMM DDR2 SDRAM模组

1.2

描述

电容器被安装在PCB板。安装DIMM

功能串行存在检测基于串行é

舞会

使用2针I设备

C协议。前128个字节是

编程的配置数据和被写保护;

第二个128字节是提供给客户。

奇梦达HYS64T [ 32/64 ] 0 [ 0/2 ] 0HM- [ 3S / 3.7 / 5 ] -A

模块系列是无缓冲微型DIMM模块

“ MDIMMs ”基于DDR2技术3000毫米的高度。

DIMM是可作为非ECC模块32M

（ 256 MB ）和64M

64 （ 512 MB）的组织和密度，

用于安装到214针夹层连接器

插槽。

存储器阵列的设计与512兆位双数据 -

速率 - 双（DDR2 ）同步DRAM中。脱钩

表2

订购Informationfor符合RoHS的产品

产品类型

PC2-5300

HYS64T32000HM-3S-A

HYS64T64020HM-3S-A

PC2–4200

HYS64T32000HM–3.7–A

HYS64T64020HM–3.7–A

PC2–3200

HYS64T32000HM–5–A

HYS64T64020HM–5–A

256MB 1R × 16 PC2-3200M - 333-12 -B1

512MB 2R × 16 PC2-3200M - 333-12 -A1

1等级，非ECC

2级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

256MB 1R × 16 PC2-4200M - 444-12 -B1

512MB 2R × 16 PC2-4200M - 444-12 -A1

1等级，非ECC

2级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

256MB 1R × 16 PC2-5300M - 555-12 -B1

512MB 2R × 16 PC2-5300M - 555-12 -A1

1等级，非ECC

2级，非ECC

512兆位（ × 16 ）

合规守则

描述

SDRAM

技术

1 ）所有产品类型数字结尾的地方的代码，指定硅片版本。例如： HYS64T32000HM - 3.7 -A ，说明启

“A”的模具被用于DDR2 SDRAM元件。对于所有的奇梦达DDR2模块和组件的命名看

第6章

这

数据表。

2 ）合规守则印在模块标签上，并描述了速度等级，如“ PC2-4200M - 444-12 -B1 ”，其中

4200M是指无缓冲微-DIMM模块4.26 GB /秒带宽模块和“ 444-11 ”，是指列地址选通（ CAS ）

延时= 4 ，行列延时（ RCD ）的延迟= 4，行预充电（ RP ）延迟= 4采用了最新的JEDEC SPD版本1.2和

生产的原卡“ B” 。

牧师1.11 ， 2006-11

03062006-HT1R-Z2PY

互联网数据表

HYS64T[32/64]0[0/2]0HM–[3S/3.7/5]–A

微-DIMM DDR2 SDRAM模组

表3

地址格式

DIMM

密度

256兆字节

512兆字节

模块

组织

32M

×64

64M

×64

内存

秩

ECC /

非ECC

排名第

SDRAM的

＃行/行/列的位

13/2/10

生

卡

表4

在模块组件

产品类型

HYS64T32000HM

HYS64T64020HM

DRAM组件

HYB18T512160AF

DRAM密度

512兆位

DRAM机构注

32M

×16

32M

×16

1 ）绿色产品

2）关于这些模块在DRAM元件的所有功能的详细描述，请参见组件数据表。

牧师1.11 ， 2006-11

03062006-HT1R-Z2PY

在一台S等他，版本0.6 ，J未ê 2 00 4

HYS64T32000[H/K/L]M–[3.7/5]–A

HYS64T64020[H/K/L]M–[3.7/5]–A

M E M或Y P ，R 0杜（C T） s

礼

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

DDR2 MDIMM

双倍数据速率 - 双微SDRAM -DIMM

本文档中的信息如有更改，恕不另行通知。

2004-06年版

出版英飞凌科技股份公司，

圣 - 马丁大街53 ，

81669慕尼黑，德国

英飞凌科技股份公司2004年。

请注意！

此处的信息给出描述某些组件，不得被认为是一个保证

的特点。

交货条件和权利，以技术变革保留。

在此，我们不承担任何及所有担保，包括但不限于非侵权的保证，关于

电路，说明和图表说明本发明。

信息

有关技术，交货条款及条件和价格的进一步信息，请联系离您最近的

英飞凌科技厅（ www.Infineon.com ）。

警告

由于技术要求组件可能含有危险物质。有关的各类信息

的问题，请联系距您最近在网络霓虹技术连接CE认证。

在网络连接霓虹灯技术的组件只能用于生命支持设备或系统的明确的书面

的在网络连接氖技术批准，如果可以合理预期此类组件的故障引起的故障

生命支持设备或系统，或影响该设备或系统的安全性或有效性。生命支持

装置或系统，意在被植入人体，或支持和/或保持和维持

和/或保护人的生命。如果失败了，这是合理的假设，该用户或其他人的健康可能

受到威胁。

在一台S等他，版本0.6 ，J未ê 2 00 4

HYS64T32000[H/K/L]M–[3.7/5]–A

HYS64T64020[H/K/L]M–[3.7/5]–A

双倍数据速率 - 双微SDRAM -DIMM

DDR2 MDIMM

M E M或Y P ，R 0杜（C T） s

礼

的Ne V é

S T O·P

吨H I N·K I N克。

HYS64T[3200/6402]0[H/K/L]M–[3.7/5]–A

初步

修订历史：

修订版0.6

以前的版本：

页面

所有

修订版0.5

科目（自上次调整的重大变化）

加生产的变体与“H”，而不是“ L”，在产品类型

2004-06

2004-04

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HYS64T[3200/6402]0[H/K/L]M–[3.7/5]–A

双倍数据速率 - 双微SDRAM -DIMM

初步

1.1

1.2

1.3

3.1

4.1

4.2

概观

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

特色：。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

说明。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

引脚配置。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。

方框图

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 15

电气特性

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17

工作条件。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 17

规格和条件

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 18

测试条件。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20

ODT （片上终端）电流。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。。 20

电气特性&交流时序

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 21

SPD码

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 24

包装纲要

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 32

产品型号命名（ DDR2的DRAM和DIMM ）

. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 34

数据表

修订版0.6 ， 2004-06

03242004-2CBE-IJ2X