HWS383
!
特点
低插入损耗:
0.8分贝@ 2.50 GHz的
!
2004年3月
V2
QFN12L (3× 3毫米),
1.0分贝@ 5.85 GHz的
隔离:
29.5分贝@ 2.50 GHz的
20.5分贝@ 5.85 GHz的
低DC功耗
微型QFN12L ( 3×3毫米)塑料包装
pHEMT工艺
描述
该HWS383是GaAs PHEMT MMIC DPDT
开关的DC - 6 GHz的在低成本运行
微型QFN12L (3× 3毫米),塑料包装。该
HWS383具有低插入损耗和高
隔离非常低DC功耗。这
交换机在支持IEEE 802.11a / b / g的无线局域网中使用
用于发射的组合系统/接收和
天线分集功能。
0 , + 3V控制电压电气规格在25 °
C
参数
插入损耗
测试条件
0.10-6.00 GHz的
2.40-2.50 GHz的
5.15-5.85 GHz的
0.10-6.00 GHz的
2.40-2.50 GHz的
5.15-5.85 GHz的
0.10-6.00 GHz的
2.40-2.50 GHz的
5.15-5.85 GHz的
2.00-6.00 GHz的
20 dBm的每音@ 2.50 GHz的
22 dBm的每音@ 5.85 GHz的
27.0
18.0
分钟。
典型值。
1.0
0.8
1.0
20.0
29.5
20.5
15
20
18
33
52
52
5
200
马克斯。
1.0
1.3
单位
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
dB
DBM
DBM
DBM
uA
隔离
回波损耗
输入电源一分贝
压缩
输入三阶互调
截取点
控制电流
注意:取得在一个50欧姆的系统与0 / + 3.0V的控制电压时,除非另有说明,所有的测量。
Hexawave公司
2繁荣路二,科技园区,新竹,台湾。电话886-3-578-5100传真886-3-577-0512
http://www.hw.com.tw
所有特定网络阳离子如有更改,恕不另行通知。
HWS383
!
与驱动8pF典型性能数据
电容@ + 25°C
插入损耗与频率
-0.4
-0.6
-0.8
-1.0
-1.2
B
!
2004年3月
V2
绝对最大额定值
参数
RF输入功率
控制电压
工作温度
储存温度
绝对最大
+34 dBm的@ + 3V
+6V
-40 °C至+ 85°C
C
-65 ℃至+ 150 ℃
C
C
插入损耗(dB )
引脚输出(顶视图)
-1.4
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
频率(GHz )
5.5
6.0
1
2
3
12
11
10
9
8
7
隔离与频率
-10
-15
隔离度(dB )
-20
B
4
5
6
B
-25
-30
-35
-40
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
频率(GHz )
5.5
6.0
注意:
1.隔直流电容器
B
=驱动8pF要求所有
RF端口。
在底部2裸露焊盘必须被连接到
通孔地通过。
3.
TX和RX端口可以互换使用。
回波损耗与频率
-10
-15
回波损耗(分贝)
对于开关导通路径的逻辑表
VC1
0
VC2
1
0
ANT1
TX
RX
ANT2
RX
TX
-20
-25
-30
-35
2.0
2.5
3.0
3.5 4.0 4.5 5.0
频率(GHz )
5.5
6.0
1
' 1 ' = + 3V至+ 5V
“0”= 0V至+ 0.2V
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