HGTP15N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ，
HGTH20N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
1995年4月
15A, 20A,
400V和500V N沟道IGBT的
套餐
HGTH类型JEDEC TO- 218AC
辐射源
集热器
集热器
（法兰）
门
特点
15A和20A ， 400V和500V
V
CE （ON）的
2.5V
T
FI
1s, 0.5s
低通态电压
快速开关速度
高输入阻抗
无反并联二极管
应用
电源
电机驱动器
保护电路
HGTP类型JEDEC TO- 220AB
集热器
（法兰）
辐射源
集热器
门
描述
该HGTH20N40C1 ， HGTH20N40E1 ， HGTH20N50C1 ， HGTH20N50E1 ，
HGTP15N40C1 ， HGTP15N40E1 ， HGTP15N50C1和HGTP15N50E1
是n沟道增强型绝缘栅双极晶体管
（ IGBT的），专为高电压，低导通损耗的应用，如
开关稳压器和电机驱动器。这些类型的可被操作
直接从低功耗集成电路。
包装供货情况
产品型号
HGTH20N40C1
HGTH20N40E1
HGTH20N50C1
HGTH20N50E1
HGTP15N40C1
HGTP15N40E1
HGTP15N50C1
HGTP15N50E1
包
TO-218AC
TO-218AC
TO-218AC
TO-218AC
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
TO-220AB
BRAND
G20N40C1
G20N40E1
G20N50C1
G20N50E1
G15N40C1
G15N40E1
G15N50C1
G15N50E1
E
G
端子图
N沟道增强模式
C
注：订货时，使用整个零件编号。
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
HGTH20N40C1 HGTH20N50C1
HGTH20N40E1 HGTH20N50E1
集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 .V
CES
400
500
集电极 - 栅极电压
GE
= 1MΩ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CGR
400
500
反向集电极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
CES
（转）
-5
-5
栅极 - 发射极电压。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 V
GE
±20
±20
连续集电极电流。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
C
20
20
集电极电流脉冲。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。我
CM
35
35
o
在T功耗
C
= + 25℃ 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 。 P
D
100
100
功耗降额牛逼
C
> +25
o
C . . . . . . . . . . . . . . . . .
0.8
0.8
工作和存储结温范围。 。 。牛逼
J
, T
英镑
-55到+150
-55到+150
绝对最大额定值
HGTP15N40C1
HGTP15N40E1
400
400
-5
±20
15
35
75
0.6
-55到+150
HGTP15N50C1
HGTP15N50E1单位
500
V
500
V
-5
V
±20
V
15
A
35
A
75
W
0.6
W/
o
C
o
C
-55到+150
注意：这些器件对静电放电敏感;遵循正确的IC处理程序。
http://www.intersil.com或407-727-9207
|
版权
Intersil公司1999
网络文件编号
2174.3
3-61
特定网络阳离子HGTP15N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ， HGTH20N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
电气连接特定的阳离子
T
C
= +25
o
C，除非另有规定编
范围
HGTH20N40C1 ，E1
HGTP15N40C1 ， E1
参数
集电极 - 发射极击穿
电压
栅极阈值电压
零门极电压集电极
当前
符号
BV
CES
V
GE （日）
I
CES
测试条件
I
C
= 1mA时， V
GE
= 0
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
V
CE
= 400V ，T
C
= +25
o
C
V
CE
= 500V ，T
C
= +25
o
C
V
CE
= 400V ，T
C
= +125
o
C
V
CE
= 500V ，T
C
= +125
o
C
栅极 - 发射极漏电流
反向集电极 - 发射极
漏电流
电压集电极 - 发射极
I
GES
I
CE
V
CE （ON）的
V
GE
=
±20V,
V
CE
= 0
R
GE
= 0, V
EC
= 5V
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V
I
C
= 35A ，V
GE
= 20V
栅极 - 射极电压高原
导通状态的栅极电荷
导通延迟时间
上升时间
打开-O FF延迟时间
下降时间
40E1, 50E1
40C1, 50C1
关断每个周期的能量损失
（关开关损耗=
W
关闭
X频）
40E1, 50E1
40C1, 50C1
热阻
结到外壳
R
θJC
HGTH ， HGTM
HGTP
-
-
W
关闭
I
C
= 10A ，V
CE （ CLP）
= 300V,
L = 25μH ，T
J
= +100
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 25
1810 （典型值）
1070 （典型值）
1.25
1.67
-
-
1.25
1.67
o
HGTH20N50C1 ，E1
HGTP15N50C1 ， E1
民
500
最大
-
单位
V
民
400
最大
-
2.0
-
-
-
-
-
-
4.5
250
-
1000
-
100
-5
2.0
-
-
-
-
-
-
4.5
-
250
-
1000
100
-5
V
A
A
A
A
nA
mA
-
-
-
-
-
-
-
2.5
3.2
6 （典型值）
33 （典型值）
50
50
400
-
-
-
-
-
-
-
2.5
3.2
6 （典型值）
33 （典型值）
50
50
400
V
V
V
nC
ns
ns
ns
V
GEP
Q
G（ ON）的
t
D（ ON ）I
t
RI
t
D（ OFF ）I
t
FI
I
C
= 10A ，V
CE
= 10V
I
C
= 10A ，V
CE
= 10V
I
C
= 20A ，V
CE （ CLP）
= 300V,
L = 25μH ，T
J
= +100
o
C,
V
GE
= 10V ，R
G
= 25
680 （典型值）
400
1000
500
680 （典型值）
400
1000
500
ns
ns
J
J
C / W
o
C / W
Intersil公司IGBT产品受以下一项或美国专利更多：
4,364,073
4,587,713
4,641,162
4,794,432
4,860,080
4,969,027
4,417,385
4,598,461
4,644,637
4,801,986
4,883,767
4,430,792
4,605,948
4,682,195
4,803,533
4,888,627
4,443,931
4,618,872
4,684,413
4,809,045
4,890,143
4,466,176
4,620,211
4,694,313
4,809,047
4,901,127
4,516,143
4,631,564
4,717,679
4,810,665
4,904,609
4,532,534
4,639,754
4,743,952
4,823,176
4,933,740
4,567,641
4,639,762
4,783,690
4,837,606
4,963,951
3-62
HGTP15N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ， HGTH20N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
典型性能曲线
40
V
GE
= 10V ，R
根
= R
GS
= 50
I
CE
，集电极电流（ A）
额定功率耗散（ ％ ）
-50
-25
0
+25
+50 +75 +100 +125 +150 +175
(
o
C)
35
30
25
20
15
10
5
0
-75
100
80
60
40
20
0
+25
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
T
J
，结温
T
C
，外壳温度
图1. MAX 。切换目前的水平。
G
= 25,
V
GE
= 0V ARE THE MIN 。允许值
图2：功耗与温度降额
曲线
归一化的栅极阈值电压
35
V
GE
= V
CE
, I
C
= 1毫安
1.3
1.2
1.1
1.0
0.9
0.8
0.7
I
CE
，集电极电流（ A）
30
25
20
15
10
脉冲测试，V
CE
= 10V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
+25
o
C
5
+125
o
C
0
0
2.5
5.0
-40
o
C
-50
0
+50
+100
+150
7.5
10.0
T
C
，结温（
o
C)
V
GE
，门极 - 发射极电压（V ）
图3.典型的归一化栅极阈值电压
AGE VS结温
T
C
= +25
o
C
35
V
GE
= 20V
I
CE
，集电极电流（ A）
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
5
V
GE
= 4V
V
GE
= 10V
V
GE
= 8V
V
GE
= 6V
V
GE
= 7V
I
CE
，集电极电流（ A）
图4.典型的传输特性
35
30
25
20
15
10
5
0
0
1
2
3
4
V
CE （ON）的
，集电极 - 发射极电压（V ）
+25
o
C
脉冲测试，V
GE
= 10V
脉冲持续时间为80μs =
占空比= 0.5 ％ MAX 。
V
GE
= 5V
图5.典型的饱和特性
图6.典型的集电极 - 发射极导通电压
VS集电极电流
3-63
HGTP15N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ， HGTH20N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
典型性能曲线
（续）
2700
V
CE （ON）的
，集电极 - 发射极电压（ V）
F = 1MHz的
3.00
2250
C，电容（pF ）
2.75
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V
2.50
I
C
= 20A ，V
GE
= 15V
2.25
1800
西塞
1350
900
2.00
1.75
I
C
= 10A ，V
GE
= 10V
450
CRSS
0
科斯
0
10
20
30
40
V
CE
，集电极 - 发射极电压（V ）
50
1.50
+25
I
C
= 10A ，V
GE
= 15V
+50
+75
+100
+125
o
+150
T
J
，结温（ C）
图7.电容VS集电极到发射极
电压
图8.典型的V
CE （ON）的
与温度
400
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V, V
CL
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
t
D（ OFF ）I
，切换时间（纳秒）
V
GE
300
V
CE
200
I
C
W
关闭
=
∫
I
C
*
V
CE
dt
100
0
+25
+50
+75
+100
+125
T
J
，结温（
o
C)
+150
图9.典型关断延迟时间
图10.典型的电感式开关波形
800
700
t
FI
，切换时间（纳秒）
600
40E1/50E1
500
400
40C1/50C1
300
200
100
0
+25
I
C
= 10A ，V
GE
= 10V, V
CL
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
t
FI
，切换时间（纳秒）
800
700
600
500
400
40C1/50C1
300
200
100
0
+25
40E1/50E1
I
C
= 20A ，V
GE
= 10V, V
CL
= 300V
L = 25μH ，R
G
= 25
+50
+75
+100
+125
(
o
C)
+150
+50
+75
+100
+125
+150
T
J
，结温
T
J
，结温（
o
C)
图11.典型下降时间（我
C
= 10A)
图12.典型下降时间（我
C
= 20A)
3-64
HGTP15N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1 ， HGTH20N40C1 ， 40E1 ， 50C1 ， 50E1
典型性能曲线
（续）
1000
W
关闭
，关断能量损失（ μJ ）
900
800
700
600
500
400
300
200
100
0
+25
10A ， 40E1 / 50E1
20A ， 40C1 / 50C1
L = 25μH ，R
G
= 25
20A ， 40E1 / 50E1
V
CE
，集电极 - 发射极电压（ V）
V
GE
= 10V, V
CE （ CLP）
= 300V
500
10
BV
CES
V
CC
= BV
CES
375
R
L
= 25
I
G（ REF ）
= 0.76毫安
V
GE
= 10V
网关
辐射源
电压
V
CC
= 0.25BV
CES
250
注意：
在关断栅极电流的
过量为3mA 。 V
CE
TURN - OFF（关闭）
不能准确地代表
BY规格化。
集电极 - 发射极电压
0
+50
+75
+100
+125
+150
T
J
，结温（
o
C)
20
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
时间（μs ）
80
I
G（ REF ）
I
G（ ACT ）
0
4
8
V
GE
，门极 - 发射极电压（ V）
6
125
10A ， 40C1 / 50C1
2
图13.典型钳位感性TURN -OFF
切换损耗/周期
图14.归一化的开关波形AT CON-
恒定的栅极电流。 （参见应用
笔记AN7254和AN7260对使用
归一化的开关波形）
测试电路
R
L
= 4
L = 25μH
V
CC
V
CE （ CLP）
=
300V
1/R
G
= 1/R
根
+ 1/R
GE
R
根
= 50
80V
20V
0V
R
GE
= 50
图15.电感式开关测试电路
Intersil所有半导体产品的制造，组装和测试下
ISO9000
质量体系CERTI网络阳离子。
Intersil的产品仅出售描述。 Intersil公司保留更改电路设计和/或特定网络连接的阳离子在任何时候没有合适的
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